今天想来简单聊一聊DPT技术-double pattern technology,也就是双层掩模版技术,在目前先进工艺下,这项技术已经应用的很普遍了。
我们知道,在光刻的时候,需要制造出芯片各个层的掩模版mask。就像刻印章一样,掩模版上留下金属走线的路径,把掩模版盖在wafer上后,光照下来就只能照在wafer没有被盖住的空的地方,mask盖住的地方没有收到照射。用这种方法就相应能刻蚀出各个层的金属走线了。
这只是我一个大致的理解,具体的工艺流程肯定还要复杂的多,这里只是想快速回顾一下mask的作用。那么,什么是DPT呢?顾名思义,它就是说同一层金属会设置两个掩模版,mask1和mask2,在光刻的时候,两个掩模版轮番上阵,每一个掩模版只有大概一半的金属走线信息。为什么要这样做呢?因为在先进工艺节点下,光刻的分辨率也是有一定极限的,比如互相平行的两段金属线,他们之间的间距必须大于10纳米才可以被刻出来,但是我们在其他刻蚀步骤时可以支持到比如3纳米,如果全部都按照10纳米的间距来制造,就会有一定的面积被浪费掉。因此人们想了个办法,我们可以同时制作两个mask,两个mask互相偏移5nm,而每个mask还是按10nm的规则来做。这样的话,我们就可以在第0nm、第10nm、第20nm的位置用mask1来刻金属线,而在第5nm、第15nm、第25nm的位置用mask2来刻金属线。这样子,最终的结果就是我们可以得到间距最小为5nm的金属层