15 FLASH闪存

FLASH简介

• STM32F1系列的FLASH包含程序存储器、系统存储器和选项字节三个部分，通过闪存存储器接口（外设）可以对程序存储器和选项字节进行擦除和编程
• 读写FLASH的用途：
•      利用程序存储器的剩余空间来保存掉电不丢失的用户数据     
•      通过在程序中编程（IAP），实现程序的自我更新
• 在线编程（In-Circuit Programming – ICP）用于更新程序存储器的全部内容，它通过JTAG、SWD协议或系统加载程序（Bootloader）下载程序
• 在程序中编程（In-Application Programming – IAP）可以使用微控制器支持的任一种通信接口下载程序

闪存模块组织

FLASH基本结构 

通过控制器FPEC来对程序存储器和选项字节来进行擦除和编程。

FLASH解锁

FPEC共有三个键值：     

•            RDPRT键 = 0x000000A5     //解除读保护的密钥
•            KEY1 = 0x45670123     
•            KEY2 = 0xCDEF89AB

解锁：     

•             复位后，FPEC被保护，不能写入FLASH_CR     
•             在FLASH_KEYR先写入KEY1，再写入KEY2，解锁     
•             错误的操作序列会在下次复位前锁死FPEC和FLASH_CR

加锁：     

•             设置FLASH_CR中的LOCK位锁住FPEC和FLASH_CR 

使用指针访问存储器 

• 使用指针读指定地址下的存储器：     

    uint16_t Data = *((__IO uint16_t *)(0x08000000));

//读取0x08000000地址下的数据，将地址强制转换成uint16_t的指针类型

• 使用指针写指定地址下的存储器：     

    *((__IO uint16_t *)(0x08000000)) = 0x1234;

• 其中：     

     #define    __IO    volatile

防止编译器优化

程序存储器编程 

 

程序存储器页擦除 

 程序存储器全擦除

 

如果LOCK=1，执行解锁过程，先在KEY寄存器里写入KEY1，再写入KEY2。 

选项字节 

 

• RDP：写入RDPRT键（0x000000A5）后解除读保护
• USER：配置硬件看门狗和进入停机/待机模式是否产生复位
• Data0/1：用户可自定义使用
• WRP0/1/2/3：配置写保护，每一个位对应保护4个存储页（中容量） ，4个字节总共32位

总共保护32*4=128页 

//nRDP是RDP取反后的值，如果检查出nRDP不是RDP取反后的值，则相应的功能不执行。

 选项字节编程

• 检查FLASH_SR的BSY位，以确认没有其他正在进行的编程操作
• 解锁FLASH_CR的OPTWRE位
• 设置FLASH_CR的OPTPG位为1
• 写入要编程的半字到指定的地址
• 等待BSY位变为0
• 读出写入的地址并验证数据 

选项字节擦除 

• 检查FLASH_SR的BSY位，以确认没有其他正在进行的闪存操作
• 解锁FLASH_CR的OPTWRE位
• 设置FLASH_CR的OPTER位为1
• 设置FLASH_CR的STRT位为1
• 等待BSY位变为0
• 读出被擦除的选择字节并做验证

器件电子签名 

• 电子签名存放在闪存存储器模块的系统存储区域，包含的芯片识别信息在出厂时编写，不可更改，使用指针读指定地址下的存储器可获取电子签名
• 闪存容量寄存器：     

              基地址：0x1FFF F7E0     

              大小：16位

• 产品唯一身份标识寄存器：     

              基地址： 0x1FFF F7E8     

              大小：96位