VESC02 三相半桥电路

1.选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小

    Id最大漏电流    漏电流是MOS管最重要的参数之一，这个参数在工程经验中一般选为电机绕组电流最大值（是相电流还是线电流要看接法，必须是通过MOS的电流）的2~3倍，但是这个倍数并非完全遵循，实际设计中有很大的弹性，很需要注重实际应用场景和成本。原则是电机控制器中流过的最大电流不能超过MOS的漏电流极限值，否则会击穿MOS。且这一参数会随着温度变化。
    Vds最大漏源电压    漏源电压也是MOS管最重要的参数之一，这个参数在工程经验中一般选为母线电压最大值的1.5~2倍。与漏电流一样，这个倍数并非完全遵循，实际设计中有很大弹性。原则是保证系统出现的最大电压不会使MOS管击穿。
    Vgs最大栅极电压    栅极和源极之间的电压为MOS管的开通电压，这个电压高于某值时MOS管实际已经开通，只是开通的程度不同，这里加载的电压不能超过最大开通电压。
    阈值栅极电压    高于阈值栅极电压，MOS管将被开通。阈值栅极电压（开通电压）这一参数与驱动芯片的选型有很强的关联性，后面章节详述，选择驱动芯片是必须提供能使MOS管开通的栅极电压。这一参数在参数表上有最大和最小值，可以理解为，达到最小值时MOS管已经开始开通，达到最大值时MOS管完全开通。
    Rds导通电阻    MOS管导通时漏极和源极之间的电阻。
    Qrr反向恢复电荷    MOS管在通态和断态两种状态间转换时，需要抽出和灌入的电荷量，这一参数与驱动芯片的选择有关。

第二注意的是，普遍用于高端驱动的NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。

第三对驱动芯片进行选型时， 需要格外注意将驱动芯片拉灌电流能力值与MOS管的参数相匹配，如果不匹配将会出现俗称为“带不动”的情况。