随机存取存储器SRAM

本文详细介绍了随机存取存储器(RAM)中的SRAM,包括其双稳态电路特性和静态读写存储器的原理。以6264 SRAM芯片为例,阐述了芯片的结构、引脚功能以及读写操作,同时讨论了全地址译码和部分地址译码两种译码方式在存储器系统中的应用。
摘要由CSDN通过智能技术生成

 前面,我们根据半导体存储(主存储器)的工作方式分为两类:一类是随机存储器(RAM),另外一类是只读存储器(ROM)。

这一讲,我们重点来学习随机存取存储器。随机存取存储器主要用来存放的程序,各种输入输出数据,中间运算结果,堆栈等。我们说随机存取存储器有两个特点,其一是它可以随机的读写,其二是断电后内容会消失。根据制造工艺的不同,RAM可分为双击型半导体RAM和和金属氧化物半导体(MOS)RAM。用MOS器件构成的RAM可分为静态读写存储器SRAM和动态读写存储器DRAM。

SRAM的存储元是双稳态电路,双稳态电路有什么特点呢?双稳态存储器有两个稳定状态,可用来存储一位二进制信息。只要不断电,内容不消失。DRAM的存储元是电容,电容会漏电,所有时间长了不稳定,需要刷新(定时将存储单元中信息读出在写入),这是由系统自动完成的。

6264存储芯片

6264芯片是一个8K×8b的CMOS SRAM芯片,其共有28条引出线,包括13条地址信号线,8条数据信号线,及4条控制信号线。

 (1)A0~A12 : 13位地址信号线。一个存储芯片上的地址线的多少决定该芯片的存储单元数量。这是因为编码的原因。一根地址线可以表示0,1两个地址数,两根地址线可以表示00,01,10,11四个地址数,三根地址线就可以表示000,001,010,011,100,101,110,111八个地址数,那么13跟地址线就可以表示2^13个地址数,相当于有这么多个内存单元。2^13=8192=8K,从而保证芯片上8K个单元每个单元有唯一的地址,即芯片上13个地址线上的信号经过芯片的内部译码,可以决定选中6264芯片上8K个存储单元的哪一个。对于选中哪一个,这是系统的事情,对程序员是透明的。那么CPU要能够寻址6264上某个内存单元,说明该地址信号线一定要与CPU的地址总线连接起来,至于这

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