基于cadence 617 gmid曲线仿真 参数扫描方法

文章参考：
http://t.csdn.cn/w44uq
http://t.csdn.cn/1yOJs

前言

传统的设计方法是采用过驱动电压的设计方法，原理理论基础是长沟道器件，然后工艺越来越先进小，进入深亚微米后，传统的长沟道物理模型偏差会比较大。从MOS晶体管反推估算参数会比较不太准确，计算有点繁琐，gmid的方法就是采用gm与id的比值来抵消工艺参数得到关于过驱动电压关系式，选择合适gmid的比值也就选择了过驱动电压。
  gmid方法是通过对CMOS晶体管进行曲线的一个扫描，然后绘制出不同的长度，不同的gmid的条件下，特征频率、本征增益、电流密度的曲线，只需要在对应的曲线查找所需要的数值计算就行。
记录了使用工艺参数对运放进行设计的过程。一般是先仿真出当前工艺库有关参数，再代入每一个晶体管中进行计算，数据较为复杂，同时计算量庞大。当一个设计中有较多晶体管时，修改其中一项参数就会导致有较多的数据需要被重新计算。同时，在短沟道器件中，MOS的经验公式逐渐失效。所以，引入
gm/id设计方法，能高效和准确地进行设计工作。

一、gm/id 步骤

二、NMOS

![在这里插入图片描述](https://img-blog.csdnimg.cn/503733534aeb42f1b9e2404331277ba6.png

2.1NMOS仿真

点击仿真后，生成两组曲线。下边是id/W，上边是gain。

得到曲线

2.2结果保存

下次直接打开仿真

三、PMOS

原理图

有点不同就是pmos电流为负值，要添加绝对值函数（下面可以直接复制去计算器窗口，注意器件名称）

waveVsWave(?x OS("/M0","gmoverid") ?y OS("/M0","self_gain"))

waveVsWave(?x OS("/M0","gmoverid") ?y abs(OS("/M0","id")/VAR("W")))

结果

扫描L

纵坐标改成log

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