工作中最近用到了MOSFET作为开关，紧急突击学习了下。这篇可能是全网最白话的mosfet知识了~~如果有帮到你，请点赞或者收藏~
目录
1. 认识mosfet
MOSFET在我工作的使用中是作为单向开关来使用的，也就是说可以控制电流在一个方向的通断，可以把它理解为一个开关和一个二极管并联，开关不闭合的话，二极管只有一个方向可以导通；开关闭合的话，就是双向导通了。
如果把两个mosfet背靠背串联起来，就可以控制电路的单向通断了。
2. mosfet工作原理
mosfet分为N沟道和P沟道两种。我们先看下如何区分他们。首先，MOSFET有三个极，G极（栅极），S级（源极）和D极（漏极）。G极肯定是最好认的了，就是单独的那一个。S极就是有两条线相交的那一边。最后一个就是D极了。如果两条线中中间的那条有向内指的箭头，就是N沟道的，反之，有向外指的箭头就是P沟道的。
那么刚刚提到的并联的二极管呢？它叫做体二极管或者寄生二极管或者在英文的data sheet中叫做reverse diode，有时不会体现在符号上。对于N沟道的MOSFET，体二极管是由S导通到D的。
下面主要说说N沟道的MOSFET，因为我用的就是这个，哈哈哈，懒得学别的了。N-channel mosfet接入的方式是D极接输入，S极接输出。当G极电压高于S极电压一定值后，D到S就导通了。如果不满足这个条件的话，D到S是不导通的，但是S到D可以通过体二极管导通，因为通过了一个二极管，随之也会产生零点几V的压降。
如果只是工作中用的话，主要还是要能理解data sheet中的参数。但是在学习时，我还是把原理又学了学。
首先回忆一下PN结的知识吧（让我引用下百度百科部分内容）
N型半导体（N为Negative的字头，由于电子带负电荷而得此名）：本征半导体（硅或锗）掺入少量五价元素杂质磷元素（或锑元素）。N型半导体就成为了含电子浓度较高的半导体，其导电性主要是因为自由电子导电。
P型半导体（P为Positive的字头，由于空穴带正电而得此名）： 本征半导体（硅或锗）掺入少量三价元素硼元素（或铟元素），由于半导体原子（如硅原子）被杂质原子取代，硼原子外层的三个外层电子与周围的半导体原子形成共价键的时候，会产生一个“空穴”，这个空穴可能吸引束缚电子来“填充”，使得硼原子成为带负电的离子。这样，这类半导体由于含有较高浓度的“空穴”（“相当于”正电荷），成为能够导电的物质。
在P型半导体和N型半导体结合后，由于N型区内自由电子为多子，空穴几乎为零称为少子，而P型区内空穴为多子，自由电子为少子，在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差。由于自由电子和空穴浓度差的原因，有一些电子从N型区向P型区扩散，也有一些空穴要从P型区向N型区扩散。它们扩散的结果就使P区一边失去空穴，留下了带负电的杂质离子，N区一边失去电子，留下了带正电的杂质离子。开路中半导体中的离子不能任意移动，因此不参与导电。这些不能移动的带电粒子在P和N区交界面附近，形成了一个空间电荷区，空间电荷区的薄厚和掺杂物浓度有关。
在空间电荷区形成后，由于正负电荷之间的相互作用，在空间电荷区形成了内电场，其方向是从带正电的N区指向带负电的P区。显然，这个电场的方向与载流子扩散运动的方向相反，阻止扩散。
另一方面，这个电场将使N区的少数载流子空穴向P区漂移，使P区的少数载流子电子向N区漂移，漂移运动的方向正好与扩散运动的方向相反。从N区漂移到P区的空穴补充了原来交界面上P区所失去的空穴，从P区漂移到N区的电子补充了原来交界面上N区所失去的电子，这就使空间电荷减少，内电场减弱。因此，漂移运动的结果是使空间电荷区变窄，扩散运动加强。
最后，多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。在P型半导体和N型半导体的结合面两侧，留下离子薄层，这个离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。PN结的内电场方向由N区指向P区。在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称耗尽层。
从PN结的形成原理可以看出，要想让PN结导通形成电流，必须消除其空间电荷区的内部电场的阻力。很显然，给它加一个反方向的更大的电场，即P区接外加电源的正极，N区接负极，就可以抵消其内部自建电场，使载流子可以继续运动，从而形成线性的正向电流。
终于讲到MOSFET了。N沟道MOSFET是由2个N型半导体和1个P型半导体构成的，P沟道呢则是2个P型半导体和1个N型半导体构成的。体二极管是由于工艺形成的，具体为啥我也不清楚了。而且在这里我有一个疑惑，S极和D极好像是完全对称的，我们如何区分他们呢？有知道的高手麻烦解答下~
当G极加上一定的电压时，就会在G极和P型半导体之间形成电场，会把P型半导体的空穴向反方向推，可以想象成两个N极就可以连在一起，形成通路。所以这也是它叫做FET的原因，场效应管（FET）是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。
4. 失效模式
- MOSFET的失效模式有6种：参考了下面两篇文章。mos管失效模式分析-MOS管失效的几大原因总结及详解-KIA MOS管https://view.inews.qq.com/a/2210825A01WWJ00
1）雪崩
如果在漏极D-源极S间外加超出器件额定DSS的电涌电压，而且达到击穿电压V(BR)DSS （根据击穿电流其值不同），并超出一定的能量后就发生破坏的现象。
雪崩失效的预防措施
雪崩失效归根结底是电压失效，因此预防我们着重从电压来考虑。具体可以参考以下的方式来处理。
1：合理降额使用，目前行业内的降额一般选取80%-95%的降额，具体情况根据企业的保修条款及电路关注点进行选取。
2：合理的变压器反射电压。
3：合理的RCD及TVS吸收电路设计。
4：大电流布线尽量采用粗、短的布局结构，尽量减少布线寄生电感。
5：选择合理的栅极电阻Rg。
6：在大功率电源中，可以根据需要适当的加入RC减震或齐纳二极管进行吸收。
2）SOA（电流失效）
是指电源在运行时异常的大电流和电压同时叠加在MOSFET上面，造成瞬时局部发热而导致的破坏模式。或者是芯片与散热器及封装不能及时达到热平衡导致热积累，持续的发热使温度超过氧化层限制而导致的热击穿模式。
发热来源：由超出安全区域引起发热而导致的。发热的原因分为直流功率和瞬态功率两种。
直流功率原因：外加直流功率而导致的损耗引起的发热
●导通电阻RDS(on)损耗（高温时RDS(on)增大，导致一定电流下，功耗增加）
●由漏电流IDSS引起的损耗（和其他损耗相比极小）
瞬态功率原因：外加单触发脉冲
●负载短路
●开关损耗（接通、断开） *（与温度和工作频率是相关的）
●内置二极管的trr损耗（上下桥臂短路损耗）（与温度和工作频率是相关的）
预防措施：1. 确保在最差条件下，MOSFET的所有功率限制条件均在SOA限制线以内。2：将OCP功能一定要做精确细致。3. 降额使用
3）体二极管失效
4）谐振失效
在并联使用的过程中，栅极及电路寄生参数导致震荡引起的失效。
5）静电失效
在秋冬季节，由于人体及设备静电而导致的器件失效。
6）栅极电压失效
由于栅极遭受异常电压尖峰，而导致栅极栅氧层失效。
5. 看一份mosfet data sheet
了解了失效模式，才能对一些参数有更好的了解。
第一页肯定先介绍这个型号的mosfet最关键的参数，后面会分别介绍maximum rating, 热特性，电性能等等。这里我把我主要关注的几个参数做一下解释。
| 边界值 | |
| D极持续电流 | Id,max |
| D极峰值电流 | ID,Puls |
| GS极间最高电压 | UGS,max |
| 功耗（温度越高，导通电阻愈大；功耗包括导通和开关） | Ptot,max |
| 温度范围 | TJ,max |
| IAP,雪崩失效的电流， EAS 雪崩能量 | EAS |
| 热特性 | |
| 热阻,JC?bottom 结壳热阻(典型值，最大值) | Rth,JC,bottom |
| 热阻,JC?top结壳热阻(典型值，最大值) | Rth,JC,top |
| 热阻，JA，结环热阻(典型值，最大值) | Rth,JA |
| 静态特性 | |
| 击穿电压U(BR)DSS | U(BR)DSS min |
| UG-US(for N type)最小值（25℃，175℃） | UGSth,min |
| UG-US(for N type)最大值 （25℃，-40℃） | UGSth,max |
| Leakage current-DS（25℃，125℃）IDSS是指在当栅源G电压为零时，在特定的漏源电压下的漏源之间泄漏电流。 | IDSS max |
| Leakage current-GS （25℃）IGSS是指在特定的栅源电压情况下流过栅极的漏电流 | IGSS max |
| Channel resistance (导通电阻) 与温度呈正相关 | RDSon,max |
| 最大作业结温，一般是150~175℃ | |
| 动态特性 | |
| 输入电容（典型值，最大值）将漏源短接，用交流信号测得的栅极和源极之间的电容，Ciss = Cgs +Cgd | Ciss |
| 输出电容（典型值，最大值）将栅源短接，用交流信号测得的漏极和源极之间的电容Coss = Cds +Cgd | Coss |
| 反向传输电容（典型值，最大值）在源极接地的情况下，测得的漏极和栅极之间的电容为反向传输电容。反向传输电容等同于栅漏电容。Cres =Cgd | Crss |
| Total G charge=Qgs+Qgd （在下图可找到） | QG,tot |
| GS | QGS |
| GD | QGD |
| 体二极管的特性 | |
| Forward current （25℃） | IS max |
| Forward current 峰值（25℃） | IS Puls |
| Forward voltage（典型值和最大值） | USD |
| 二极管的反向恢复时间 （典型值，最大值） | trr |
| 二极管的反向恢复电量 | Qrr |
动态特性中的一些电容可以结合下图来理解。
5. 驱动mosfet
一般都有mosfet driver芯片可以直接使用，接口的话我们看一个NXP的mosfet driver, 可以网上自己看下data sheet。至少需要连接VCC, GND, G极，S极和输入输出。
2137
被折叠的 条评论
为什么被折叠?
到【灌水乐园】发言
