ISO 26262中的失效率计算：IEC TR 62380-Section 8-Diodes

概要

IEC TR 62380《电子组件、PCBs和设备的可靠性预计通用模型》是涵盖电路、半导体分立器件、光电组件、电阻器、电容器、压电组件、显示器、开关等等电子元器件的可靠性预计模型，模型中包含了环境系数以及材料、工艺和结构等因素相关的系数。本文介绍IEC TR 62380第八章二极管的失效率预测模型。

1 失效率预测模型

1.1 二极管分类

在IEC TR 62380分为低功率二极管和功率二极管，其中：

低功率二极管包含以下：
a）硅二极管：信号二极管；PIN；快速和慢恢复整流二极管；肖特基二极管：电流3A以下；
b）闸流管，三端双向可控硅开关元器件：3A电流以下；
c）齐纳击穿二极管：最高功率1.5W；
d）瞬态电压抑制二极管：最高功率5kW（峰值，10μs/1000μs）；
e）砷化镓二极管：最高功率0.1W。

功率二极管包含以下：
a）硅二极管：信号二极管，PIN，快速和慢恢复整流二极管，肖特基二极管：电流3A以上：
b）闸流管，三端双向可控硅开关元器件：3A电流以上；
c）齐纳击穿二极管：功率1.5W以上；
d）瞬态电压抑制二极管：功率5kW以上（峰值，10μs/1000μs）；
e）砷化镓二极管：功率0.1W以上。

1.2 失效率预测模型

低功率二极管和功率二极管的失效率预测模型是一致的：

二极管失效率预测的数学模型由如下3部分组成：

      - λdie 组件失效率

      - λpackage 封装失效率

       - λoverstress 电过应力失效率

2 失效率的计算

2.1 结温的计算

二极管的结温可以通过测量或者使用热阻计算获取，其中后者的计算方法如下：

其中：

-  ta 是管壳周围的环境温度（摄氏度）；

-  tc 是管壳温度（摄氏度）；

-  tj 是结温（摄氏度）；

-  Rja 是元件的热阻（结点-环境）（摄氏度/瓦特）；

-  Rjc 是热阻（结点-外壳或安装基座）（摄氏度/瓦特）；

-  P 是平均功耗（瓦特）。

IEC 62380给出了多种封装类型的热阻取值：根据封装的类型

2.2 λdie的计算

根据所要计算的元器件类型，查找对应的λ0和πu：

温度de-rateing系数的计算参考：

ISO 26262中的失效率计算：Mission profile的使用

2.3 λpackage的计算

根据封装类型选择λB取值：

温度循环De-rating系数的计算参考：

ISO 26262中的失效率计算：Mission profile的使用

2.4 λoverstress的计算

根据元器件的使用用途选择λEOS和πI取值：

其中：

     πI：是否与外界环境直接接触的影响参数。

     λEOS：在考虑的应用中，与电子应力相关的故障率。

将计算得到的λdie 组件失效率、λpackage 封装失效率、λoverstress 电过应力失效率相加即可得出二极管的失效率。