双有源桥变换器（DAB）学习（三）TPS与仿真

井方学徒

已于 2022-11-21 15:52:19 修改

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文章标签：大数据

于 2022-08-13 12:11:19 首次发布

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本文深入探讨了TPS控制在DAB应用中的重要作用及其多样化控制方式。通过对不同划分方式的比较，解析了其在控制策略上的差异，并介绍了仿真电路的具体实现方法。

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TPS实际上是现在DAB控制中相当重要的一环，多种多样的控制方式使TPS与其它控制方式有着显著的不同。实际上之前的SPS、DPS、EPS都是TPS中的一种特殊情况。

死区的事情我后面会单独说，实际上就是死区最短时间的计算，放这里就显得太多了。

随着自由度的增加，可以实现的控制方式却是呈现着指数状态的上升，TPS多样化的控制、多样化的划分方式决定了它在创新点方向有着很大的可写性。

两个小讨论点，有懂的大哥还是希望给我留下言帮我解决下：

控制方式问题：我还记得开始学习时候，虽然文字表达不同，但DPS、EPS的控制方式的核心内容是一致的，电流应力优化跟回流应力优化出来的控制方式完全一致。但TPS有点意思，不同的划分方式带来的控制策略不同，优化出来的控制方式也会有些许不同。这里我并不确定控制方式是否会一致，我深入看过的几篇文献里面虽然划分方式不同，有的9种有的12种，但是这两种方式是有重叠情况的，惊讶的是重叠情况下的电流应力优化的控制方式竟然不一样。我并没有去验证，但是我后面给出的是可以实现控制的，而且P*、K什么的也是对应的上的。
闭环问题：我在TPS学习时候有这么一个问题，要不要使用PI闭环控制，跟其它控制方式D2采用PI自由跑不一样，TPS的三个自由度D1、D2、D3都可以用传输功率标幺值P*跟电压变比K来表示，但是我不知道该怎么增加抗干扰环节，我之前尝试着三个都通过P*、K来进行设定，P*、K通过输出电压、输出电流采样来进行反馈但是控不住。

接下来我给大家介绍的TPS控制方式里面，D2跟之前一样是PI闭环控制，D1、D3都是跟P*和K挂钩的表达式，D1、D3在仿真搭建中是通过各种逻辑门、加减乘除来实现控制的。在实际DAB电路搭建中，只要在烧入程序中设置好表达式就行。

话不多说，先上仿真电路图、逻辑控制图再解释。

仿真电路图跟之前相比没有太大变化，就多了控制角，跟输出电流采样，其它的没变化。

逻辑控制图包括一下几部分：D1、D2、D3，驱动，P*和K。

这个D31实际上指的是S5、S8之间的相角差，加上D2之后就是S8、S1之间的相角差了，这里我都是以S1为基准来进行设置的。

这里实际上很简单的控制，有的哥们觉的麻烦，Simulink里面PWM输出很简单就可以实现，但是我之所以这样设置，是因为这样搭建仿真电路的话在PSIM中也是可以用的，不管是交钱的新版的可以跑实际元件的还是老版的都可以我这个是9.1.3的5块钱淘宝买的，但是别太老，太老的PSIM版本不能使用太多元件，它保存不下来。

这个死区也就是里面的延时模块我觉得还是要有的，尽可能的贴近一点实际情况嘛。

大家一定要注意，这个控制方式的前提是K< 1，也就是Boost模式。

下面就是关于控制方式的讲解了。

我倾向于的控制方式是分为12种，DAB大家要明白功率是可以正向传输也可以反向传输的。因此仅以正向传输分析就是6种，下面给大家介绍下。

分析前提：

Vab和Vcd是两个分开的波形，是分开进行分析的，这是因为，Vab的波形我们是通过一次侧的内移相角D1来实现的，Vcd是通过外移相角D2、二次侧内移相角D3来实现的。如果把这三个移相比作为变量来看的话，Vab和Vcd是互不相关的，也就根据相关的大小关系构成了边界条件。

首先，Vcd也就是二次侧的波形我们是分为四种情况。由于外移相角的存在，Vcd的数值变化是如下的四种情况，也可以用图表示：

0——负——0——正
负——0——正——0
0——正——0——负
正——0——负——0

中间的虚线也就是半周期分界线，Vcd的四种输出波形如上所示。

有的人可能会有疑问，那为什么它的正负波形的占空比是这样，为什么不能变宽或者变窄，宽窄会不会影响情况的划分呢？实际上这些都是可变的，只是宽窄的情况是相对于Vab来说的，在给出Vab的情况之后，D1和D2、D3不是构成了边界条件嘛，在边界条件内Vab也好，Vcd也好，它的宽窄变化无所谓，不会变成其它情况，除非突破了边界条件。

上面Vcd的波形起始点都是以D1=0，Vab为正时刻开始进行的。

Vab对应的有三种情况，分别是：