innovus PPPR阶段

一、什么是电源规划

Power Plan Power Routing 目的是给芯片设计一个均匀的供电网络，

芯片供电是通过I /O 单元来实现的，在做电源规划和电源网络设计时，首先要做电源预算（power budgeting），商用产品惯例认为总的误差应当控制在5%之内。它包括从电源网络和PCB板级到封装bonding之间的波动（约为1%)，再到电源I /O 单元和电源环之间的波动(约为1%)和最终直至标准单元之间的电压降(约为3% ) 。更准确的预算则通过功耗分析的手段来做定量计算。

保证充足供电 ：连接性、考虑电压降效应IR

数字后端基础知识：IR

保证电压稳定性 ：鲁棒性、考虑电迁移效应EM

数字后端基础知识：EM

满足设计规则 ： DRC clean

节约布线空间 ： 考虑宽度、数目、层数

二、电源规划基础概念

1.power term 单元电源引脚名称 （lef /lib）

   power net 芯片供电线名称 （自取）

2.电源线、地线的负载包括以下

• stand cell power/ground引脚Hard IP
• power/ground引脚
• IO cell power/ground引脚
• power/ground bump
• 信号线 Tie high/low

3.

• PowerRing 链接IO与core单元，为了将外部供电导入内部，为了保证均匀供电，可以单独为IP或划定的区域提供电源环
• PowerStrip 金属层间的电流链接桥梁，目的是平均电流，边界要与Power Ring链接
• FollowPin 链接标准单元于电源网络                        standed 的shape分为Abutment和Feedthrough分别对应的是 可以之间链接金属线的类型和本身自带金属线的类型

4.

• PowerPlan： Add Ring、Stripe命令是（addRing、addStripe）
• PowerRoute：Connect Power/Ground Term to PG Nets 命令（sroute）

5.如何确定Ring所在的金属层等信息

• 金属层：根据Foundry推荐 一般是最顶两层，要去掉RDL层 该层是用于链接bump的 一般叫APRA层 高层金属宽度大 电阻小 所以选用高层
• 宽度：根据芯片峰值电流 金属层电流密度计算得出 
• 间距：满足DRC约束 一般采用最小间距的2-4倍 为了产生隔离 对SI信号完整性有好处           

6.如何确定strip的信息

• 金属层；根据Foundry推荐 一般采用，在FlowPin层及其上一层设置垂直strip，以及PowerRing存在的两层加strip。
• 宽度：Pitch整数倍，一般是2~4倍
• 间距：满足DRC约束，最小间距

   电源环的间距可以通过尽量减小电源环之间的间距，从而增大电源环的耦合电容，从而起到过滤电源噪声的作用。

   除以上两个参数外，在芯片的制造过程中,一般宽线需要打孔散热，所以厂家会制定宽线的规则。一般情况下，希望单个电源环的宽度不要超过厂家规定的宽线规则，从而避免打孔，打孔在芯片设计中又称为slotting，更好的办法是用splitting。电源环的对数n 由芯片的面积、厂家的设计规则、金属的层数等多种因素决定。当金属的层数较多时，可以选用多层金属布置

 三、电源规划流程

• 电源线定义 ： 命令（set init_pwr_net 'VDD VDDS')
• 逻辑链接 ： （网表、UPF、globalNetConnect）
• Power/Ground IO Place、Bump Assign
• Core Ring设计
• Block、IP、PowerDomain Ring 设计
• Strip 设计
• PowerRoute
  • PadPin、Bump
  • Hard IP Pin
  • Standard Cell Pin

 四、电源规划和电源完整性

• IR drop ：电压降，由于电源网络的即产生参数存在，导致芯片内部节点电压低于IO/Bump电压，内部节点地电压高于0（地弹效应）
  • 原因IO、Bump不足；Stripe宽度、数目不足；电源线通孔不足；局部单元反转率过大；PowerSwitch覆盖了
• EM：电迁移，大电流导致金属线断裂
  • 原因：金属线宽度不足，通孔面积不足 
• 修复：
  • 早期分析：Floorplan之后，时钟树综合之后，Signoff分析
  • 修复：修改电源网络，增加Decap，修改局部单元摆放。 

 五、电源规划与时序

•     IR drop
  • 影响单元延时，造成setup、hold违例
  • 降低噪声容限
• 修复
  • 保证IR drop阈值，设定合理signoff corner 

六、Hard IP电源规划 

• 模拟IP电源规划
  • 布局：摆放在core角落，为防止数字电路高反转率的影响要与数字电路进行隔离保护隔离环（guarding ring），并且与相关的IO近距离摆放。
  • 电源：单独供电，尽量缩短金属线长度，放置保护环。
• 数字IP电源规划
  • 布局：参考spec，有些需要特殊处理
  • 电源：M+1层strip链接，充分链接 
• 数模信号模块的放置。模拟PLL和模拟信号模块处于芯片的右下角，右下角的I /O 单元均为模拟信号用的信号端口，在PLL和模拟信号模块的周围放置的都是低频信号模块，以避免数字信号跳变对模拟信号的影响。
• 数模信号模块的供电。模拟PLL和模拟信号模块均分别具有数字供电和模拟供电两部分组成，其中模拟供电在内部，数字供电在外部，两个模块之间的模拟供电环是相通的，在外围的数字供电部分与芯片的数字供电部分相联合，在其底下加上保护环（guarding ring）用以隔离。在有些设计中，在条件允许的情况下或者严格要求下，既具有模拟供电也具有数字供电的模拟单元，数字供电部分也需要单独供电，并与核内的其他数字供电部分保持隔离。
• 数模信号模块中的电源环。电源环设计可以采用多层金属完成，从而节约电源环的宽度，降低电源环所占据的芯片面积。数模信号模块中的电源环分别处理，相互独立。
• 数模信号模块中的电源网格。数模信号模块中的电源网格设计采用高层金属完成布线，在高频区域，电源网格较为密集，而在低频区域电源网格较为稀疏。
• 数模信号模块中的电源设计方案。在整个芯片中，模块的电源设计部分采用了自上而下和自下而上的两种设计过程，这是模块电源的典型设计方法。 

七、多电压域电源规划 

• 电源关断供电网络
  • Power Plan：Primary Power Net、Secondary（Back up）Power Net
  • Power Switch:Backup power term链接
• 多电压域供电网络
  • Secondary Power Net布局
  • 选择合适的Shifter，isolation
  • 尽量减少Always On Buffer 

电平转换单元（VLS，voltage level shifter）

1. 读入相应的电平转换单元表。
2. 在内部电压域网络上插入电平转换单元。

当设计中存在被关闭的电压域，为了不使关闭区域与非关闭区域相互影响，必须在所有的接口处添加隔离单元（isolation cell），并要:①检查出所有需要添加隔离网络的信号端口 ；②在相应的接口信号处添加隔离单元。  

 

八、MCU电源规划 

• Power Nets
  • VDD/VSS：主电源
  • VDDS：关断domain电源（HEAD16_A12TR40）
  • AVDD_PLL/AVSS_PLL:PLL电源
  • VDD_ADC/VSS_ADC:ADC电源
• 电源结构
  • Ring：Core、PD_SHUT (TM1\TM2)
  • Block Ring:PLL ADC(TM2\TM1)
  • Stripe:TM2、TM1、M6、M5
  • Rail：M2 

名词解释

鲁棒性：鲁棒是Robust的音译，也就是健壮和强壮的意思。它是在异常和危险情况下系统生存的能力。

地弹效应： 地弹，一般对IC而言。因为芯片内部的“电路地”和芯片的“地引脚”实际上是用一根很细很细的金线连接起来的，所以这个金线电感较大，所以可能会导致芯片内部电路的地和现实PCB的地有强烈的“电压差波动”——很强的地弹现象！所以数字芯片电源端一般要得接一个电源去耦电容（decap cell）。

PLL：锁相环（Phase-Locked Loop，PLL）是一种电子电路，常用于时钟生成、频率合成、信号恢复、频率调制解调和频率多路复用等应用中。