阅读博士论文《功率IGBT模块健康状态监测方法研究》

IGBT的失效可以分为芯片级失效和封装级失效。其中封装级失效是IGBT模块老化的主要原因，是多种因素共同作用的结果。在DBC的这种结构中，流过芯片的负载电流通过键合线传导到 DBC上层铜箔，再经过端子流出模块。DBC与芯片和提供机械支撑的基板之间通过焊料连接起来。IGBT模块工作时，各层材料的热膨胀系数不一致，在高温环境下，会使得模块承受比较大的热应力，降低模块的可靠性。

(1)基于准阈值电压的IGBT模块结温检测，通过推到阈值电压的数学模型，当门级电压非常接近阈值电压Vth时，发射级电流迅速增大，导致感应电流也很大，得出以下数学公公式

其中，Req的值非常小，VeE受电流变化率的影响，为恒定的值，则有Vth受温度影响，并且其变化与温度成反比。但是这种检测结温方法，难以实现，因为阈值电压的大小与多种条件耦合在一起，文章只是提出阈值电压受温度的影响这个条件，并同时分析了受键合线缺陷、温度、负载电流的影响程度，并没有说明解耦办法。

(2) 基于模块跨导的IGBT模块键合线缺陷监测，文章首先提出，跨导的增量与两个因素有关，键合线缺陷和温度变化。但是当变换器处于非工作状