RRAM/ Near Memory Computing (NMC) Survey - Reading Notes 0708

Reading Notes of Resistive Random Access Memory – Day 3

Chapter 4 RRAM Array Architecture

Cross-Point Array

cross-point or crossbar, supports a 4 $F^2$ cell area, can achieve a higher integration density than 1T1R array.

The scalablity is not limited by the drivability of the cell selection transistor as the case in 1T1R array. 驱动电流是由阵列边缘的驱动晶体管提供的，它可以有更大的W/L，或用更大尺寸的工艺。由于大部分晶体管没有使用更大的W/L，整个阵列的面积不会显著增加。

一种叫做selector的器件被加入进来，与RRAM连接，减小sneak path current，使阵列能够大规模集成。

selector和sneak path在后面详细讨论

Panasonic（松下电器）做了一个8Mb的cross-point TaOx-based RRAM原型芯片[36]

Sandisk/ Toshiba做了一个32Gb的cross-point MeOx-based RRAM prototype chip[37]

他们用的不是传统的cross point阵列，而是两层的一个cross point阵列，共用bit line，从而增加存储密度。

Supporting Circuitry使用了更大的工艺尺寸，相比存储阵列显得尤为巨大。

仿真结果表明，如果把外围电路的尺寸问题解决掉，那么RRAM有望实现~$3.43Gb/m{m}^2$的密度，以及~$300MB/s$的写速度和~ 1 G B / s 1GB/s