永磁同步电机矢量控制

前言

永磁同步电机矢量控制可用在高性能伺服电机或电动汽车上，可实现电机精准的电流转矩控制，在弱磁条件下可提高电机的转速范围，尤其适用于电动汽车驱动电机转速范围广的要求。同时可实现快速的动态响应。但缺点就是矢量控制涉及对三相电流的变换重构，加上SVPWM调制输出，在软件层面更为复杂，运算量大，同时三相电流的采样需要很高的频率才能发挥出矢量控制的优势，所以需要很高的电流控制频率。总而言之，矢量控制运算量大，需要使用主频较高的控制芯片。如果使用无感方案（即无角度传感器，使用观测器观测电机电角度）算法层面更为复杂。下面主要介绍有感方案的矢量控制。

算法核心

将采样得到的三相电流通过Clarke变换和Park变换可得到同步旋转坐标系下电机的d-q轴电流，d轴为直轴（即与电机转子主磁通方向重合的轴）也是励磁轴，通过控制d轴电流可改变励磁磁场大小，一般用来实现最大转矩-电流比控制，也可作为弱磁控制实现额定转速以上的转速控制。q轴为交轴（即与电机转子主磁通方向垂直的轴）也是转矩轴，可通过控制q轴电流改变转矩大小，简单理解电机输出转矩与q轴电流与d轴磁场成正比。但是我们能控制的是三项逆变器开关管的通断（就是我们只能控制线电压的大小），无法直接控制三相电流，所以我们需要引入反馈控制，将实际的d-q轴电流计算出来，通过PID控制器计算生成目标的d-q轴电压，再进行SVPWM调制生成控制开关管的PWM信号，从而实现d-q轴电流的控制。至于更外环的转速控制，在id=0的控制策略下，就是通过PID控制器计算得到目标的交轴电流目标值（即iq_ref）。在不同的策略下交直轴电流的目标值获取有所不同。

电流采样

从上面的介绍不难看出，矢量控制的核心或者说前提就是三相电流的采样，关于这一部分，软件和硬件设计上都有相应需要注意的地方。硬件上，对于采样电阻的选取需要考虑到实际电机工作的电流范围，同样的后级偏置放大电路的放大倍数要与单片机的ADC采样范围相一致，另外，硬件上的滤波也十分重要，对于电流的采样，信号的质量直接影响我们控制的质量，所以需要在硬件层面就搭建低通滤波器。软件上，以使用STM32单片机开发矢量控制器为例，核心就是确定ADC执行采样的时机，对于常用的三相下桥臂采样方案，就需要在下桥导通的中间时刻进行采样，并且选择导通时间长的两相进行采样保证采样的正确（因为ADC采样是要时间的，采样窗口，如果遇到导通时间过短，来不及采样，那么就会有采样错误）。这在STM32单片机上是比较容易实现的，对于其高级定时器，可输出6路两两互补的PWM进行开关管的控制，定时器的通道四就可以用来配置成ADC触发的中断源，实现采样时机的控制。

SVPWM空间矢量脉宽调制算法

该算法的功能就是将我们的目标d-q轴电压转换为6路PWM的占空比。算法的步骤主要分：

扇区判断：通过重构的三相电流（直角坐标系下的alpha-beta轴电压）判断目标电压矢量所在扇区

矢量作用时间计算：用上述确定的扇区相邻的电压矢量进行合成目标电压矢量，确定相邻电压矢量的作用时间，再转换为三相逆变器的导通时间（即PWM占空比）。

---

由公式：,逆变器调制输出的电压频率与电机的转速和极对数有关，目标转速越高，逆变器调制输出的电压频率就越高，如果固定开关管的通断频率，那么当转速越高时，电压调制波形失真越严重。

在逆变器设计中，开关频率与输出电源频率的系数是一个重要的参数，它影响着逆变器的性能，包括输出电压的质量、电磁干扰（EMI）以及逆变器的效率。开关频率通常远高于输出电源频率，这个比例系数（也称为开关频率与基波频率的比值）对逆变器的设计和性能有重要影响。

1. 输出电压质量：开关频率越高，逆变器输出电压的谐波含量越低，从而可以提高输出电压的质量。这是因为高频开关可以更精细地控制逆变器的输出，减少电压波动和谐波失真。

2. 电磁干扰（EMI）：开关频率的提高可能会增加逆变器的EMI问题，因为高频开关会产生更多的高频噪声。因此，需要设计合适的滤波器和屏蔽措施来控制EMI。

3. 逆变器效率：开关频率的提高通常会导致开关损耗增加，这可能会降低逆变器的效率。因此，需要在提高输出电压质量和保持高效率之间找到平衡。

4. 器件选择：开关频率的确定还需要考虑使用的功率器件的特性，如IGBT、MOSFET等。这些器件的开关速度和耐压等级会影响能够实现的开关频率。

5. 热管理：高开关频率可能会增加逆变器的热损耗，因此需要有效的热管理措施来保持逆变器的温度在安全范围内。

在实际设计中，开关频率通常是输出电源频率的几倍到几十倍。例如，如果输出电源频率是50Hz或60Hz，开关频率可能选择在几千Hz到几十kHz的范围内。这个比例系数需要根据具体的应用需求、器件特性和系统要求来确定。

根据德州仪器的参考设计文档，一个电压源逆变器参考设计中，开关频率设定为20kHz，而输出电源频率可以是60Hz或50Hz，这表明开关频率与输出电源频率的系数至少为20kHz/60Hz≈333.33，或20kHz/50Hz=400。这个例子说明了在设计逆变器时，开关频率可以显著高于输出电源频率，以确保输出电压的质量并控制EMI。

在电机驱动应用中，半桥MOSFET的压摆率（Slew Rate 其实是一个衡量放大器或者模拟电路性能的参数，在电机驱动中借用这个概念）配置是一个关键因素，它直接影响系统的性能、效率和可靠性。以下是一些关于如何配置半桥MOSFET压摆率的建议：

1. 理解压摆率的重要性
   • 压摆率是指MOSFET输出电压每单位时间变化的最大值，通常表示为V/μs。在电机驱动应用中，压摆率直接影响MOSFET的开关速度和系统的EMI（电磁干扰）水平。
2. 考虑开关频率和负载特性
   • 在电机驱动中，MOSFET通常在PWM（脉冲宽度调制）模式下工作。开关频率越高，对压摆率的要求也越高，因为MOSFET需要在更短的时间内完成开关动作。
   • 负载特性（如电机的电感）和电路参数（如栅极电阻和电容）也会影响压摆率的选择。较高的电感会导致电压变化率降低，从而影响压摆率。
3. 平衡EMI和效率
   • 较高的压摆率可以加快开关速度，降低开关损耗，从而提高效率。然而，这也会增加EMI问题，因为快速的电压变化会产生较高的dV/dt，导致辐射和传导干扰。
   • 为了平衡EMI和效率，可能需要选择合适的压摆率，并在必要时采用EMI滤波措施。
4. 考虑驱动电路设计
   • 驱动电路的设计对MOSFET的压摆率有直接影响。合适的栅极驱动电流和栅极电阻可以优化压摆率性能。
   • 使用具有斜率调节功能的驱动IC可以提供更灵活的压摆率控制，允许在不同的工作条件下调整压摆率。
5. 参考数据手册和实际应用案例
   • MOSFET的数据手册通常会提供关于压摆率的详细信息，包括推荐的值和测试条件。设计时应参考这些信息。
   • 此外，可以参考类似应用的实际情况和经验，来确定合适的压摆率配置。

所以关于电机驱动中的MOSFET选择还要根据实际应用中的开关频率来选择合适的压摆率。