（二）【模电】（第一章常用半导体器件）半导体二极管

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B 半导体二级管

B 半导体二级管

B.a二极管的组成

PN结封装起来，分别从P，N引出电极。

在这里插入图片描述

(a) 点接触型：结面积小，结电容小，故结允许的电流小，最高工作频率高。
(b) 面接触性：结面积大，结电容大，故结允许的电流大，最高工作频率低。
(c）平面型：结面积可小可大，小的工作频率高，大的允许电流大。
(d) 二极管符号
实物：
在这里插入图片描述

B.b 二极管伏安特性及电流方程

二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性。

在这里插入图片描述
从二极管的伏安特性可以反映出：

在这里插入图片描述
二极管具有温度敏感性。
原因：温度升高，热运动加剧，载流子具有的能量提高。

B.c 二极管的等效电路

B.c.a 将伏安特性折线化

在这里插入图片描述
注意二极管与理想二极管的符号。
上图三种模型分别称为理想模型（适用于电源电压远大于二极管二极管压降）、恒压降模型（适用于流过二极管的电流大于等于1ma时）、折线模型（适用于二极管两端电压介于0.5V-0.7V）。
$r_D=\frac{\Delta u}{\Delta i}$
在这里插入图片描述
100V选理想模型；
5V是管压降几倍：选恒压降模型
1V选择折线模型

B.c.b 微变等效电路

将二极管在静态基础上有一动态信号作用时，则可将二极管等效为一个电阻，称为动态电阻，也就是微变等效电阻。

在这里插入图片描述
ps:模拟电路中字母及其下标都是大写的符号，描述直流分量

当直流电压 $V$ 单独作用时，二极管已经有一个在Q点的电流 $I_D$ ，电压 $U_D$ 。交流源加入后在Q点有一个动态的 $\Delta u_D$ ,如果 $\Delta u_D$ 足够小，则可以认为Q附近的曲线可以近似为直线。二极管可以等效为一个电阻 $r_d$ （图中斜率的倒数）。
在这里插入图片描述
$Q$ 越高， $I_D越大$ ， $r_d$ 越小。

B.d二极管的主要参数

在这里插入图片描述
<1> 最大整流电流 $I_F$ ：二极管长期工作时候，允许通过正向平均电流的最大值。如：正弦波半坡的平均值。

<2>最高反向工作电压 $U_R$ ：工作时允许加在二极管两端的反向电压值。通常将击穿电压 $U_{BR}$ 的一半定义为 $U_R$ 。

<3>未击穿时的反向电流 $I_R$ ：反映单向导电性强弱的参数，功率大，反向电流大。通常希望它越小越好。

<4>最高工作频率（上限频率） $f_m$ ：PN结的结电容当频率不断变大时，容抗不断变小( $\frac{1}{wC}$ ),小到一定程度，就相当于电导通了。或者说可以视为导通的容抗了。这时二极管相当于结电容，电流来回流动。二极管的单向流通性被破坏。 $f_M$ 值决定于PN结结电容的大小。结电容越大，二极管允许的最高工作频率越低。