NSG21867 是一款高压、高速功率 MOSFET/IGBT 高低 侧驱动芯片,具有两个独立地传输通道。内部集成了 高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路, 具备大电流脉冲输出能力,逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平,输出电流能力 最大可达 4A,其浮地通道最高工作电压可达 700V。可 用于驱动 N 沟道高压功率 MOSFET/IGBT 等器件。
自举工作的浮动通道 最高工作电压为 700 V 兼容 3.3V, 5V 和 15V 输入逻辑 dV/dt 耐受能力可达±50 V/nsec Vs 负压耐受能力达-9V 栅极驱动电压:10 V 到 20V 高、低侧欠压锁定电路 – 欠压锁定正向阈值 6V – 欠压锁定负向阈值 5.5V 芯片开通/关断传输延时 – Ton/Toff =150ns/150ns 高低侧延时匹配 驱动电流能力: ----拉电流/灌电流=4.0A/4.0A 符合 RoSH 标准 SOIC8 (S)
电机控制 空调/洗衣机 通用逆变器 微型逆变器驱动程序