类型特点 | SRAM | DRAM |
---|---|---|
存储信息 | 双稳态触发器 | 栅极电容 |
破坏性读出 | 否 | 是 |
读出数据需要重写 | 否 | 是 |
运行速度 | 快(常用于制作Cache) | 慢(用于制作主存) |
集成度 | 低 | 高 |
发热量 | 高 | 低 |
成本 | 高 | 低 |
制造成本 | 高 | 低 |
断电后信息消失 | 是 | 是 |
是否需要刷新 | 不需要 | 需要(电容的流失 1-0) |
送行列地址 | 同时送 | 分两次送(减少引脚数 |
DRAM:
类型特点 | SRAM | DRAM |
---|---|---|
存储信息 | 双稳态触发器 | 栅极电容 |
破坏性读出 | 否 | 是 |
读出数据需要重写 | 否 | 是 |
运行速度 | 快(常用于制作Cache) | 慢(用于制作主存) |
集成度 | 低 | 高 |
发热量 | 高 | 低 |
成本 | 高 | 低 |
制造成本 | 高 | 低 |
断电后信息消失 | 是 | 是 |
是否需要刷新 | 不需要 | 需要(电容的流失 1-0) |
送行列地址 | 同时送 | 分两次送(减少引脚数 |
DRAM: