模拟电子技术-经验公式

PN结
PN结的外部特性：单向导电性。
扩散运动产生的原因：浓度差，例如多子的运动。
漂移运动产生的原因：电场力的作用，例如少子的运动。
扩散运动加宽耗尽层，漂移运动使耗尽层变窄。
在无外加电场和其他激发的情况下，参与扩散运动的多子数目与参与漂移运动的少子数目相等。
掺杂浓度越高，耗尽层越窄。
正向接法：P接电源正极，N接电源负极。
正向接法削弱内电场，耗尽层变窄，扩散运动加强。
少子是由本征激发产生，掺杂浓度越高，少子浓度越低，反向饱和电流越小。
齐纳击穿发生在高掺杂浓度，低电压的情况。
雪崩击穿发生在低掺杂浓度，高电压的情况。