IR压降是一种出现在芯片电源网络上电压下降的一种现象,随着半导体工艺的演进,金属互连线的宽度越来越窄,导致它的电阻值上升,所以在整个芯片范围内将存在一定程度的IR drop。 SoC设计中的每一个逻辑门单元的电流都会对设计中的其他逻辑门单元造成不同程度的IR drop。 如果连接到金属连线上的逻辑门单元同时有翻转动作,那么因此而导致的IR drop将会很大。如果芯片中的IR drop过大,则stdcel就有功能障碍. 具体来说是怎么导致gate延迟增加的呢,可以理解为电压减少,电流减少,对器件的充放电变慢,开关速度变慢,同时skew也变大,还会引起时序违例问题
那么怎么修复呢?
从本质理解 就是电流和电阻的变化导致导线分压所引起的问题,套公式秒了。
1、可以在有IR drop的地方添加stripe;
2、添加decap cell;decap cell (电源的Power和Ground之间接入一个适当大小的capacitor,利用capacitor的通交流阻直流的特性,可以平缓电源电压的波动),decap Cell的内部实现很显然就是一个连接Power和Ground的capacitor;
3、减少负载;本质上还是减少电流,别让电压降的太厉害。