stm32f103c8t6学习笔记（学习B站up江科大自化协）-FLASH闪存

FLASH简介

        ·闪存的操作较为麻烦，涉及擦除、编程、等待忙、解锁等等操作，需要把指令和数据写入到外设的相应寄存器，外设会自动去操作对应的存储空间。

        ·外设可以对程序存储器和选项字节进行擦除和编程，不能对系统存储器进行操作，因为系统存储器是原厂写入的bootloader程序，不允许修改

        ·对于C8T6程序存储容量是64K，一般写一个程序只占前边很小一部分空间，剩下的大部分空间可以利用，比如存储一些自定义的数据，充分利用资源，但是需要注意不能覆盖原有程序，否则将程序破坏，无法运行。存储少量参数一般选最后几页就行了

        ·在程序中编程：首先需要自己写一个bootloader程序，存放在程序更新时不会覆盖的地方，比如放在存储区域靠后的部分，需要更新程序时，控制程序跳转到我们自己写的bootloader里，这里边可以接受任意通信接口传过来的数据，如串口、蓝牙转串口、USB、WIFi转串口等等，传过来的数据就是待更新的程序，然后控制FLASH读写，把收到的程序写入到存储器前边程序正常运行的地方，写完之后再控制程序跳转到正常运行的地方，或直接复位，完成程序的自我升级。

        实现自我升级的过程和系统的bootloader一样，由于程序要实现自我升级，需要布置一个辅助的小机器人来临时干活，不过系统存储器的bootloader写死了，只能用串口下载到指定位置，启动方式也不方便，只能配置BOOT引脚触发启动，如果自己写bootloader的话就可以自定义收的方式和写的位置以及启动的方式，整个升级过程程序都可以自主完成，实现在程序中编程，更进一步可以实现远程升级

闪存模块组织

        ·小容量产品，页数较少，只有32页，每页1k；中容量产品128页每页1k；大容量产品256页每页2k

        ·分为三个块，

        第一个是主存储器，也就是程序存储器，用于存放程序代码，是最主要也是容量最大的一块

        第二个是信息块，里边可以分为启动程序代码和用户选择字节，其中启动程序代码就是系统存储器，用于存放原厂写入的bootloader，用于串口下载；用户选择字节是是选项字节，存放独立的参数，在手册中称为选择字节（Option Bytes），是同一个东西

        第三块是闪存存储器接口寄存器，这一块的寄存器并不属于闪存，因为地址都是40开头的，说明是一个普通的外设，和GPIO、定时器、串口等属于一个性质的东西，存储介质都是SRAM。闪存存储器接口属于上边的管理员，用于控制擦除和编程这个过程的

        ·读取指定存储器直接使用指针即可，用不到外设

        ·对主存储器进行分页是为了更好的管理闪存，擦除和写保护都是以页为单位的

        ·闪存的特性类似，写入前必须擦除，擦除必须以最小单位进行，擦除后数据位全变为1，数据只能1写0不能0写1，擦除和写入之后都要等待忙

        ·看地址范围可以发现，只要地址以000、400、800、C00结尾的一定是页的起始地址

        ·平时说的芯片闪存容量是64K、128K指的是主存储器的容量，下边信息块的容量虽然也是闪存但是不统计在这个容量里

FLASH基本结构

        ·整个闪存分为程序存储器、系统存储器和选项字节三个部分

        ·“闪存存储器接口“ 和 “闪存编程和擦除控制器（FPEC）实际上是同一个东西”，别名而已。闪存存储器接口相当于闪存的管理员，可以对程序存储器进行擦除和编程，也可以对选项字节进行擦除和编程，系统存储器不可以

        ·选项字节很大一部分配置位是配置主程序存储器读写保护的，所以可以配置读写保护

操作控制器FPEC对程序存储器和选项字节进行擦除和编程

一、FLASH解锁

         ·操作和W25Q64类似，W25Q64操作之前需要写使能，FLASH操作之前也需要进行解锁，目的是为了防止误操作。解锁的方式和独立看门狗一样，在键寄存器写入指定的键值实现，好处是防止误操作，每一个指令必须输入密码才能完成

        ·RDPRD键是解除保护的密钥，值是0xa5，三个键值是是随意定义的，只要定义的不是很简单，不会随意解锁即可

        复位之后FLASH默认上锁，在FLASH_KER寄存器中，先写入KEY1再写入KEY2解锁，安全性较高，如果没按顺序正确写入密码，整个模块会完全锁死，除非复位

        控制寄存器中有个lock位，在这一位写1就可以重新锁住闪存了

二、使用指针访问存储器

        ·STM32内部的存储器是直接挂载在总线上的，这时读写某个寄存器只需要使用C语言的指针即可。

使用指针读指定地址下的寄存器

        ·第一步给定读取存储器的地址，*((__IO uint16_t *)(0x08000000))在这里的括号里边由于只有一个数，所以可以不加括号；但是如果要对地址进行加减，必须加上括号，并在括号里面进行加减，否则运算的优先级会有问题

        ·第二步在地址前边加上强制类型转换，这里将变量强制转换为了uint16_t的指针类型，如果想以16位的方式读出指定地址的数据，就转换为uint16_t*，如果想以8位读出就uint8_t*，想浮点类型就float*或double*。

        在指针类型前边加了__IO,在STM32中这时一个宏定义，#define __IO volatile。对应c语言的关键字volatile，volatile直译就是易变的数据，加上这个是一种安全保障措施，在程序逻辑上没有作用，只是用于防止编译器优化。keil编译器默认情况下是最低优化等级，加不加volatile都不影响，如果提高编译优化等级就会产生问题。

        编译优化的作用是取出无用的繁杂代码，降低代码空间，提升运行效率，但是优化之后在某些地方编译器会弄巧成拙，比如想使用变量计数空循环的方式实现延时函数，编译器优化的时候会觉得这段代码没用会直接优化掉，这时可以在前边加上volatile告诉编译器不进行优化，原封不动的执行。

        编译器会利用缓存加速代码，比如要频繁读写内存的某个变量，最常见的优化方式是先把变量移到高速缓存里，在STM32里有一个类似缓存的工作组寄存器，这些寄存器的访问速度最快，先把变量放在缓存里，需要读写的时候直接读写缓存即可，用完之后再写回内存，这是优化的方案。但是如果程序存在多个线程，比如中断函数，在中断函数里改变了原始变量，但是缓存并不知道已经更改了，下次程序还看缓存中的变量，会造成数据更改不同步的问题，解决方法也是在变量定义前边加上一个volatile，告诉编译器运行的时候要从内存里找，不使用缓存进行优化

        如果开起了编译器优化，在无意义加减变量，多线程更改变量，读写与硬件相关的存储器时，都需要加上volatile防止被编译器优化。如果默认不开启编译器优化则无所谓，加不加都一样

         ·第三步使用*号，指针取内容，把指针指向的存储器取出来，这个值是指定存储器的值，取出来后赋值给自定义的变量Data。

        对于闪存的读取是不需要解锁的，因为读取是只看寄存器，不对寄存器进行更改，所需权限低，无需解锁可直接读

使用指针写指定地址下的寄存器

        ·如上边的图，等号左边先给定地址，再强转为指针，最后指针取内容，就是指定地址的值，直接进行赋值，对其赋值比如0x1234，完成指定地址写的功能。

        由于是写入数据，并且指定的是闪存的地址，闪存在程序运行时是只读的，不能轻易更改，对闪存进行更改的时候需要较高的权限，需要提前解锁，并且套上后边的 “ 程序存储器编程 ” 的流程，如果地址写的是SRAM的地址，比如0x20000000，则可以直接写入，因为SRAM在运行的时候是可读可写的

流程图

程序存储器编程（写入）

        ·在擦除之后就可以执行写入的流程，STM32的闪存在写入之前会检查指定地址有没有擦除，如果没有擦除就执行写入，STM32则不执行写入操作，除非写入的数据全是0

        ·写入的第一步也是解锁，然后置控制寄存器的PG（Programing）位为1，表示即将写入数据。然后在指定的地址写入半字，也就是前边的使用指针在指定地址写入数据，不过写入操作只能以半字的形式写入。

        ·字World是32位数据，半字halfword就是16位数据，字节Byte是8位数据。在写入的时候规定是16位，如果要写入32位的话则需要分两次完成。如果想单独写入一个字节8位数据，还要保留另一个字节的原始数据的话，只能将整页数据读到SRAM，再随意修改SRAM数据，修改完成之后将闪存整页擦除，最后将SRAM整页写回闪存。

        ·写入数据的代码是触发开始的条件，无需像擦除一样置Start位，写入半字之后芯片会处于忙状态，等待busy清零，完成写入数据的过程，每执行一个流程只能写入半字，如果要写入很多数据，循环不断调用这个流程即可
 

程序存储器页擦除（写入前必须擦除）

        ·擦除之后所有的数据位变为1，擦除的最小单位就是1页，1k,1024字节 

        ·页擦除类似于下边的全擦除，第一步是解锁的流程，和全擦除一样

        ·第二步置控制寄存器里PER（page Erase）位为1，在AR地址寄存器中选择要擦除的页，最后置控制寄存器的Start位为1，置Start为1也是触发条件，Start为1芯片开始干活，芯片看到per = 1就知道接下来要执行页擦除，然后继续看AR寄存器的数据，AR寄存器要提前写入一个页起始的地址，芯片就会将指定的一页给擦除

        擦除开始之后页需要等待busy位，最后读出并验证数据不用看

程序存储器全擦除

        ·把所有的页都擦除掉，但是信息块的内容不受影响

        ·第一步是读取lock位，查看芯片锁没锁，如果lock位 = 1，锁住了就执行解锁过程，解锁过程就是在KEYR寄存器先写入KEY1再写入KEY2，如果当前没有锁住就无需解锁，不过在库函数中是直接执行解锁，不管有没有上锁

        ·解锁之后，首先置控制寄存器里的MER（Mass Erase）位为1，然后再置Start位为1，其中Start位为1是触发条件，Start为1之后芯片开始干活，芯片看到MER位是1，接下来就会执行全擦除的过程，内部电路自动执行全擦除的过程

        ·擦除过程开始之后程序要执行等待，判断状态寄存器的BSY（BUSY）位是否为1，BSY位表示芯片是否处于忙状态，BSY为1表示芯片忙，如果判断为1则跳转回来继续判断，直到BSY为0跳出循环，结束全擦除过程

        ·最后一步是读出并验证所有页的数据，一般是测试程序才需要做的，正常情况下全擦除完成了，默认就是成功，如果要全部读出来验证的话工作量太大了，所以最后一步一般不管 

选项字节

        ·这部分分为选项字节的组织和用途，图中的起始地址就是前边的选项字节的起始地址1fff f800，（在前边闪存模块组织 - 信息块 - 用户选择字节 这一行，共有16个字节），把存储器展开就是对应这里的图

        图中有一半的名称带上了n，比如RDP和你RDP，这个是在RDP写入数据时，要同时在nRDP写入数据的反码，其余的寄存器同理，只有这样写入的数据才是有效的，如果芯片检测到这两个不是反码的关系，则代表数据无效，有错误，对应的功能不执行，这是一个安全保障措施。这个写入反码的过程硬件会自动计算并写入
        RDP（Read Project）是读保护配置位，在RDP存储器写入RDPRT键（A5）后解除读保护，如果RDP不是A5，那闪存就是读保护状态，无法通过调试器读取程序，防止程序被别人窃取
        USER是属于比较零碎的配置位，配置硬件看门狗和进入停机、待机模式之后是否产生复位
        DATA0、1在芯片中没有定义功能，用户可自定义使用
        WRP0、1、2、3配置的是写保护，在中容量产品里每一个位对应保护四个存储页，四个字节总共32位，一位保护4页，总共保护32*4 = 128页，正好对应中容量的128页    
        ·对于小容量产品也是每一个位对应保护四个存储页，但是小容量产品最大只有32k，所以只需要一个位WRP0即可，4*8 = 32，

        对于大容量产品，每一个位只能保护两个存储页，四个字节不够用，所以WRP3的最高位将剩下的所有页一起进行保护

        ·选项字节本身也是闪存，写入前也需要进行擦除

选项字节擦除 

        第一步是解锁闪存，但是这里并没有写

        第二步检查sr的busy位，以确认没有其他正在进行的闪存操作，也就是事前等待

        第三步解锁CR的OPTWRE（Option Write Enable）位 ，这一步是选项字节的解锁，在选项字节中还有一个单独的锁，在解锁闪存之后还需要再解除选项字节里边的锁，之后才能解锁选项字节。解锁选项字节的锁也是一样的流程，在OPTKEYR里先写入key1再写入key2

        解除小锁之后先置CR的OPTER（Option Erase）位为1，表示即将擦除选项字节，之后设置CR的Start位为1，触发芯片开始擦除选项字节的工作，之后等待BSY位变为0，完成擦除选项字节

 选项字节编程

        ·选项字节的写入和普通闪存的写入差不多，先检测BSY然后解除小锁

        设置CR的OPTPG（Option Programming）位为1，表示即将写入选项字节

        写入要编程的半字到指定地址，这个是指针写入操作

        等待忙

        这样就完成了写入选项字节

器件电子签名

        ·电子签名实际上就是STM32的ID号，存放区域是系统存储器。在系统存储器里不仅有bootloader程序还有几个字节的ID号。

        系统存储器的起始地址是1fff f000，在图中有两个地址，闪存容量寄存器的基地址是0x1fff e7e0，通过地址可以确定其位置就是系统存储器，这个寄存器的大小是16位，其值就是闪存的容量，单位是kb；第二个是产品唯一身份标识寄存器，也就是每个芯片的身份证号，大小是96位，每一个芯片的这96位数据都是不一样的。

        使用这个唯一的ID号可以执行一些加密操作，比如想写入一段程序，只能在指定设备运行，那么就可以在程序的多处加入ID号判断，如果不是指定设备的ID号，就不执行此功能，这样即使程序被盗，在别的设备上也难以运行

        这96位可以以字节为单位读取，也可以以半字或全字读取。

        唯一身份标识寄存器可以作为序列号、密码，用来激活带安全机制的自举过程

读写内部闪存存储数据的一个弊端

        在编程过程中，任何读写闪存的操作都会使CPU暂停，直到此次闪存编程结束，这其实是读写内部闪存存储数据的一个弊端，闪存忙的时候代码执行会暂停，因为执行代码需要读闪存，闪存在忙，没办法读，CPU自然无法运行，程序就会暂停

        这个弊端会导致一写问题，比如使用内部闪存存储数据，同时中断代码是在频繁执行的，这样读写闪存的时候中断代码无法执行，会导致中断无法及时相应、

        如果程序中有需要频繁执行且对时间要求严格的中断函数，需要慎用内部闪存存储用户数据

代码&功能实现部分 

接线图

工程结构     

        ·工程计划建立两个底层模块，最底层计划叫MyFLASH，在这边实现闪存最基本的三个功能，读取、擦除和编程。在此模块之上再建一个模块叫STORE，主要实现参数数据的读写和存储管理。

        应用层最终要实现的功能是任意读写参数，并且这些参数是掉电不丢失的，至于具体的存在什么地方，怎么擦除，采用什么读写策略，这并不是应用层所关心的。在store这一层会定义一个SRAM数组，需要掉电不丢失的参数就写入到SRAM数组里，之后调用保存的函数，这个SRAM数组就自动保存到闪存里，上电后store初始化，会自动把闪存里的数据读到SRAM数组里，闪存管理策略主要在store这一层实现。

        在main.c里边的应用层部分，想要保存参数，就写到store层的数组，再调用保存函数备份到闪存，实现最终功能             

ST-LINK Unity

        这个软件中可以芯片内部存的是什么，一目了然，可以单独测试读取、擦除和编程，验证程序功能非常方便

软件的功能分布

                                                                             

         如图圈中部分，Address可以选择指定想要查看的起始地址，目前是0800 0000，也就是整个闪存的起始地址，所以下面的界面就是从0800 0000开始的，里边存的就是程序代码

        上边的第二个框size，从起始地址开始，总共查看多少个字节，0x10000就是查看64kb字节的字节数。0x10000转换为十进制就是65536，除以1024 = 64，

        第三个框是数据宽度，可以指定是以32位、16位还是8位的形式显示，分别对应字、半字和字节，现在是32位就是四个字节在一个框里，如果改成16位就是两个字节一个框，改成8位就是一个字节一个框

        这个软件可以直接任意修改闪存的数据，但是正常不建议随便改，万一破坏了程序可能会运行会出问题。

选项字节的读写

        

        ·进入选项字节配置界面之后，从上到下框选的部分依次是读保护、用户配置部分、自定义的两个字节和写保护，这四个部分的配置也是可以直接点击就可以配置。    

        写保护点一下是四页同时打钩，对应选项字节里的一个位配置4个闪存页

        ·配置完成之后点击底部apply即可，无需写代码。用代码配置读写保护的话容易造成芯片自锁，比如把闪存写保护了，但是程序里并没有预留解除写保护的代码，锁住之后芯片没办法下载程序，靠芯片自己没办法实现自救，可以通过这个软件进行配置，在选项字节里把第一个框的读写保护都去掉，apply，就可以救活芯片了

stm32f10x_flash.h的函数

        ·函数被分为3个部分，第一部分的注释写的是所有F10x设备都可以使用的函数；第二部分是所有设备都可以使用的、新的函数；第三部分是只有xl加大容量的设备才可以使用的新的函数，并且第三部分的函数有预编译，只有定义了XL这个宏，函数才是有效的        

        加大容量xl比小 ld 中 md 大 ld 容量多了一块新的独立闪存，xl有两块闪存，为了区分，设计者命名新加的这一块为bank2，原来小中大容量的叫做bank1

//与内核运行有关 无需调用
void FLASH_SetLatency(uint32_t FLASH_Latency);
void FLASH_HalfCycleAccessCmd(uint32_t FLASH_HalfCycleAccess);
void FLASH_PrefetchBufferCmd(uint32_t FLASH_PrefetchBuffer);
/
//解锁 转到定义里边是先写入key1再写入key2
void FLASH_Unlock(void);
//加锁 把CR寄存器的lock位设置为1
void FLASH_Lock(void);
///
//一下一片是对主闪存和选项字节进行擦除和编程的函数   返回值是对应操作的完成状态
//typedef enum		//FLASH_Status转到定义后是一个枚举 执行完后会返回对应执行状态
//{ 
//  FLASH_BUSY = 1,			返回这个表示芯片当前忙
//  FLASH_ERROR_PG,			返回这个表示编程错误
//  FLASH_ERROR_WRP,		返回这个表示写保护错误
//  FLASH_COMPLETE,			如果执行完全没问题返回这个
//  FLASH_TIMEOUT			返回这个表示等待超时
//}FLASH_Status;
//闪存擦除某一页 参数给一个起始地址 将指定的页擦除
FLASH_Status FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address);
//全擦除
FLASH_Status FLASH_EraseAllPages(void);
//擦除选项字节
FLASH_Status FLASH_EraseOptionBytes(void);
//在指定地址写入字
FLASH_Status FLASH_ProgramWord(uint32_t Address, uint32_t Data);
//在指定地址写入半字
FLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data);
//自定义的DATA0和DATA1
FLASH_Status FLASH_ProgramOptionByteData(uint32_t Address, uint8_t Data);
//写保护
FLASH_Status FLASH_EnableWriteProtection(uint32_t FLASH_Pages);
//读保护
FLASH_Status FLASH_ReadOutProtection(FunctionalState NewState);
//用户选项的3个配置位
FLASH_Status FLASH_UserOptionByteConfig(uint16_t OB_IWDG, uint16_t OB_STOP, uint16_t OB_STDBY);
/
//获取用户选项的三个配置位
uint32_t FLASH_GetUserOptionByte(void);
//获取写保护状态
uint32_t FLASH_GetWriteProtectionOptionByte(void);
//获取读保护状态
FlagStatus FLASH_GetReadOutProtectionStatus(void);
//获取预取缓冲区状态
FlagStatus FLASH_GetPrefetchBufferStatus(void);
//中断使能
void FLASH_ITConfig(uint32_t FLASH_IT, FunctionalState NewState);
//获取标志位
FlagStatus FLASH_GetFlagStatus(uint32_t FLASH_FLAG);
//清除标志位
void FLASH_ClearFlag(uint32_t FLASH_FLAG);
//获取状态
FLASH_Status FLASH_GetStatus(void);
//等待上一次操作	在执行耗时操作的时候函数内部已经调用了 无需我们单独调用
FLASH_Status FLASH_WaitForLastOperation(uint32_t Timeout);

擦除

main.c部分代码

#include "stm32f10x.h"                  // Device header
#include "Delay.h"
#include "OLED.h"
#include "MyFLASH.h"

int main()
{
	OLED_Init();
	
	OLED_ShowHexNum(1,1,MyFLASH_ReadWord(0x08000000),8);//读取闪存的起始地址
	OLED_ShowHexNum(2,1,MyFLASH_ReadHalfWord(0x08000000),4);//读取闪存的起始地址
	OLED_ShowHexNum(3,1,MyFLASH_ReadByte(0x08000000),2);//读取闪存的起始地址
	while(1)
	{

	}
}

        编译烧录后发现，屏幕显示第一行是2000 0660，第二行是0660 ，第三行是60，打开STLINK unity，查看08000000起始地址下的第一个数据，发现和OLED显示的内容一样，说明读写没有问题

        将数据宽度改为16位，发现第一个数据显示变为了0660，正好符合OLED显示的第二行，半字读取的效果；再将数据宽度改为8位，发现显示的内容是60，与OLED第三行显示的内容一致。

        从这数据宽度改变，读取的数值改变可以发现，数据是以小端模式存储的，也就是低位字节存储在低位地址，如果以字节读取，第一个就是60；以半字读取，前两个字节读取，由高位到低位是06 60；以字读取，前四个字节组合到一起，由高位到低位是20 00 06 60，是与显示在STLINK unity相反，如下图

        ·编译烧录完代码之后，按下复位键屏幕会进行刷新，数据不会丢失

        ·如果按下按键，进行页擦除，之后再按下复位键，发现屏幕不会再进行刷新，原因是程序已经被擦除，损毁，无法运行，此时可以打开STLINK unity观察FLASH中的数据，发现0800 0000起始的这一页的数据全部被擦除了。

        但是此时OLED显示的值并没有消失，因为OLED内部具有显存，可以保存最后一次显示的内容，如果断电之后重新上电的话会发现OLED没有任何的显示，如果是进行全擦除也是同理

编程

        ·对于64K的闪存，最后一页的起始地址就是0800 FC00。在写入之前需要先执行页擦除。在myflsah.c处添加如下函数

void MyFLASH_ProgramWord(uint32_t Address,uint32_t Data)
{
	FLASH_Unlock();
	FLASH_ProgramWord(Address,Data);
	FLASH_Lock();
}
void MyFLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address,uint16_t Data)
{
	FLASH_Unlock();
	FLASH_ProgramHalfWord(Address,Data);
	FLASH_Lock();
}

        在main.c部分加上如下代码

	MyFLASH_ErasePage(0x0800fc00);
	MyFLASH_ProgramWord(0x0800fc00,0x12345678);
	MyFLASH_ProgramHalfWord(0x0800fc10,0xabcd);

        编译下载后打开STLINK unity，下滑到0x0800 fc00，检查存储的数据，恰好是我们写入的数据。如果写入新的数据在同一页，那么会将原来的数据擦除，因为在写入之前会先执行擦除的操作，这里执行的是页擦除。

掉电不丢失存储

        main.c部分代码

#include "stm32f10x.h"                  // Device header
#include "Delay.h"
#include "OLED.h"
#include "MyFLASH.h"
#include "Key.h"
#include "Store.h"

uint8_t KeyNum;

int main()
{
	OLED_Init();
	GPIO_Key_Init();
	Store_Init();//第一次使用的时候初始化闪存，把闪存备份的数据加载会SRAM数组
	OLED_ShowString(1,1,"flag:");
	OLED_ShowString(2,1,"data:");
	while(1)
	{
		KeyNum = Key_GetNum();
	
		if (KeyNum == 1)
		{
			Store_DATA[1]  ++;
			Store_DATA[2]  +=2;
			Store_DATA[3]  +=3;
			Store_DATA[4]  +=4;
			Store_Save();
		}
		if (KeyNum == 2)
		{
			Store_Clear();
		}
		OLED_ShowHexNum(1,6,Store_DATA[0],4);
		OLED_ShowHexNum(3,1,Store_DATA[1],4);
		OLED_ShowHexNum(3,6,Store_DATA[2],4);
		OLED_ShowHexNum(4,1,Store_DATA[3],4);
		OLED_ShowHexNum(4,6,Store_DATA[4],4);
	}
}

        store.c部分代码

#include "stm32f10x.h"
#include "MyFLASH.h"

#define STORE_START_ADDRESS 0x0800fc00
#define STORE_COUNT			512


//使用SRAM缓存数组来管理FLASH的最后一页，实现参数的任意读写和保存。由于闪存每次都是擦除再写入，擦除之后容易丢失数据，需要靠SRAM来灵活管理数组，需要备份的时候再统一保存到数组里
//想存储掉电不丢失的参数的时候，先任意更改数组中除了标志位外的数据，之后将数组整体备份到闪存的最后一页
uint16_t Store_DATA[STORE_COUNT];//STORE_COUNT个数据，每个数据16位，2字节 正好对应闪存的一页1024字节


void Store_Init(void)
{
	//需要先初始化一下，比如第一次使用闪存的话全部默认ff 参数和SRAM一般默认0 对于第一次使用要对各个参数都置0
	//把闪存最后一页的第一个半字当做标志位判断
	if(MyFLASH_ReadHalfWord(STORE_START_ADDRESS) != 0xa5a5)	//这里的a5a5是自己定义的标志位 不是标志位说明第一次使用
	{
		MyFLASH_ErasePage(STORE_START_ADDRESS);
		MyFLASH_ProgramHalfWord(STORE_START_ADDRESS,0xa5a5);//写上规定的标志位a5a5
		for(uint16_t i = 1;i < STORE_COUNT;i ++)	//将剩余的空间全部置为默认值0 注意从1开始跳过标志位
		{
			MyFLASH_ProgramHalfWord(STORE_START_ADDRESS + i*2,0x0000);//一个半字占用两个地址
		}
	}
	
	for(uint16_t i = 0;i < STORE_COUNT;i ++)	//把闪存备份的数据恢复到SRAM数组里
	{
		Store_DATA[i] = MyFLASH_ReadHalfWord(STORE_START_ADDRESS + i*2);
		
	}
}

void Store_Save(void)
{
	//擦除最后一页
	MyFLASH_ErasePage(STORE_START_ADDRESS);
	//将数组完全备份到闪存
	for(uint16_t i = 0;i < STORE_COUNT;i ++)
	{
		MyFLASH_ProgramHalfWord(STORE_START_ADDRESS + i*2,Store_DATA[i]);
	}
}

void Store_Clear(void)
{
	for(uint16_t i = 1;i < STORE_COUNT;i ++)
	{
		Store_DATA[i] = 0;
	}
	Store_Save(); //归零之后需要把数据更新到闪存里 否则下次上电加载的是之前的数据
}

        将该程序编译烧录之后发现，按下按键1是执行各个数的操作，按下按键2是执行全擦除，其中对数进行增加的操作时如果掉电了是会自动保存数据的，复位也不会将其清除。在连接到STLINK unity之后是可以查看其变化的数据，但是查看期间无法进行按键操作。

闪存的空间分配问题

        ·在我们目前的代码中，闪存前边一部分是程序文件，后边是用户数据，是基于假设程序文件比较小的情况下，最后一页用不到，如果程序比较大触及到了最后一页，程序和用户数据存储的位置冲突。或者说最后10页都打算留给用户存储数据，如果前边的程序长一点就会容易和用户数据冲突，难以发现，易产生隐蔽的bug。

        可以通过给程序文件限定一个存储范围，不让其分配至后边存储数据的空间

        如上图，片上的起始地址是08000000，最高位的0省略了，size是10000，默认全部的64K 闪存都作为程序代码的分配空间，如果想把闪存尾部的空间留着自己使用，可以把程序空间的size改小，比如改成FC00，编译后的代码就不会分配到最后一页了，但是size过小编译会报错。

        下载程序的起始地址也可以更改，比如想写个bootloader放在闪存尾部，可以在这里修改下载到闪存的位置。

        右边是片上RAM的起始地址和大小，2000开始，5000大小，对应就是20K

下载选项-下载方式的选择

        ·debug - settings - flash download中配置下载选项，这里选择的是第二个，擦除扇区，也就是页擦除

        第一个是每次下载代码都全擦除再下载

        第二个是用到多少页就擦多少页，下载会更快一些，如果想在闪存尾部存储数据，最好选择页擦除下载，否则每次下载程序芯片都全擦除

程序编译后占用空间大小的查看

        在编译后底部会显示program size程序大小，前三个数相加就是程序占用闪存的大小，后两个数相加就是占用SRAM的大小。

        可以双击左侧的target1，会自动打开.map文件，里边是详细的编译信息。划到最后面可以看到如下图                 倒数第二行是占用SRAM的大小，大小是2664字节，2.6KB

        最后一行是占用闪存的大小，4576字节，4,。47kb

        看完这个内容之后建议是把.map文件关闭，不然编译后会弹出询问是否重新加载的窗口

查看芯片ID

查看芯片的闪存容量

#include "stm32f10x.h"                  // Device header
#include "Delay.h"
#include "OLED.h"


int main()
{
	OLED_Init();
	
	OLED_ShowString(1,1,"F_SIZE:");
	OLED_ShowHexNum(1,8,*((__IO uint16_t*)(0x1ffff7e0)),4);
	while(1)
	{

	}
}

        编译烧录后，显示出的是 0080，说明闪存大小是128K，如果是0040就是63K

#include "stm32f10x.h"                  // Device header
#include "Delay.h"
#include "OLED.h"


int main()
{
	OLED_Init();
	
	OLED_ShowString(1,1,"F_SIZE:");
	OLED_ShowHexNum(1,8,*((__IO uint16_t*)(0x1ffff7e0)),4);
	
	OLED_ShowString(2,1,"U_ID:");
	OLED_ShowHexNum(2,6,*((__IO uint16_t*)(0x1ffff7e8)),4);
	OLED_ShowHexNum(2,11,*((__IO uint16_t*)(0x1ffff7e8 + 0x02)),4);
	OLED_ShowHexNum(3,1,*((__IO uint16_t*)(0x1ffff7e8 + 0x04)),8);	
	OLED_ShowHexNum(4,1,*((__IO uint16_t*)(0x1ffff7e8 + 0x08)),8);
	while(1)
	{

	}
}

        编译烧录后，最终展示的就是芯片的ID了，代码以多种形式进行读取，通过STLINK unity也可以验证数据的准确性。其中如果选择32位形式查看的话，OLED显示的16位的数据要以小端模式进行读取。