在20nm以下工艺中，由于金属线间距过小，采用双图案技术（DPT）来避免光刻干涉。DPT将一层mask拆分成两层，但如果在芯片设计中无法将金属线拆分成满足最小间距的两组，就会出现奇数周期（odd cycle）DRC错误。解决方法是增大金属线之间的间距。ICC2工具可以检测并修正此类问题，但大型环路可能需要手动修复。DPT常见于低层金属层，高绕线利用率会增加奇数周期错误概率。
在 20nm 以下的工艺中，由于相邻 metal wire 的间距太小，使得光刻过程中，相邻的光线间距过小，相互之间发生干涉，导致 metal wire 边缘模糊，出现瑕疵。
为了解决这个问题，先进工艺开始采用 double pattern（DPT），也称为 double mask，就是将原来的一层 mask 拆分成两层，在每一层 mask 中都不出现最小间距，才能保证制造不出现瑕疵，代价就是制造费用成倍增加，原来只需一层光罩的费用，现在需要两层。
图1. 拆分成两组 mask
相应地，在芯片物理设计过程中，需要确保每层metal 都可以拆分成两层 mask，如果出现无法拆分的情况，就会报 odd cycle drc
什么样的情况无法拆分？
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