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简介:
MP2315 是一款内置内部功率 MOSFET 的高频同步整流降压开关模式变换器。可在宽输入范围内实现 3A 的连续输出电流,并具有出色的负载和线路调节能力。MP2315 采用同步工作模式,可在输出电流负载范围内实现更高的效率。电流模式操作提供快速瞬态响应,并简化环路稳定。全面保护功能包括 OCP 和热关断。MP2315 最大限度地减少了现有标准外部元器件的使用,采用节省空间的 8 引脚 TSOT23 封装。
特点:
4.5V 至 24V 宽工作输入电压范围
3A 负载电流
90mΩ/40mΩ 低导通阻通内部功率 MOSFET
低静态电流
高效率同步模式操作
500kHz 固定开关频率
200kHz 至 2MHz 外部时钟频率同步
AAM 省电模式
内部软启动
OCP 保护
热关断
输出可从 0.8V 调节
采用 8 引脚 TSOT-23 封装
应用:笔记本电脑系统和 I/O 电源,数字机顶盒,平板电视和显示器
典型应用:
引脚功能:
运行:
MP2315 是一款内置内置功率 MOSFET 的高频同步整流降压开关模式变换器。它提供了一个非常紧凑的解决方案,可在宽输入范围内实现 3A 的连续输出电流,并具有出色的负载和线性调整率。MP2315 在固定频率、峰值电流控制模式下工作,以调节输出电压。PWM周期由内部时钟启动。集成的高侧功率MOSFET导通并保持导通状态,直到其电流达到COMP电压设定的值。当电源开关关闭时,它会保持关闭状态,直到下一个时钟周期开始。如果在一个PWM周期的95%中,功率MOSFET中的电流未达到COMP设定的电流值,则功率MOSFET将被迫关断。
内部调节器:
内部稳压器大多数内部电路由 5V 内部稳压器供电。该稳压器采用 VIN 输入,并在整个 VIN 范围内工作。当VIN大于5.0V时,稳压器的输出处于完全稳压状态。当VIN低于5.0V时,输出会降低,因此需要一个0.1uF陶瓷电容用于去耦。
误差放大器:
误差放大器将FB引脚电压与内部0.8V基准电压(REF)进行比较,并输出COMP电压,用于控制功率MOSFET电流。优化的内部补偿网络最大限度地减少了外部组件数量,并简化了控制环路设计。
AAM :
MP2315 具有 AAM(高级异步调制)省电模式,适用于轻负载。将 AAM 引脚的电阻器连接到 GND 以设置 AAM 电压。在重载条件下,VCOMP高于VAAM。当时钟变为高电平时,高侧功率MOSFET导通并保持导通状态,直到VILsense达到COMP电压设定的值。每次 VCOMP 高于 VAAM 时,内部时钟都会复位。在轻负载条件下,VCOMP值较低。当 VCOMP 小于 VAAM 且 VFB 小于 VREF 时,VCOMP 会逐渐增加,直到超过 VAAM。在此期间,内部时钟被阻塞,因此 MP2315 在 PFM(脉冲频率调制)模式下会跳过一些脉冲,从而实现轻负载省电。
启用/同步控制:
EN 是一个数字控制引脚,用于打开和关闭稳压器。将 EN 驱动为高电平以打开调节器,将其驱动为低电平以将其关闭。从EN到GND有一个内部1MEG电阻,因此EN可以浮动以关断芯片。此外,EN引脚电压被内部齐纳二极管箝位至6.5V左右。请在 VIN 和 EN 之间使用足够大的上拉电阻连接,以限制 EN 输入电流,该电流应小于 100uA。通常,大约 100k 电阻器应该足够大,适合所有应用。在设定输出电压后2ms,该芯片可通过该引脚同步至200kHz至2MHz的外部时钟范围,内部时钟上升沿与外部时钟上升沿同步。EN同步逻辑高压应高于2V。 EN同步逻辑低电压应低于400mV。EN逻辑高脉冲宽度必须小于1.6μs。否则,内部时钟可能会再次导通高侧MOSFET。EN 逻辑低脉冲宽度必须小于 6μs,否则 MP2315 可能会 EN 关断。
欠压锁定 (UVLO):
欠压锁定 (UVLO) 实施欠压锁定 (UVLO) 可防止芯片在电源电压不足的情况下工作。MP2315 UVLO 比较器用于监控内部稳压器 VCC 的输出电压。UVLO上升阈值为约3.9V,而其下降阈值始终为3.25V。
内部软起动:
内部软启动 软启动的实现是为了防止转换器输出电压在启动过程中过冲。当芯片启动时,内部电路产生一个软启动电压 (SS),从 0V 上升。软启动周期持续到软启动电容器上的电压超过基准电压 0.8V。此时,基准电压接管。软启动时间在内部设置为1.5ms左右。
过流保护:
当电感电流峰值超过设定的限流阈值时,MP2315 具有逐周期电流限制。同时,输出电压开始下降,直到 FB 低于欠压 (UV) 阈值,通常比基准电压低 50%。触发 UV 后,MP2315 将进入保护模式,定期重启器件。当输出对地短路时,这种保护模式特别有用。大大降低了平均短路电流,以缓解热问题并保护稳压器。MP2315 在消除过流情况后退出保护模式。
热关断:
实现热关断是为了防止芯片在极高温度下工作。当硅芯片温度高于150°C时,它会关闭整个芯片。当温度低于其下限阈值(通常为130°C)时,芯片将再次启用。