【DFT】【MemoryBIST】Memory Repair 基础

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1. Overview

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假设通过 MBIST 测试发现 SoC 中一个或多个 Memory 存在故障，不能正常进行读写操作，那么应该如何处理？

因为只有少数的 memory 出现故障，继续使用会带来安全隐患，直接丢掉则过于可惜。那么，一个折中的方法是对其进行修复。【Memory Repair】

随着集成电路的发展，芯片的集成度越来越高，memory 的数量越来越多，故障率也随之提高，因为对芯片进行 Memory Repair 的也越来越重要。

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Memory Repair 就是修复缺陷的过程，通常是以备份替换的方式来对 Memory 进行修复。即在存储单元中添加备份的行和列，当某一个存储单元出现故障的时候，将其重新映射到备份单元。

【冗余设计：从使用者的角度看，有 100 个存储单元，但是真实的 design 中可能会有 120 个存储单元，多出的 20 个就是用于 Repair】

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2. Memory Repair

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2.1 Column MUX

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Memory Repair 技术会用到 Column MUX，首先对其进行简单介绍。

一个大小为 1K x 32 的 memory 应该是有 1024 行、32 列，但是这样一个细长的结构在芯片中是不容易摆放的，floorplan 和时序收敛的难度都非常高。

因此，我们希望在不改变 memory 大小的情况下，更改 memory 的形状，以提升 memory 的性能，降低 Address decoder 的复杂度。Column MUX 技术就可以这项任务。

基于 Column MUX 技术，大小为 1K x 32 的 memory 的真实物理实现方式如下图所示。

该 memory 的实际的物理结构是 256 行、128 列，但是在对其进行读写的时候，还是要按照 1K * 32 进行操作。

因此，首先将 128 列分成 4 个阵列，每个阵列有32bits。

然后将每个阵列相同 bit 进行 mux，mux 的选择信号就是地址信号，可以选择不同位置的数据进行输出。

这样，在逻辑上就是一个 1K x 32 的 Memory。

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2.2 Type of Repair

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Memory Repair 有多种不同的分类方法。

1. 根据修复过程中是否硬件电路或模拟电路的参与，可以将其分为：

   • Hard Repair：采用 eFuse 存储修复信息，掉电后信息不丢失，不依赖电源。ATE 测试完成之后，将修复信息烧写到 eFuse，然后再使用阶段再将这些修复信息加载到 memory；

   • Soft Repair：采用逻辑电路对 memory 进行修复，掉电后信息丢失，以来电源。修复信息必须再芯片每次启动时重新加载（存储在芯片外部）或者重新计算（重新进行 BIRA 冗余分析）。

     通常情况下是两者结合使用，需要使用 eFuse 来确保数据不丢失。出厂测试阶段存现的故障时永久存在的，所以将其保存在 eFuse 中，但是使用阶段因老化等出现的新故障时无法烧写在 eFuse 中的，只能采用 Soft Repair。

     Soft Repair 虽然增加了启动时间和控制电路的复杂性，但是和 Hard Repair 配合可以保证芯片在使用阶段，memory 可以正常工作。

2. 根据冗余单元的位置，可以将其分为：

   • Extrenal：Redundant elements outside the memory。例如，100M 可用空间的真实大小是120M。

   • Internal：Redundant element