STM32F103 内部FLASH读写擦操作

内部flash介绍

开发步骤

(1)解锁和锁定 前面我们介绍了在对 FLASH 进行写操作前必须先解锁,解锁操作也就是必 须在 FLASH_KEYR 寄存器写入特定的序列(0X45670123 和 0XCDEF89AB),固件库 提供了一个解锁函数,其实就是封装了对 FLASH_KEYR 寄存器的操作。 解锁库函数是: void FLASH_Unlock(void); 在对 FLASH 写操作完成之后,我们要锁定 FLASH,使用的库函数是: void FLASH_Lock(void); (2)写操作 FLASH 解锁后,我们就可以开始写操作,固件库内提供了 3 个 FLASH 写函数: FLASH_Status FLASH_ProgramWord(uint32_t Address, uint32_t Data); FLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data); FLASH_Status FLASH_ProgramOptionByteData(uint32_t Address, uint8_t Data); 从函数名来看也很好理解这几个函数的功能,分别是在对应的地址 Address 内写入字,半字,用户选项字节。这里需要说明, 32 位字节写入实际上是写入 的两次 16 位数据,写完第一次后地址+2,这与我们前面讲解的 STM32 闪存的 编程每次必须写入 16 位并不矛盾。 写入 8 位实际也是占用的两个地址了,跟 写入 16 位基本上没啥区别。这些函数的内部实现过程,实际就是按照我们介绍 的编程步骤来实现的。有兴趣的同学可以进入函数体看看,这样会加深理解。 (3)擦除操作 在对 FLASH 写操作的时候,还会用到 FLASH 擦除操作,固件库内也提供了 3 个 FLASH 擦除函数: FLASH_Status FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address); FLASH_Status FLASH_EraseAllPages(void); FLASH_Status FLASH_EraseOptionBytes(void); 对于前面两个函数比较好理解,第一个函数是页擦除函数,根据页地址擦除 特定的页数据,第二个函数是擦除所有的页数据,第三个函数是擦除用户选择字 节数据。 (4)获取 FLASH 状态 在对 FLASH 进行读写及擦除操作时,我们可能需要获取 FLASH 当前的状态, 获取 FLASH 状态主要调用的函数是: FLASH_Status FLASH_GetStatus(void); 返回值是通过枚举类型定义的: 1. typedef enum 2. { 3. FLASH_BUSY = 1,//忙 4. FLASH_ERROR_PG,//编程错误 5. FLASH_ERROR_WRP,//写保护错误 6. FLASH_COMPLETE,//操作完成 7. FLASH_TIMEOUT//操作超时 8. }FLASH_Status; 从这里面我们可以看到 FLASH 操作的几个状态。 (5)等待操作完成 在执行闪存写操作时,任何对闪存的读操作都会锁住总线,在写操作完成后 读操作才能正确地进行;即在进行写或擦除操作时,不能进行代码或数据的读取 操作。所以在每次操作之前,我们都要等待上一次操作完成这次操作才能开始。 使用的函数是: FLASH_Status FLASH_WaitForLastOperation(uint32_t Timeout); 口参数为等待时间, 返回值是 FLASH 的状态, 这个很容易理解,这个函 数本身我们在固件库中使用得不多,但是在固件库函数体中间可以多次看到。 (6)读取 FLASH 指定地址数据 读取 FLASH 指定地址的数据函数固件库并没有提供,因此这一步操作我们 需要自己编写,其实很简单,通过 C 语言指针即可完成,这里我们提供一个从指 定地址读取一个字的函数: 1. //读取指定地址的半字(16 位数据) 2. //faddr:读地址(此地址必须为 2 的倍数!!) 3. //返回值:对应数据. 4. vu16 STM32_FLASH_ReadHalfWord(u32 faddr) 5. { 6. return *(vu16*)faddr; 7. } 通过以上几个步骤的操作,我们就可以对 STM32F1 内部 FLASH 进行读写数据 了

in_flash.h+in_flash.c

#ifndef _in_flash_H
#define _in_flash_H

#include "system.h"


//用户根据自己的需要设置
#define STM32_FLASH_SIZE 512      //所选STM32的FLASH容量大小(单位为K)

//FLASH起始地址
#define STM32_FLASH_BASE 0x08000000     //STM32 FLASH的起始地址
 
vu16 STM32_FLASH_ReadHalfWord(u32 faddr); 
void STM32_FLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite);        //从指定地址开始写入指定长度的数据
void STM32_FLASH_Read(u32 ReadAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToRead);           //从指定地址开始读出指定长度的数据
                       


#endif
#include "in_flash.h"


//读取指定地址的半字(16位数据)
//faddr:读地址(此地址必须为2的倍数!!)
//返回值:对应数据.
vu16 STM32_FLASH_ReadHalfWord(u32 faddr)
{
    return *(vu16*)faddr; 
} 

//不检查的写入
//WriteAddr:起始地址
//pBuffer:数据指针
//NumToWrite:半字(16位)数   
void STM32_FLASH_Write_NoCheck(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)   
{                       
    u16 i;
    for(i=0;i<NumToWrite;i++)
    {
        FLASH_ProgramHalfWord(WriteAddr,pBuffer[i]);
        WriteAddr+=2;//地址增加2.
    }  
}

//从指定地址开始写入指定长度的数据
//WriteAddr:起始地址(此地址必须为2的倍数)
//pBuffer:数据指针
//NumToWrite:半字(16位)数(就是要写入的16位数据的个数.)
#if STM32_FLASH_SIZE<256
    #define STM32_SECTOR_SIZE 1024 //字节
#else 
    #define STM32_SECTOR_SIZE    2048
#endif         
u16 STM32_FLASH_BUF[STM32_SECTOR_SIZE/2];//最多是2K字节
void STM32_FLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)    
{
    u32 secpos;       //扇区地址
    u16 secoff;       //扇区内偏移地址(16位字计算)
    u16 secremain; //扇区内剩余地址(16位字计算)       
     u16 i;    
    u32 offaddr;   //去掉0X08000000后的地址
    if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||(WriteAddr>=(STM32_FLASH_BASE+1024*STM32_FLASH_SIZE)))return;//非法地址
    FLASH_Unlock();                        //解锁
    offaddr=WriteAddr-STM32_FLASH_BASE;        //实际偏移地址.
    secpos=offaddr/STM32_SECTOR_SIZE;            //扇区地址  0~127 for STM32F103RBT6
    secoff=(offaddr%STM32_SECTOR_SIZE)/2;        //在扇区内的偏移(2个字节为基本单位.)
    secremain=STM32_SECTOR_SIZE/2-secoff;        //扇区剩余空间大小   
    if(NumToWrite<=secremain)secremain=NumToWrite;//不大于该扇区范围
    while(1) 
    {    
        STM32_FLASH_Read(secpos*STM32_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STM32_FLASH_BUF,STM32_SECTOR_SIZE/2);//读出整个扇区的内容
        for(i=0;i<secremain;i++)//校验数据
        {
            if(STM32_FLASH_BUF[secoff+i]!=0XFFFF)
                break;//需要擦除        
        }
        if(i<secremain)//需要擦除
        {
            FLASH_ErasePage(secpos*STM32_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE);//擦除这个扇区
            for(i=0;i<secremain;i++)//复制
            {
                STM32_FLASH_BUF[i+secoff]=pBuffer[i];      
            }
            STM32_FLASH_Write_NoCheck(secpos*STM32_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STM32_FLASH_BUF,STM32_SECTOR_SIZE/2);//写入整个扇区  
        }
        else 
            STM32_FLASH_Write_NoCheck(WriteAddr,pBuffer,secremain);//写已经擦除了的,直接写入扇区剩余区间.                    
        if(NumToWrite==secremain)
            break;//写入结束了
        else//写入未结束
        {
            secpos++;                //扇区地址增1
            secoff=0;                //偏移位置为0      
               pBuffer+=secremain;      //指针偏移
            WriteAddr+=secremain;    //写地址偏移       
               NumToWrite-=secremain;    //字节(16位)数递减
            if(NumToWrite>(STM32_SECTOR_SIZE/2))
                secremain=STM32_SECTOR_SIZE/2;//下一个扇区还是写不完
            else 
                secremain=NumToWrite;//下一个扇区可以写完了
        }     
    }    
    FLASH_Lock();//上锁
}

//从指定地址开始读出指定长度的数据
//ReadAddr:起始地址
//pBuffer:数据指针
//NumToWrite:半字(16位)数
void STM32_FLASH_Read(u32 ReadAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToRead)       
{
    u16 i;
    for(i=0;i<NumToRead;i++)
    {
        pBuffer[i]=STM32_FLASH_ReadHalfWord(ReadAddr);//读取2个字节.
        ReadAddr+=2;//偏移2个字节.    
    }
}

main.c

#include "stm32f10x.h"
#include "led.h"
#include "system.h"
#include "SysTick.h"
#include "beep.h"
#include "key.h"
#include "exti.h"
#include "time.h"
#include "pwm.h"
#include "usart.h"
#include "stdio.h"
#include "iwdg.h"
#include "wwdg.h"
#include "input.h"
#include "touch_key.h"
#include "wkup.h"
#include "adc.h"
#include "adc_temp.h"
#include "lsens.h"
#include "dac.h"
#include "dma.h"
#include "rtc.h"
#include "at24cxx.h"
#include "i2c.h"
#include "ds18b20.h"
#include "hwjs.h"
#include "rs485.h"
#include "can.h"
#include "tftlcd.h"
#include "picture.h"
#include "spi.h"
#include "flash.h"
#include "in_flash.h"



#define STM32_FLASH_SAVE_ADDR  0X08070000        //设置FLASH 保存地址(必须为偶数,且其值要大于本代码所占用FLASH的大小+0X08000000)

const u8 text_buf[]="www.prechin.net";
#define TEXTLEN sizeof(text_buf)


int main()
{
    u8 i=0;
    u8 key;
    u8 read_buf[TEXTLEN];
    
    SysTick_Init(72);
    NVIC_PriorityGroupConfig(NVIC_PriorityGroup_2);  //中断优先级分组 分2组
    LED_Init();
    USART1_Init(115200);
    TFTLCD_Init();            //LCD初始化
    KEY_Init();
    
    FRONT_COLOR=BLACK;
    LCD_ShowString(10,10,tftlcd_data.width,tftlcd_data.height,16,"PRECHIN STM32F1");
    LCD_ShowString(10,30,tftlcd_data.width,tftlcd_data.height,16,"www.prechin.net");
    LCD_ShowString(10,50,tftlcd_data.width,tftlcd_data.height,16,"STM32_Flash Test");
    LCD_ShowString(10,70,tftlcd_data.width,tftlcd_data.height,16,"K_UP:Write   KEY1:Read");
    
    FRONT_COLOR=RED;
    LCD_ShowString(10,130,tftlcd_data.width,tftlcd_data.height,16,"Write:");
    LCD_ShowString(10,150,tftlcd_data.width,tftlcd_data.height,16,"Read :");
    
    while(1)
    {
        key=KEY_Scan(0);
        if(key==KEY_UP_PRESS)
        {
            STM32_FLASH_Write(STM32_FLASH_SAVE_ADDR,(u16*)text_buf,TEXTLEN);
            printf("写入数据为:%s\r\n",text_buf);
            LCD_ShowString(10+6*8,130,tftlcd_data.width,tftlcd_data.height,16,(u8 *)text_buf);
        }
        if(key==KEY1_PRESS)
        {
            STM32_FLASH_Read(STM32_FLASH_SAVE_ADDR,(u16 *)read_buf,TEXTLEN);
            printf("读取数据为:%s\r\n",read_buf);
            LCD_ShowString(10+6*8,150,tftlcd_data.width,tftlcd_data.height,16,read_buf);
        }
        
        i++;
        if(i%20==0)
        {
            LED1=!LED1;
        }
        
        delay_ms(10);
            
    }
}

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### 回答1: STM32F103是意法半导体推出的一款32位单片机,内置了一块FLASH存储器,用于程序和数据的读写。下面将详细介绍STM32F103内部FLASH读写操作。 首先,内部FLASH是非易失性存储器,可以长时间保存数据,即使在断电后也不会丢失。该存储器分为多个扇区,每个扇区大小为2KB或16KB,总的容量取决于具体型号。 对于写操作,首先需要除要写入的扇区。除是一个扇区级别的操作,即需要除整个扇区,每个扇区都有一个固定的扇区号。在除之前,必须保证该扇区的所有数据已经备份,因为操作会将该扇区的数据全部清除。 除完成后,可以对扇区进行编程操作。编程是以字为单位进行的,每个单元的大小是2个字节。对于编程操作,可以选择使用不同的编程函数,例如“HAL_FLASH_Program”函数。编程时需要注意,每个单元只能由0xFF写入0x00,即从1到0的写入是不被允许的。而且,编程操作之前需要先校验该单元是否已经被编程过。 读取操作则比较简单,可以使用“HAL_FLASH_Read”函数读取指定地址的数据。为了确保读取的数据的正确性,通常会在读取之前对要读取的地址进行校验。 需要注意的是,对于内部FLASH读写操作,必须先进行相应的初始化,例如,配置FLASH读写许可、时钟使能等。 综上所述,STM32F103内部FLASH读写操作主要包括除、编程和读取。通过合理地使用这些操作,可以对内部FLASH进行有效的数据存储和读取。 ### 回答2: STM32F103是一种基于ARM Cortex-M3内核的32位微控制器,它具有内部Flash存储器,可以用于程序的存储和执行。下面我们将讨论STM32F103内部Flash读写操作STM32F103内部Flash分为多个扇区,每个扇区的大小为2KB或16KB,具体取决于芯片的型号。在进行Flash读写之前,我们需要注意以下几点: 1. Flash编程需要先解锁,然后进行除和编程操作。解锁可以通过设置特定的Flash解锁和编程保护位来实现。 2. 在进行Flash编程之前,应该关闭中断,以防止程序干扰Flash访问过程。 3. 写入Flash之前,必须先进行操作除是以扇区为单位进行的,可以选择除单个扇区或多个相邻扇区。 4. 写入Flash时,需要将数据按字大小写入,特别是在写入半字(16位)或字(32位)数据时,需要确保数据对齐。 5. 每次写入Flash之后,应该进行校验,以确保数据写入正确。校验可以通过读取Flash中的数据并与原始数据进行比较来实现。 总结起来,STM32F103内部Flash读写操作需要解锁、除、编程和校验等步骤。在进行这些操作时,应该注意保护位设置、中断关闭、数据对齐和校验等问题。这样才能确保程序正确地读取和写入内部Flash,并且保证数据的完整性和一致性。 ### 回答3: STM32F103是STMicroelectronics(意法半导体)推出的一款基于ARM Cortex-M3内核的微控制器芯片。它内置了Flash存储器,可以用于程序代码和数据的存储。 首先,STM32F103系列芯片的内部Flash存储器容量可以根据不同型号而不同,通常为64KB、128KB、256KB或512KB。通过编程将代码和数据存储在Flash中,可以实现可靠的程序执行,而且Flash可以被除和编程多次,使得开发者能够灵活地进行程序的更新和修改。 对于STM32F103内部Flash的读取,开发者可以通过读取指定地址的方式来访问存储在Flash中的数据。可以使用如`*(uint32_t*)address`的语法,将Flash的指定地址强制类型转换为指向32位无符号整数的指针,并通过解引用指针访问Flash中的数据。需要注意的是,Flash存储器的读取速度相对较慢,因此在程序执行过程中可能会遇到一定的延迟。 至于内部Flash的写入,由于Flash存储器具有较高的可靠性要求,所以写入操作需要特定的处理来确保数据的完整性。开发者需要在编写程序时使用特定的编程算法和接口,例如ST提供的Flash等库函数,来进行数据的写入。此外,为了避免写入操作Flash除,开发者还需要提前进行相关的Flash扇区操作。 总的来说,STM32F103内部Flash存储器提供了方便可靠的程序代码和数据存储方式。通过正确的读取和写入操作,可以实现对Flash存储器的数据访问和更新。但需要开发者额外注意Flash的读取速度和写入算法的正确性,以确保程序的稳定性和可靠性。

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