STM32F4使用SRAM

最新推荐文章于 2024-08-15 15:42:00 发布
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分类专栏： STM32F4 文章标签： stm32 物联网
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本文链接：https://blog.csdn.net/weixin_44502943/article/details/120651378
版权

一、SRAM芯片简介
IS62WV51216是ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc）公司生产的一颗16位宽512K（512*16，即1M字节）容量的CMOS静态内存（SRAM）芯片。
特点
①高速。具有45ns/55ns访问速度。
②低功耗。操作时：36mW;待机时：12uW。
③兼容TTL电平。
④全静态操作。不需要刷新和时钟电路。
⑤三态输出。
⑥字节控制功能。支持高/低字节控制。
框图在这里插入图片描述
图中A0~ 18为地址线，总共19根地址线（即2^19=512K，1K=1024）；I/O0~15为数据线，总共16根数据线。CS2和CS1都是片选信号，不过CS2是高电平有效CS1是低电平有效；OE是输出使能信号（读信号）；WE为写使能信号；UB和LB分别是高字节控制和低字节控制信号；

二、时序

1、IS62WV51216芯片的8080并口读时序
在这里插入图片描述

  • 使用55ns的IS62WV51216，tRC=55nstAA=55ns（Max），tDOE=25ns（Max）
    2、IS62WV51216芯片的8080并口写时序
    在这里插入图片描述
    55ns的IS62WV51216，tWC=55ns，tSA=0ns，tPWE=45ns（min）
    3、FSMC模式A读时序图
    在这里插入图片描述
    4、FSMC模式A写时序图
    在这里插入图片描述

三、FSMC接口

FSMC，即灵活的静态存储控制器，能够与同步或异步存储器和16位PC存储器卡连接，STM32的FSMC接口支持包括SRAM、NAND FLASH、NOR FLASH和PSRAM等存储器。FSMC的框图如下图所示：
在这里插入图片描述
FSMC驱动外部SRAM时，外部SRAM的控制一般有：地址线（如A0~ A25）、数据线（如D0~ D15）、写信号（WE，即WR）、读信号（OE，即RD）、片选信号（CS），如果SRAM支持字节控制，那么还有UB / LB信号。而IS62WV51216的信号我们在前面介绍过，包括：I/O0~ I/O15、A0~ A18、OE、WE、CS、UB、LB等，我们将这些信号依次连接STM32 FSMC接口的D0~ D15、A0~A18、OE、WE、CS、UB、LB等信号即可。

STM32的FSMC支持8/16位数据宽度，我们这里用到的SRAM是16位宽度的，所以在设置的时候，选择16位宽就OK了。FSMC的外部设备地址映像，STM32的FSMC将外部存储器划分为固定大小为256M字节的四个存储块。
在这里插入图片描述
STM32的FSMC存储块1（Bank1）用于驱动NOR FLASH/SRAM/PSRAM，被分为4个区，每个区管理64M字节空间，每个区都有独立的寄存器对所连接的存储器进行配置。Bank1的256M字节空间由28根地址线（HADDR[27:0]）寻址。
这里HADDR，是内部AHB地址总线，其中，HADDR[25:0]来自外部存储器地址FSMC_A[25:0]，而HADDR[26:27]对4个区进行寻址。如下表所示：
在这里插入图片描述
当Bank1接的是16位宽度存储器的时候：HADDR[25:1] --> FSMC_A[24:0]
当Bank1接的是8位宽度存储器的时候：HADDR[25:0] --> FSMC_A[25:0]

不论外部接8位/16位宽设备，FSMC_A[0]永远接在外部设备地址A[0]

四、寄存器介绍

1、SRAM/NOR闪存片选控制寄存器（FSMC_BCRx）
在这里插入图片描述

  • EXTMOD：扩展模式使能位，控制是否允许读写不同的时序，设置为0
  • WREN：写使能位。需要向SRAM写数据，故该位必须设置为1。
  • MWID[1:0]：存储器数据总线宽度。00，表示8位数据模式；01表示16位数据模式；10和11保留。我们的SRAM是16位数据线，所以设置WMID[1:0]=01。
  • MTYP[1:0]：存储器类型。00表示SRAM、ROM；01表示PSRAM；10表示NOR FLASH;11保留。我们驱动的芯片为SRAM，所以需要设置MTYP[1:0]=00。
  • MBKEN：存储块使能位。需设置为1。
    2、SRAM/NOR闪存片选时序寄存器（FSMC_BTRx）
    在这里插入图片描述
  • ACCMOD[1:0]：访问模式。00:模式A；01:模式B；10:模式C；11:模式D。
  • DATAST[7:0]：数据保持时间，等于:DATAST(+1)个HCLK时钟周期，DATAST最大为255。对IS62WV51216来说，其实就是OE/WE低电平持续时间，最大为55ns。对STM32F1，一个HCLK=13.8ns (1/72M)，设置为3；对STM32F4，一个HCLK=6ns(1/168M) ，设置为8。
  • ADDSET[3:0]：地址建立时间。表示：ADDSET(+1)个HCLK周期，ADDSET最大为15。对IS62WV51216来说，访问周期最快位55ns，而我们前面的设置，已经可以保证访问周期不小于55ns，因此这个地址建立时间，我们可以直接设置为0即可。
    3、寄存器组合说明
    在ST官方库提供的的寄存器定义里面，并没有定义FSMC_BCRx、FSMC_BTRx、FSMC_BWTRx等这个单独的寄存器，而是将他们进行了一些组合。规律如下：
    FSMC_BCRx和FSMC_BTRx，组合成BTCR[8]寄存器组，他们的对应关系如下：
    BTCR[0]对应FSMC_BCR1，BTCR[1]对应FSMC_BTR1
    BTCR[2]对应FSMC_BCR2，BTCR[3]对应FSMC_BTR2
    BTCR[4]对应FSMC_BCR3，BTCR[5]对应FSMC_BTR3
    BTCR[6]对应FSMC_BCR4，BTCR[7]对应FSMC_BTR4

FSMC_BWTRx则组合成BWTR[7]，他们的对应关系如下：
BWTR[0]对应FSMC_BWTR1，BWTR[2]对应FSMC_BWTR2，
BWTR[4]对应FSMC_BWTR3，BWTR[6]对应FSMC_BWTR4，
BWTR[1]、BWTR[3]和BWTR[5]保留，没有用到。

五、代码展示

#define Bank1_SRAM3_ADDR    ((u32)(0x68000000))	
  						   
//初始化外部SRAM
void FSMC_SRAM_Init(void)
{	
	GPIO_InitTypeDef  GPIO_InitStructure;
	FSMC_NORSRAMInitTypeDef  FSMC_NORSRAMInitStructure;
  FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef  readWriteTiming; 
	
	RCC_AHB1PeriphClockCmd(RCC_AHB1Periph_GPIOB|RCC_AHB1Periph_GPIOD|RCC_AHB1Periph_GPIOE|RCC_AHB1Periph_GPIOF|RCC_AHB1Periph_GPIOG, ENABLE);//使能PD,PE,PF,PG时钟  
  RCC_AHB3PeriphClockCmd(RCC_AHB3Periph_FSMC,ENABLE);//使能FSMC时钟  
   
	
	GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_15;//PB15 推挽输出,控制背光
  GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_OUT;//普通输出模式
  GPIO_InitStructure.GPIO_OType = GPIO_OType_PP;//推挽输出
  GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz;//100MHz
  GPIO_InitStructure.GPIO_PuPd = GPIO_PuPd_UP;//上拉
  GPIO_Init(GPIOB, &GPIO_InitStructure);//初始化 //PB15 推挽输出,控制背光

	GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = (3<<0)|(3<<4)|(0XFF<<8);//PD0,1,4,5,8~15 AF OUT
  GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF;//复用输出
  GPIO_InitStructure.GPIO_OType = GPIO_OType_PP;//推挽输出
  GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_100MHz;//100MHz
  GPIO_InitStructure.GPIO_PuPd = GPIO_PuPd_UP;//上拉
  GPIO_Init(GPIOD, &GPIO_InitStructure);//初始化  
	
  GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = (3<<0)|(0X1FF<<7);//PE0,1,7~15,AF OUT
  GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF;//复用输出
  GPIO_InitStructure.GPIO_OType = GPIO_OType_PP;//推挽输出
  GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_100MHz;//100MHz
  GPIO_InitStructure.GPIO_PuPd = GPIO_PuPd_UP;//上拉
  GPIO_Init(GPIOE, &GPIO_InitStructure);//初始化  
	
 	GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = (0X3F<<0)|(0XF<<12); 	//PF0~5,12~15
  GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF;//复用输出
  GPIO_InitStructure.GPIO_OType = GPIO_OType_PP;//推挽输出
  GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_100MHz;//100MHz
  GPIO_InitStructure.GPIO_PuPd = GPIO_PuPd_UP;//上拉
  GPIO_Init(GPIOF, &GPIO_InitStructure);//初始化  

	GPIO_InitStructure.GPIO_Pin =(0X3F<<0)| GPIO_Pin_10;//PG0~5,10
  GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF;//复用输出
  GPIO_InitStructure.GPIO_OType = GPIO_OType_PP;//推挽输出
  GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_100MHz;//100MHz
  GPIO_InitStructure.GPIO_PuPd = GPIO_PuPd_UP;//上拉
  GPIO_Init(GPIOG, &GPIO_InitStructure);//初始化 
 
 
  GPIO_PinAFConfig(GPIOD,GPIO_PinSource0,GPIO_AF_FSMC);//PD0,AF12
  GPIO_PinAFConfig(GPIOD,GPIO_PinSource1,GPIO_AF_FSMC);//PD1,AF12
  GPIO_PinAFConfig(GPIOD,GPIO_PinSource4,GPIO_AF_FSMC);
  GPIO_PinAFConfig(GPIOD,GPIO_PinSource5,GPIO_AF_FSMC); 
  GPIO_PinAFConfig(GPIOD,GPIO_PinSource8,GPIO_AF_FSMC); 
  GPIO_PinAFConfig(GPIOD,GPIO_PinSource9,GPIO_AF_FSMC);
  GPIO_PinAFConfig(GPIOD,GPIO_PinSource10,GPIO_AF_FSMC);
  GPIO_PinAFConfig(GPIOD,GPIO_PinSource11,GPIO_AF_FSMC);
	GPIO_PinAFConfig(GPIOD,GPIO_PinSource12,GPIO_AF_FSMC);
  GPIO_PinAFConfig(GPIOD,GPIO_PinSource13,GPIO_AF_FSMC);
  GPIO_PinAFConfig(GPIOD,GPIO_PinSource14,GPIO_AF_FSMC);
  GPIO_PinAFConfig(GPIOD,GPIO_PinSource15,GPIO_AF_FSMC);//PD15,AF12
 
  GPIO_PinAFConfig(GPIOE,GPIO_PinSource0,GPIO_AF_FSMC);
  GPIO_PinAFConfig(GPIOE,GPIO_PinSource1,GPIO_AF_FSMC);
	GPIO_PinAFConfig(GPIOE,GPIO_PinSource7,GPIO_AF_FSMC);//PE7,AF12
  GPIO_PinAFConfig(GPIOE,GPIO_PinSource8,GPIO_AF_FSMC);
  GPIO_PinAFConfig(GPIOE,GPIO_PinSource9,GPIO_AF_FSMC);
  GPIO_PinAFConfig(GPIOE,GPIO_PinSource10,GPIO_AF_FSMC);
  GPIO_PinAFConfig(GPIOE,GPIO_PinSource11,GPIO_AF_FSMC);
  GPIO_PinAFConfig(GPIOE,GPIO_PinSource12,GPIO_AF_FSMC);
  GPIO_PinAFConfig(GPIOE,GPIO_PinSource13,GPIO_AF_FSMC);
  GPIO_PinAFConfig(GPIOE,GPIO_PinSource14,GPIO_AF_FSMC);
  GPIO_PinAFConfig(GPIOE,GPIO_PinSource15,GPIO_AF_FSMC);//PE15,AF12
 
  GPIO_PinAFConfig(GPIOF,GPIO_PinSource0,GPIO_AF_FSMC);//PF0,AF12
  GPIO_PinAFConfig(GPIOF,GPIO_PinSource1,GPIO_AF_FSMC);//PF1,AF12
  GPIO_PinAFConfig(GPIOF,GPIO_PinSource2,GPIO_AF_FSMC);//PF2,AF12
  GPIO_PinAFConfig(GPIOF,GPIO_PinSource3,GPIO_AF_FSMC);//PF3,AF12
  GPIO_PinAFConfig(GPIOF,GPIO_PinSource4,GPIO_AF_FSMC);//PF4,AF12
  GPIO_PinAFConfig(GPIOF,GPIO_PinSource5,GPIO_AF_FSMC);//PF5,AF12
  GPIO_PinAFConfig(GPIOF,GPIO_PinSource12,GPIO_AF_FSMC);//PF12,AF12
  GPIO_PinAFConfig(GPIOF,GPIO_PinSource13,GPIO_AF_FSMC);//PF13,AF12
  GPIO_PinAFConfig(GPIOF,GPIO_PinSource14,GPIO_AF_FSMC);//PF14,AF12
  GPIO_PinAFConfig(GPIOF,GPIO_PinSource15,GPIO_AF_FSMC);//PF15,AF12
	
  GPIO_PinAFConfig(GPIOG,GPIO_PinSource0,GPIO_AF_FSMC);
  GPIO_PinAFConfig(GPIOG,GPIO_PinSource1,GPIO_AF_FSMC);
  GPIO_PinAFConfig(GPIOG,GPIO_PinSource2,GPIO_AF_FSMC);
  GPIO_PinAFConfig(GPIOG,GPIO_PinSource3,GPIO_AF_FSMC);
  GPIO_PinAFConfig(GPIOG,GPIO_PinSource4,GPIO_AF_FSMC);
  GPIO_PinAFConfig(GPIOG,GPIO_PinSource5,GPIO_AF_FSMC);
  GPIO_PinAFConfig(GPIOG,GPIO_PinSource10,GPIO_AF_FSMC);
	
 	  
 	readWriteTiming.FSMC_AddressSetupTime = 0x00;	 //地址建立时间（ADDSET）为1个HCLK 1/36M=27ns
  readWriteTiming.FSMC_AddressHoldTime = 0x00;	 //地址保持时间（ADDHLD）模式A未用到	
  readWriteTiming.FSMC_DataSetupTime = 0x08;		 数据保持时间（DATAST）为9个HCLK 6*9=54ns	 	 
  readWriteTiming.FSMC_BusTurnAroundDuration = 0x00;
  readWriteTiming.FSMC_CLKDivision = 0x00;
  readWriteTiming.FSMC_DataLatency = 0x00;
  readWriteTiming.FSMC_AccessMode = FSMC_AccessMode_A;	 //模式A 
    

 
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_Bank = FSMC_Bank1_NORSRAM3;//  这里我们使用NE3 ，也就对应BTCR[4],[5]。
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_DataAddressMux = FSMC_DataAddressMux_Disable; 
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryType =FSMC_MemoryType_SRAM;// FSMC_MemoryType_SRAM;  //SRAM   
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryDataWidth = FSMC_MemoryDataWidth_16b;//存储器数据宽度为16bit  
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_BurstAccessMode =FSMC_BurstAccessMode_Disable;// FSMC_BurstAccessMode_Disable; 
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalPolarity = FSMC_WaitSignalPolarity_Low;
	FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_AsynchronousWait=FSMC_AsynchronousWait_Disable;
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WrapMode = FSMC_WrapMode_Disable;   
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalActive = FSMC_WaitSignalActive_BeforeWaitState;  
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteOperation = FSMC_WriteOperation_Enable;	//存储器写使能 
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignal = FSMC_WaitSignal_Disable;  
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ExtendedMode = FSMC_ExtendedMode_Disable; // 读写使用相同的时序
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteBurst = FSMC_WriteBurst_Disable;  
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ReadWriteTimingStruct = &readWriteTiming;
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteTimingStruct = &readWriteTiming; //读写同样时序

  FSMC_NORSRAMInit(&FSMC_NORSRAMInitStructure);  //初始化FSMC配置

 	FSMC_NORSRAMCmd(FSMC_Bank1_NORSRAM3, ENABLE);  // 使能BANK1区域3										  
											
}
	  														  
//在指定地址(WriteAddr+Bank1_SRAM3_ADDR)开始,连续写入n个字节.
//pBuffer:字节指针
//WriteAddr:要写入的地址
//n:要写入的字节数
void FSMC_SRAM_WriteBuffer(u8* pBuffer,u32 WriteAddr,u32 n)
{
	for(;n!=0;n--)  
	{										    
		*(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+WriteAddr)=*pBuffer;	  
		WriteAddr++;
		pBuffer++;
	}   
}																			    
//在指定地址((WriteAddr+Bank1_SRAM3_ADDR))开始,连续读出n个字节.
//pBuffer:字节指针
//ReadAddr:要读出的起始地址
//n:要写入的字节数
void FSMC_SRAM_ReadBuffer(u8* pBuffer,u32 ReadAddr,u32 n)
{
	for(;n!=0;n--)  
	{											    
		*pBuffer++=*(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+ReadAddr);    
		ReadAddr++;
	}  
}
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