TI DSP TMS320F280025 Note9.4：EPWM：死带发生器(DB)子模块

TMS320F280025 EPWM：死带发生器(DB)子模块

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ePWM内部的死带子模块如图

死带子模块的目的

动作限定符(AQ)模块部分讨论了AQ模块如何通过使用ePWM模块的CMPA和CMPB资源完全控制边缘放置来生成所需的死区。
但是，如果需要带极性控制的更经典的基于边缘延迟的死区，则必须使用这里描述的死区子模块。
死带模块的主要功能是:
•从单个EPWMxA输入产生适当的具有死带关系的信号对(EPWMxA和EPWMxB)
•对信号对进行编程，用于:
-高电平有源(AH)
-低电平有源(AL)
-高互补有源(AHC)
-低互补有源(ALC)
•增加上升沿可编程延迟(RED)
•增加下降沿可编程延迟(FED)
•可以完全绕过信号路径(注意图中的虚线)

死带子模块附加工作模式

在1型ePWM上，RED可以出现在一个通道输出上，FED可以出现在另一个通道输出上。
下面的列表显示了类型1和类型4模块在死带工作模式方面的明显区别:
•通过添加图中的S6, S7和S8, RED和FED可以同时出现在a通道和b通道输出上。此外，RED和FED可以一起应用于a通道或b通道输出，以允许b通道相对于a通道相移。

相对于使用死带子模块的a通道的移相b通道，额外的工作模式对于相对于ePWMxA和ePWMxB输出的工作占空比的RED和FED延迟的选择有限制。

•死带计数器也增加到14位
•死带和死带高分辨率寄存器现在被阴影化
•高分辨率死带RED和FED已使用DBREDHR和DBFEDHR寄存器N启用

当高分辨率死带启用时，PWM斩波器不启用。 高分辨率死带RED和FED需要半周期时钟模式(DBCTL[HALFCYCLE] = 1)。
ePWMxA和ePWMxB不能同时应用RED和FED。RED和FED一起只能应用于OutA或OutB。
相对于a通道的相移b通道:当PWMxB使用DEDB_MODE位从PWMxA导出时，通过相移量延迟上升沿和下降沿。当PWMxA的占空比小于这个相移量时，PWMxA的下降沿优先于PWMxB的延迟上升沿。确保应用于死带模块的电流波形的占空比值大于所需的相移量。
与Type 2 ePWM模块相比，ePWM模块的Type 4动作限定符和死带输出延迟了一个TBCLK周期，尽管Type 4的行为与Type
3 PWM相同。在任何情况下，PWMA和PWMB信号都有延迟。

Shadow Mode:
通过设置DBCTL[SHDWDBREDMODE]位来启用DBRED的影子模式，通过设置DBCTL[SHDWDBFEDMODE]位来启用DBFED的影子寄存器。默认情况下，DBRED和DBFED禁用阴影模式。如果影子寄存器启用，那么影子寄存器的内容将在下列事件之一上传输到活动寄存器，这些事件由DBCTL [LOADREDMODE]和DBCTL [LOADFEDMODE]寄存器位指定:
•CTR = PRD:等于周期的时基计数器(TBCTR = TBPRD)。
•CTR = 0:时基计数器等于零(TBCTR = 0x00)
•CTR = PRD和CTR = 0 DBCTL寄存器可以被遮蔽。
DBCTL的影子模式通过设置DBCTL2[SHDWDBCTLMODE]位来启用。如果影子寄存器被启用，那么影子寄存器的内容在以下事件之一上被转移到活动寄存器，由DBCTL2[LOADDBCTLMODE]寄存器位指定:
•CTR = PRD:计时计数器等于周期(TBCTR = TBPRD)
•CTR =零:计时计数器等于零(TBCTR = 0x00)
•CTR = PRD和CTR =零

在为DBRED和DBFED寄存器编程之前，应用软件必须在DBCTL[SHDWDBREDMODE]和DBCTL[SHDWDBFEDMODE]中启用影子加载模式。如果在对DBRED和DBFED寄存器进行编程后启用影子寄存器，则DBRED和DBFED寄存器将加载值为0的寄存器。

全局加载支持
全局加载控制机制也可以用于DBRED:DBREDHR, DBFED:DBFEDHR和DBCTL寄存器，通过在全局加载配置寄存器(GLDCFG)中配置适当的位。当选择全局加载模式时，将内容从影子寄存器传输到活动寄存器，对于启用此模式的所有寄存器，发生在与全局阴影到活动负载控制寄存器(GLDCTL)中的配置位定义的相同事件中。

当DBRED/DBFED激活时加载新的阴影值，而DB计数器正在计数时，新的DBRED/DBFED值仅影响NEXT
PWMx边缘，而不影响当前边缘。 当主动负载的全局阴影被设置为在CTR=
zero时，不能使用零的死带值。类似地，当主动负载的全局阴影被设置为发生在CTR=PRD时，不能使用PRD的死带值。
TBPRDHR不能与全局负载一起使用。如果必须在应用程序中更改高分辨率周期，用户必须从ePWM ISR
(ISR必须与PWM开关周期同步)写入单个周期寄存器，其中也写入全局负载一次性位。

死带子模块的操作亮点

死带子模块的配置选项如图所示。

尽管支持所有组合，但并非所有组合都是典型的使用模式。典型的死带配置如表17-9所示。这些模式假设DBCTL[IN_MODE]被配置为EPWMxA In是下降沿和上升沿延迟的源。增强型或非传统模式可以通过改变输入信号源来实现。表17-9所示的模式分为以下几类:
•模式1:旁路下降沿延迟(FED)和上升沿延迟(RED):允许用户从PWM信号路径完全禁用死带子模块。
•模式2-5:经典死带极性设置:这些代表了典型的极性配置，可以解决所有可用的工业电源开关栅极驱动器所需的高激活和低激活模式。这些典型情况的波形如图17-36所示。需要注意的是，要生成如图17-36所示的等效波形，需要配置动作限定子模块以生成EPWMxA所示的信号。
•模式6:旁路上升沿延迟(RED)和模式7:旁路下降沿延迟(FED):最后表17-9中的最后两个条目显示了绕过下降沿延迟(FED)或上升沿延迟(RED)块的组合。
0% <占空< 100%的典型波形如图17-36所示。

死带子模块支持独立的上升沿(RED)和下降沿(FED)延迟值。
使用DBRED和DBFED寄存器对延迟量进行编程。这些是10位寄存器，其值表示TBCLK(时基时钟)脉冲的数量，通过TBCLK脉冲，信号边缘被延迟。例如，下降沿延迟和上升沿延迟的计算公式为:
FED = DBFED × TTBCLK
RED = DBRED × TTBCLK
其中TTBCLK为EPWMCLK预标版TBCLK的周期。
为方便起见，表17-11显示了各种TBCLK选项的延迟值。计算这些延迟值的ePWM输入时钟频率为100MHz。

使能半周时钟时，下降沿延迟和上升沿延迟的计算公式为:
FED = DBFED × TTBCLK/2
RED = DBRED × TTBCLK/2

死区极性

输出模式

disable

polsel
极性选择控制位3控制S3开关，位2控制S2开关。
这允许你在一个延迟信号被发送出死带子模块之前有选择地反转它。以下描述对应于数字电机控制逆变器的一个分支中的经典上下开关控制。这些假设DBCTL[OUT_MODE] = 1,1和DBCTL[IN_MODE] = 0x0。其他增强模式也是可能的，但不被视为典型的使用模式。
00:主高(AH)模式。EPWMxA和EPWMxB都不是倒置的(默认)。
01: Active low complementary (ALC)模式。EPWMxA是倒置的。
10:活性高互补(AHC)。EPWMxB是反向的。
11: Active low (AL)模式。EPWMxA和EPWMxB都是反向

inmode
死带输入模式控制位5控制S5开关，位4控制S4开关。
这允许您选择输入源到下降沿和上升沿延迟。为了产生经典的死带波形，默认是EPWMxA，它是下降沿和上升沿延迟的源。
00: EPWMxA In(来自动作限定词)是下降沿和上升沿延迟的源。
01: EPWMxB In(来自动作限定符)是上升沿延迟信号的源。
EPWMxA In(来自动作限定符)是下降沿延迟信号的源。
10: EPWMxA In(来自动作限定符)是上升沿延迟信号的源。
EPWMxB In(来自动作限定符)是下降沿延迟信号的源。
11: EPWMxB In(来自动作限定词)是上升沿延迟和下降沿延迟信号的源。

outmode
死带输出模式控制位1控制S1开关，位0控制S0开关。
00: DBM完全禁用或旁路。在这种模式下，POLSEL和In - mode位没有作用。
01: Apath = InA (A信号路径的延迟被绕过)Bpath = FED (B信号路径的下降沿延迟)
10:Apath = RED (A信号路径的上升沿延迟)Bpath = InB (B信号路径的延迟被绕过)
11:DBM完全启用(即RED和FED都激活)
DB_DISABLE

Apath = InA (A信号路径的延迟被绕过)Bpath = FED (B信号路径的下降沿延迟)

Apath = InA (A信号路径的延迟被绕过)Bpath = FED (B信号路径的下降沿延迟)

DBM完全启用(即RED和FED都激活)

输入模式

DBA_ALL

DBB_RED_DBA_FED

DBA_RED_DBB_FED

DBB_ALL

极性POLSEL

DB_ACTV_HI

DB_ACTV_LOC

DB_ACTV_HIC

DB_ACTV_LO