电子产品的重要电子器件——存储器

一、介绍

      存储器是计算机或者地跑进结构的重要组成部分。存储器是用来存储程序代码和数据的部件，因为有了存储器，所以计算机或单片机才具有记忆和储存功能。存储器根据储存特性可以分为：“易失性存储器”和“非易失性存储器”。所谓易失性就是断电后，存储器会丢失数据，例如：RAM；所谓非易失性就是断电后，存储器的数据不会丢失，例如：ROM，光盘，机械硬盘等。具体分类如图：

二、RAM存储器

        RAM是英语 Random Access Memory的缩写，翻译过来就是随机存储器。随机就是当存储器中的消息被读取或写入时，所需要的时间与这段信息所在的位置无关。根据 RAM 的存储机制，又分为动态随机存储器 DRAM(Dynamic RAM) 以及静态随机存储器SRAM(Static RAM) 两种。

        DRAM,简单一点来说，就是电容通过充电与放电来储存数据。 以电容的电荷来表示数据，有电荷代表 1 ，无电荷代表 0。时间一长，代表 1 的电容会放电，代表 0 的电容会吸收电荷，因此它需要定期刷新操作。通过判断电容的电荷量来判断。若电 量大于满电量的 1/2，则认为其代表 1，并把电容充满电；若电量小于 1/2，则认为其代表 0，并把电容放电。

        

        根据 DRAM 的通讯方式，又分为同步和异步两种，这两种方式根据通讯时是否需要使用时钟信 号来区分。由于使用时钟同步的通讯速度更快，所以同步 DRAM 使用更为广泛，这种 DRAM 被称为SDRAM。更多详细的描述，请查找权威资料。

        人们不是在提升就是在提升的路上，为了进一步提高 SDRAM 的通讯速度，人们设计了 在SDRAM的基础上设计出了DDR SDRAM 存储器 (Double Data Rate SDRAM)。它的存储特性与 SDRAM 没有区别，但 SDRAM 只在上升沿表示有效数据，在 1 个 时钟周期内，只能表示 1 个有数据；而 DDRSDRAM 在时钟的上升沿及下降沿各表示一个数据， 也就是说在 1 个时钟周期内可以表示 2 位数据，在时钟频率同样的情况下提高了一倍的速度，这样子大大地提升了数据储存与传输的速度。

       

       静态随机存储器 SRAM 的存储单元以锁存器来存储数据， 这种电路结构不需要定时刷新电，就能保持状态 ，所以这种存储器 被称为“静态 (Static) ” RAM。无论静态还是动态的RAM， 如果断电了，数据还是会丢失的。原理图如下：

三、ROM存储器

ROM的英文全称  是“ Read Only Memory”的缩写，意为只能读的存储器。它是一种非易失性的存储器。非易失性存储器种类非常多，半导体类的有 ROM 和 FLASH，而其它的则包括光盘、软盘及机械硬盘，等。

        MASK ROM就是我们常说的ROM（ Read Only Memory），存储在它内部的数据是在出厂时使用特殊工艺固化的，生产后就不可修改。

        

        OTPROM(One Time Programable ROM) 是一次可编程存储器。这种存储器出厂时内部并没有资料， 用户可以使用专用的编程器将自己的资料写入，但只能写入一次，被写入过后，它的内容也不可 再修改。

        EPROM(Erasable Programmable ROM) 是可重复擦写的存储器，它解决了 PROM 芯片只能写入一 次的问题。这种存储器使用紫外线照射芯片内部擦除数据，擦除和写入都要专用的设备。所以如果人们想修改数据就需要专业的设备，不利于流通，所以现在也慢慢被淘汰。

        

        EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM) 是电可擦除存储器。 EEPROM 可以重复擦写，它 的擦除和写入都是直接使用电路控制，不需要再使用外部设备来擦写。而且可以按字节为单位修 改数据，无需整个芯片擦除。现在主要使用的 ROM 芯片都是 EEPROM 。

        

        FLASH 存储器又称为闪存，它也是可重复擦写的储器，部有一些书籍会把 FLASH 存储器称为 FLASH ROM，但它的容量一般比 EEPROM 大得多，且在擦除时，一般以多个字节为单位。

FLASH 存储器又分为 NOR FLASH 和 NAND FLASH ，对比如下表：

        

NOR FLASH 和 NAND FLASH两者的使用方法也略有不同，详细请查阅相关资料。