硬件电路学习系列（二）-----常用电子元件

系列文章目录

硬件电路学习系列（一）-----电源滤波整流电路设计
硬件电路学习系列（二）-----常用电子元件
硬件电路学习系列（三）-----数码管驱动电路设计

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前言

今天在公司主要学习了一些常用电子元器件的知识，了解了它们的相关参数及用法

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一、电阻

电阻是我们电路中的基本元件之一。
电阻由电阻体、骨架和引出端三部分构成（实芯电阻器的电阻体与骨架合二为一），而决定阻值的只是电阻体。对于截面均匀的电阻体，电阻值为

其中L为电阻长度，ρ为电阻率，主要与电阻的材料有关，A为横截面积。

在电路中，
电阻串联总阻值R=R1+R2+R3+…
电阻并联总阻值R=（R1R2R3*…）/（R1+R2+R3+…）

电阻的封装主要有直插和贴片两种，直插和贴片的读数方法不同，直插主要采用色环读数比较多，贴片的话大部分直接根据数值来读。

色环法

贴片电阻的种类较多，常见型号为0805(外形尺寸为0.08in×0.05in，lin=2.54cm)、0603。此外还有2510、2225、1812、1210、1206、0402、0201、01005等其他型号。数值越小，则占据的PCB表面积越小，在进行焊接与拆焊操作时的难度也越大。

贴片电阻读数的话是这样读的：
R047表示电阻值为0.047Q=47mΩ，1502表元电阻值为150×102=15kΩ，103表示电阻值为10×103=10kΩ。

这里我们主要讲一下热敏电阻和压敏电阻，这两种类型的电阻在电路中的使用场景与普通电阻有所不同，比较重要。

1.热敏电阻

热敏电阻是一种传感器电阻，其电阻值随着温度的变化而改变，热敏电阻对环境温度及其敏感。

热敏电阻的主要特点是：
①灵敏度较高，其电阻温度系数要比金属大10～100倍以上，能检测出10-6℃的温度变化；
②工作温度范围宽，常温器件适用于-55℃～315℃，高温器件适用温度高于315℃（目前最高可达到2000℃），低温器件适用于-273℃～-55℃；
③体积小，能够测量其他温度计无法测量的空隙、腔体及生物体内血管的温度；
④使用方便，电阻值可在0.1～100kΩ间任意选择；
⑤易加工成复杂的形状，可大批量生产；
⑥稳定性好、过载能力强

热敏电阻器种类：正温度系数（PTC）和负温度系数（NTC）。PTC热敏电阻器的阻值随着温度升高而增大，NTC热敏电阻器的阻值随着温度升高而减小。目前应用最广泛的是NTC热敏电阻器。

应用案例：
1.使用NTC电阻抑制启动浪涌电路

电源启动时，输入电容C7电压为0，充电瞬间电流很大,温度升高，NTC电阻R2由于温度升高，阻值减小从而保护电路，当温度恢复为正常温度时，NTC电阻R2恢复正常值，维持正常输出功率。

2.使用NTC电阻测量环境温度

利用NTC负温度特性及电阻分压原理来对当前温度进行测量，当温度升高时，NTC电阻阻值减小，分压节点处电压发生改变。

2.压敏电阻

压敏电阻是一种具有非线性伏安特性的特殊电阻器件，英文名称叫Voltage Dependent Resistor，简写为VDR ，或者叫做Varistor。

压敏电阻不是真正的电阻，而是一种具有瞬态电压抑制功能的元件，一般无正负极之分，当加到压敏电阻上的电压超过一定值时，它的阻值会迅速下降，以导通大电流，保护后端电路；当低于其工作电压时，压敏电阻阻值极高，相当于开路，不影响后端电路的工作状态。

有一点要注意的是，压敏电阻能吸收很大的浪涌电压，但是他承受不了持续大点的电流，所以一般都是用来过滤瞬态浪涌电压。

一般来说，压敏电阻大部分都用来防止输入的浪涌电压干扰，大部分都是放置在输入前端。

二、二极管

1.什么是二极管

二极管是用半导体材料（硅、硒、锗等）制成的一种电子器件。

二极管有两个电极，正极，又叫阳极；负极，又叫阴极，给二极管两极间加上正向电压时，二极管导通，加上反向电压时，二极管截止。 二极管的导通和截止，则相当于开关的接通与断开。

简单来说，二极管是一种由半导体材料制成的一种具有单向导电性能的电子元器件。

2.二极管工作原理

二极管工作原理可以简单概括为：
PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流;
PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。
PN结具有单向导电性。
具体内部PN结工作原理这里就不介绍了，如果有兴趣的可以百度一下。

3.二极管特性

2.3.1. 二极管伏安特性曲线

正向特性(外加正向电压，上图中X坐标的正半部分)：当正向电压超过某一数值后，二极管才有明显的正向电流，该电压值称为导通电压，大于导通电压的区域称为导通区。
反向特性(外加正向电压，上图中X坐标的负半部分)：在反向电压小于反向击穿电压的范围内，由少数载流子形成的反向电流很小，而且与反向电压的大小基本无关，此部分为截止区。

2.3.2.温度的影响

温度升高会导致正向特性左移（导通电压降低，正向压降降低），反向特性下移（反向电流增加）。

2.3.3.击穿

二极管击穿分为电击穿与热击穿，其中电击穿过程是可逆的，热击穿是任何时候都需要避免的。

电击穿在二极管使用极其广泛，具体原理百度解释得很详细，TVS管就是利用其电击穿原理来防护电路的，当反向电压及反向电流过大时，TVS二极管反向导通，这种是可恢复的。

在使用二极管的过程中，如由于反向电流和反向电压过大，使得PN结功耗变大，超过PN结的允许功耗，温度上升直到过热使PN结击穿的现象叫热击穿，热击穿导致永久性损伤

4.二极管分类

二极管根据用途来分类有很多种类型，有些类型的二极管基本很少用到，我们主要讲一下常用的几种二极管。

2.4.1. 肖特基二极管

肖特基二极管不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的，所以也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。

2.4.2. TVS瞬态抑制二极管

TVS（Transient Voltage Suppressors），即瞬态电压抑制器，主要利用二极管雪崩击穿保护后端元器件的二极管，又称雪崩击穿二极管，TVS二极管正常工作在截止区。
TVS 有单向与双向之分，单向TVS一般适用于直流电路，双向TVS一般适用于交流电路中，其实双向也可以用于直流电路之中。

TVS管的工作原理：当瞬态电压过大时，TVS管方向电压过大，TVS管雪崩击穿，TVS管电阻由高阻态变为低阻态从而泄掉瞬间的大电流。

2.4.3. ESD二极管

ESD二极管其实和 TVS 二极管原理是一样的，也是为了保护电，主要功能是防止静电。

TVS二极管 与 ESD二极管防护原理是一样的，都是防止瞬间的高压,不过ESD二极管主要是应用于板级保护，TVS二极管主要用于电源电路初级和次级保护，两者的结电容不一样，ESD 二极管的结电容比较低，一般可小到 几pf，TVS管的结电容一般在几十pf到几十nf之间，而且ESD二极管的功率一般会小一点。

2.4.4. 稳压二极管(齐纳二极管)

稳压二极管，英文名称Zener diode，又叫齐纳二极管。利用PN结反向击穿状态，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，制成的起稳压作用的二极管，稳压值 = 反向击穿电压，齐纳二极管正常工作在反向击穿区域。

稳压二极管的伏安特性曲线的正向特性和普通二极管差不多，反向特性是在反向电压低于反向击穿电压时，反向电阻很大，反向漏电流极小。但是，当反向电压临近反向电压的临界值时，反向电流骤然增大，称为击穿，在这一临界击穿点上，反向电阻骤然降至很小值。尽管电流在很大的范围内变化，而二极管两端的电压却基本上稳定在击穿电压附近，从而实现了二极管的稳压功能。

2.4.5. 整流二极管

整流二极管(rectifier diode)一种利用二极管单向导电的特性，将交流电转变为直流电的二极管，整流二极管一般为平面型硅二极管。整流二极管正反向电阻相差很大，且反向电阻接近于无穷大。

基本上可认为的单向二极管都具备整流功能，因为这是二极管的特性，只是有些二极管针对不同的应用场合设计生产工艺会有不同，所以整流效果有好有坏，当然我们需要用来整流肯定选择专门的整流二极管。

选用整流二极管时，主要应考虑：最大整流电流、最大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。整流二极管主要应用在整流电路这一块。

2.4.6. 光敏二极管

光敏二极管，又叫光电二极管（英语：photodiode ）是一种能够将光根据使用方式，转换成电流或者电压信号的光探测器。

光敏二极管，可以利用光照强弱来改变电路中的电流，作为光照传感器广泛使用。

2.4.7. 发光二极管

发光二极管(LED)，是一种常用的发光器件，通过电子与空穴复合释放能量发光。
在使用过程中，发光二极管发光的强弱和流过他的电流成正比，所以如果觉得光弱，可以降低和他串联的电阻，但是要注意他能够承受的最大电流，防止损坏。

三、BJT管

如图，下图中左为NPN型BJT管，右为PNP型BJT管，我们可以通过箭头的方向来判断BJT管的类型，箭头的方向为电流流经的方向，PN结中电流由P流向N，故此很快就能判断出BJT的类型。

数字电路里BJT管常充当开关作用，当Vebo>0.7V（硅管的压降差为0.7V，锗管的压降差为0.3V）时,三极管导通，电流从集电极C流向发射极E（NPN型）。

除此之外，BJT管还可以用来放大电流，Ic=βIb，Ie=（1+β）Ib。
Bjt管共有三种工作状态：截至状态、放大状态、饱和状态，我们可以将它看作是一个水龙头

截至状态下，集电极与发射极不导通，电路断开。

bjt管进入放大状态，基极电流越大，集电极电流电流会成比例放大

饱和状态下，集电极电流不会随基极电流变化而变化，达到饱和状态

BJT管的主要参数有：
1、电流放大系数 β ： iC= β iB

2、极间反向电流 iCBO、iCEO：iCEO = （1+β）iCBO

3、极限参数

（1）集电极最大允许电流ICM：β下降到额定值的2/3时，所允许的最大集电极电流；

（2）反向击穿电压U(BR)CEO：基极开路时，集电极、发射极间的最大允许电压。

（3）集电极最大允许功耗Pcm；

四、mos管

MOS，是MOSFET的缩写。MOSFET 金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。
一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。

记住 MOS管有 三个引脚名称：G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。

按沟道分类，场效应管分为PMOS管（P沟道型）和NMOS（N沟道型）管。

按材料分类，可以分为分为耗尽型和增强型：

增强型管：栅极-源极电压 Vgs 为零时漏极电流也为零；
耗尽型管：栅极-源极电压 Vgs 为零时漏极电流不为零。

其实归纳一下，就4种类型的MOS管：

增强型 PMOS，增强型 NMOS，耗尽型 PMOS，耗尽型 NMOS。

mos管类型判断：
mos管我们可以直接根据GS极箭头方向来判断沟道类型，箭头由S极指向G极为N沟道，箭头由G极指向S极为P沟道

4.1.mos管导通条件

N沟道：导通时 Vg> Vs,Vgs> Vgs(th)时导通；

P沟道：导通时 Vg< Vs,Vgs< Vgs(th)时导通。

MOS管导通条件：|Vgs| > |Vgs(th)|

4.2.参数选型

mos管参数中有几个参数需要注意一下：Vds/Vgs/Vth(GS)/Rds(ON)/ID/gfs/Ciss/这几个参数很重要，有的直接影响到mos管在电路中的使用。

• Vds漏源击穿电压，漏源极最大承受电压，最大为60V；
• Vgs为栅漏电压，栅极最大承受承受电压范围，最大不得超过±20V；
• Id为漏源标称电流，即漏源间可承受的电流值，这里最大不得超过0.115A；
  
• Vth(GS)为开启电压，当外加栅极控制电压 VGS 超过 VGS(th)时，漏区和源区的表面反型层形成了连接的沟道，mos管导通，即MOS管导通条件：|Vgs| > |Vgs(th)|
  N沟道：导通时 Vg> Vs,Vgs> Vgs(th)时导通；
  P沟道：导通时 Vg< Vs,Vgs< Vgs(th)时导通；
• Rds(on)为导通电阻，其直接决定了mos管的导通损耗，Rds(on)越大，mos管损耗越大，温升越高
• gfs为正向跨导，漏极输出电流的变化量与栅源电压变化量之比，反应的是栅极电压对漏源电流的控制能力，不可过小，过小会导致Mos管关断降低，过大会导致关断速度过快
• Ciss为输入电容，Ciss对Mos管的导通时间有很大影响，Ciss越大，通断时间越慢

4.3.mos管应用

mos管在电路中的应用太广了，这里我们作为开关管使用，这电路有点简陋，正常做产品不要像我一样哈

这里我们选用的是N沟道mos管，Ug输入高电平时，Ug-Us>Vgs，mos管导通，电流从上往下流经LED灯，LED灯点亮，当Ug输入低电平时，Ug-Us<Vgs,mos管截至，电流没有形成完整回路，LED灯熄灭。

五、光耦元件

5.1.什么是光耦

光耦合器（optical coupler，英文缩写为OC）亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。它是以光为媒介来传输电信号的器件，通常把发光器（红外线发光二极管LED）与受光器（光敏半导体管）封装在同一管壳内。

光耦对输入、输出电信号有良好的隔离作用，所以，它在各种电路中得到广泛的应用。目前它已成为种类最多、用途最广的光电器件之一。

5.2.工作原理

当输入端加电信号时发光器发出光线，受光器接收光线之后就产生电流，从输出端流出，从而实现“电—光—电”控制。

5.3.光耦作用

1.光耦在传输信号的能有效地抑制尖脉冲和各种杂波干扰。
2.信号单向传输,输入端与输出端完全实现了电气隔离,输出信号对输入端无影响,抗干扰能力强。
3.进入到光耦输入端的杂波电压比较小,只能形成很微弱的电流,没有足够的能量使二极管发光,从而不会影响输出。
4.光耦的输入回路与输出回路之间没有电气联接,也没有共地；之间的分布电容极小。而绝缘电阻又很大。因此回路一边的各种干抗杂波都很难通过光耦传送到另一边去,避免了共阻抗耦合的干扰信号的产生。
5.光耦起到很好的安全保护作用,即使当外部设备出现故障,或者输入信号线短接时,也不会影响另一设备，同时光的输入回路和输出回路之间可以承受几干伏的高压。

5.4.重要参数

光耦的主要参数有：①最大额定正向电流②最大额定峰值电流③反向电压④最大输出电压⑤最大隔离电压⑥上升时间/下降时间⑦电流传输比CTR

以EL817为例

最大输入正向电流If不能超过60mA，最大峰值电流不能超过1A,反向输入电压Vr不能超过6V,最大输出电压Vce不能超过35V,最大隔离电压Viso为5000Vrms

上升时间Tr和下降时间Tf最多18us，电流传输比CTR为50%~600%。
其中,上升/下降时间和电流传输比CTR极为重要。

5.5.上升/下降时间

我们在使用光耦时，输出电压的波形不是突然就上升和下降的，需要一个过程，我们输出波形的周期最少要大于Tr和Tf之和。
并且，光耦的传输速率取决到工作条件和负载，具体情况需要参考图表。

虽然可以由图表得知光耦的传输速率，但是还是比较推荐用示波器测出来，这样能观察到波形是否正常。

5.6.电流传输比CTR

电流传输比是光耦使用中很重要的一个参数，一般我们在设计电路时，都要利用这个参数来反推中几个电阻数值，如果忽略了CTR时很容易导致光耦不能正常工作。
而且，CTR还受其他因素的影响。

光耦CTR我们可以直接从数值查找出来，我们以EL817的为例分析一下

这里EL817的CTR为50%~600%，这CTR数值真不靠谱哈，范围这么大

假设我们这里VCC_In为3.3V，VCC为5V，电阻RL为5.1kΩ，我们该怎么得到输入侧电阻Rin的大小呢？

Vcc=5V,Rl=5.1KΩ，通过产品手册我们可以查到副边三极管的压降典型值为0.1V，最大为0.2V，这里我们选取最大值来计算。

我们可以得到副边电流Ic=(Vcc-0.2)/Rl=0.94mA
这里由于光耦要工作在饱和工作区间，这里我们CTR选择最小倍数，如果选取最大倍数的话由于产品一致性问题的话可能会造成重大问题,因为不是所有的都能放大600%，但是最少都能超过50%，所以我们这里选取最小倍数50%。
根据光耦可导通需求：Ic≤If × CTR 可以得到 If ≥ 1.88mA
然后我们再通过产品手册可以得到原边二极管的压降差Vf典型值为1.2V，最大为1.4V，这里压降差我们都往大了选，选1.4V。

由此我们便可以确定原边限流电阻Rin=(VCC_In-Vf) / If ＝1kΩ，即RL阻值的大小不能超过1KΩ。
正常如果做产品的话我们还要考虑温度和寿命这些因素，但是我这里主要简单介绍而已，如果你们有兴趣的话后续可以了解一下。

六、保险丝

保险丝(fuse)也被称为电流保险丝，IEC127标准将它定义为熔断体（fuse-link)。其主要是起过载保护作用。电路中正确安置保险丝，保险丝就会在电流异常升高到一定的高度和热度的时候，自身熔断切断电流，保护了电路安全运行。下面这玩意就是玻璃保险丝。

保险丝在电路中起到很重要的作用，当电路发生故障或异常时，伴随着电流不断升高，并且升高的电流有可能损坏电路中的某些重要器件，也有可能烧毁电路甚至造成火灾，这时候我们就可以通过保险丝来保护电路。

6.1.工作原理

当电流流过导体时，因导体内部存在一定的电阻，导体发热。且发热量遵循着这个公式：Q=I2RT；其中Q是发热量，I是流过导体的电流，R是导体的电阻，T是电流流过导体的时间；依此公式我们不难看出保险丝的简单的工作原理了。
当制作保险丝的材料及其形状确定了，其电阻R就相对确定了（若不考虑它的电阻温度系数）。当电流流过它时，它就会发热，随着时间的增加其发热量也在增加。
电流与电阻的大小确定了产生热量的速度，保险丝的构造与其安装的状况确定了热量耗散的速度，若产生热量的速度小于热量耗散的速度时，保险丝是不会熔断的。若产生热量的速度等于热量耗散的速度时，在相当长的时间内它也不会熔断。若产生热量的速度大于热量耗散的速度时，那么产生的热量就会越来越多。
又因为它有一定比热及质量，其热量的增加就表现在温度的升高上，当温度升高到保险丝的熔点以上时保险丝就发生了熔断。这就是保险丝的工作原理。

6.2.参数详情

这里我们直接来看这款产品的数据手册，有实际数据能够分析得更清楚点。

1.熔断特性
保险丝根据熔断时间可分为慢速保险丝(一般用T表示)、特慢速保险丝(一般用TT 表示)、中速保险丝(一般用M表示)、快速保险丝(一般用F表示)、特快速保险丝(一般用FF表示)。
有些产品会在产品型号中标记熔断速度，有些不会，需要自己根据产品的详细数据才能判断出来，像上图这个就有直接标出来，这里的T就代表了慢速保险丝。

快熔断表示当电流超过额定电流时保险丝迅速熔断，达到保护效果；
慢熔断表示电流达到额定电流后会保持一段时间后才熔断，慢熔断熔断时间更多与电流流经保险丝后产生的热量有关。

2.额定电流
保险丝的额定电流是指它的公称额定电流, 通常就是电路能够工作的最大电流值，额定电流还和熔断特性有关，快熔断和慢熔断下的额定电流工作形式不同。

我们在选择保险丝的额定电流时，我们需要先确定电路的工作额定电流Ia，一般我们选取Ia/0.75就是我们保险丝的额定电流，
比如我们电路工作的额定电流为1.5A，那我们正常选取的保险丝额定电流应该在1.5/0.75A=2A附近的保险丝。

3.额定电压
保险丝的额定电压是指它的公称额定电压, 通常就是保险丝断开后能够承受的最大电压值保险丝通电时两端所承受的电压大大小于其额定电压，因此额定电压基本上无关紧要。

4.电流时间曲线

保险丝的时间电流曲线很重要，它表明了保险丝在不同负载电流的情况下熔断的时间范围，比如20T-0500H/L这款保险丝，他的额定电流为500mA，当流经800mA的时候他能维持大概10s，但是流经700mA时我可以维持大概120s。
5.熔化热能值——I2T
熔化热能值指保险丝完全熔断所需的能量，它是使保险丝在 8ms 或更短的时间内断开时其对应的电流之平方与熔断时间之乘积，限制时间在 8ms 以内是使熔丝产生的热量全部用来熔断而来不及散热。它对于每一种不同的熔丝部件来说是个常量，它是熔丝本身的一个参数，由熔丝的设计所决定。

6.分断能力
分断能力是保险丝最重要的安全指标，它表明了在规定的电压下, 保险丝能安全地切断的最大电流。
当流经保险丝的电流相当大以至短路的时侯，仍要求保险丝能安全分断电路，且不带来任何破坏性，当超过额定分断电流值时, 保险丝有可能出现破碎，爆炸，喷溅，引起周围人身或其他元器件的燃烧和破坏等不安全现象。
一般来说低分断能力的大部分为玻璃壳体，高分断保险丝通常有陶瓷壳体，一般电源输入电路都要采用高分断能力的保险丝，二次回路可以采用低分断保险丝。

如图，20T-0500H/L这款保险丝的分断电流为30A，当你流经保险丝的电流超过30A，保险丝有可能出现破碎，爆炸，喷溅等不安全现象。

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总结

好了，以上就是这两天学到的内容，希望各位大佬能够多多指正本菜鸡文章中的问题，上面有一些是借鉴其他大佬的博客的，感谢各位大佬。