NSG2101/IRS2101 700V SOP-8 单相高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片

NSG2101替代IRS2101
NSG2101 是一款高压、高速功率 MOSFET 高低侧驱 动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。 NSG2101 采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电 路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平。 NSG2101 其浮动通 道可用于驱动高压侧 N 沟道功率 MOSFET，浮地通道 最高工作电压可达 700V。NSG2101 采用 SOIC8 封装， 可以在-40℃至 125℃温度范围内工作。

自举工作的浮地通道  最高工作电压为+700V  兼容 3.3V, 5V 和 15V 输入逻辑  dVS/dt 耐受能力可达±50 V/ns  Vs 负偏压能力达-9V  集成 VCC 欠压锁定电路 – 欠压锁定正向阈值 8.9V – 欠压锁定负向阈值 8.2V  芯片传输延时特性 – 开通/关断传输延时 Ton/Toff =130ns/130ns – 延迟匹配时间 50ns  宽温度范围-40°C ~125°C  输出级拉电流/灌电流能力 300mA/600mA  符合 RoSH 标准 SOIC8 (S)

电机控制  空调/洗衣机  通用逆变器  逆变器驱动