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①什么是Mbist Repair?
Memory在芯片中占比又来越高(通常 >40 %),对芯片良率有重要影响,为了避免Memory低良对芯片的影响,通常添加冗余或备用的存储单元行和列,及时将测试中的故障进行修复和替换,修复过程包括行修复、列修复或两者的组合修复。Repair一般包含两个步骤:
a) 故障诊断,先用MBIST 进行Memory 故障诊断,发现Fail
b) 确定需要修复替代的值,BIRA Interface(内置冗余分析)基于冗余结构和MBIST测试得到的内存故障数据,计算修复信息,并通过BISR Chain Scan Out压缩烧写到Efuse阵列中; 修复后重新在BISR Controller 中解压Efuse 的修复信息,修复Memory;最后对修复结果进行确认。
②为什么要进行BIST SelfRepair?
不做BISR降低产品良率:如果因为少数的单元cell失效会导致整个Memory芯片,甚至SOC芯片为不合格产品,会导致很低的良率。根据经验可以救回 70% Bin良率。
不做行BISR会降低芯片性能:即使不影响良率,也会降低芯片的性能(比如显示芯片,对某些的坏点数据修复)
缺点是:Memory Repair所能增加的冗余部分有限,若部分存储控制单元损坏的数量比较多,超过了Memory Repair所能修复的极限,则该存储控制单元即使修复后,也非全好,在对内存错误率低容忍度的应用场景中,这种情况的芯片被归为坏片
③不做行不行?
答案是行,对于一些Memory 占比不高,成本比较低的芯片,可以不做的Repair。那做不Memory Repair 依据是什么呢?Cost Cost Cost ,因为做Repair要增加Redundancy Row/Collom和额外的Efuse和BISA 分析和外围电路。这些会增加成本,但是芯片越大,单价越贵,相对这些成本占比也就越小。
Tessent MBISR 进行repair的策略,主要包含 BIRA 和BISR 当然离不开包括Fuse box 的集成
#Self-Repair Architecture
我们看,Self_Repair的策略,主要包含三个部分BIRA 和BISR & Repairable Memorys
整个Chip的Repairable Memories;每一块都有一个对应的包含Repair 解决方案的BISR Register 跟它对应,所有的BISR Registers串在一起构成Chip Level BISR-Scan Chain(下图Bisr ROW/COL Registe