本文介绍了如何在Cadence617的环境中，通过NMOS实例，运用GM/ID设计方法并使用ADE仿真器制作出三种关键关系图：GM/ID与本征增益、ID/W以及MOS管的gm与Vg的关系。详述了原理图准备、ADE设置和仿真步骤。
上次推文主要讲了gm/id的理论方法，这次推文以NMOS为例，主要关注如何用cadence617仿真出所需要的三张图标。
方法视频传送链接：
The gmid methodology, a design guideline for two stage miller OP_哔哩哔哩_bilibili
工艺库：smic18mmrf
cadence版本：617
一、原理图准备
原理图：
NMOS参数设定：
将VDS和VGS分别设置为变量Vd和Vg。
二、ADE仿真准备
调选ADE Explorer，在setup-model library中选择自己需要的rules文件。
引入所需变量：variables-copy from cellview
在L中的设定为线性，其他为固定的常量。
进行DC仿真设置：将vg设为变量，保存DC直流工作点。
三、元神，启动！
先别急着启动，因为我们需要仿真得出三张图，还记得是哪三张图吗？
1.gm/id与本征增益的关系
2. gm/id与id/w的关系
3.MOS管的gm与Vg的关系
这三张关系图的仿真过程主要是利用caculator中的wave vs wave工具，具体位置在这门课程中P7的7：50开始。Eric老师讲的很详细，有手就行。
How to make gm_id plot in Cadence Virtuoso ADE_哔哩哔哩_bilibili
四、仿真结果
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