学习目标:
了解与掌握基准电压源的基本概念、核心指标、设计思想与实现。
学习内容:
基准源最核心的指标是精度以及稳定度,反应输出电压稳定度的三个核心指标:电压调整率、电流调整率(输出电流很小且固定,不做为关键指标)、温度系数。电压调整率反映VCC供电波动对输出电压的影响、电流调整率反映负载变化对输出的影响、温度系数反映环境温度波动对输出的影响。
获取基准电压的两种方式
1.分压式:以分压的方式获取所需电压基准
优势:由于电阻可同时生产,生产出来的参数大致相同,所以其温度系数低。
劣势:电源抑制特性差。
解决方案:通过有缘网络分离交直流阻抗,降低交流分压比来获得电源抑制比。
输出电压VR=VCC*R2/(R1+R2)
可利用有缘网络来代替R2,实现交直流阻抗分离。
2.基准电流变换基准电压:利用恒定电流源,通过阻抗变换为电压,来获取基准电压
劣势:温度系数高,补偿复杂。
以恒流源取代上图中上分压电阻R1,则构成了恒流基准源,但是,在此设计中温度补偿是一个关键点。
利用PN结的正温度特性,以及两个PN结之间的负温度特性(两个晶体管的基极与发射极电压的差值与绝对温度成正比),来实现正负温度变化的相互抵消。
VR=Vbe+a(Vbe1-Vbe2)>>VR=Vbe+aδVbe
对上式求温度的导数可得dVbe/dT=(Vbe-Vg-3VT)/T
可得VR=Vbe+aδVbe=Vg0+3VT≈Vg0
Vg0为带隙电压,即,当输出为带隙电压时,具有零温度系数——带隙基准源。
基本带隙基准源电路
根据虚短虚断,可得VR2=(R2/R3)*δVbe=aδVbe。
Vout=Vbe1+δVbe,通过调节R1、R2阻值以及Q1、Q2发射极面积使VR=Vg0.
有:δVbe=Vbe1-Vbe2,Io=δVbe/R2,VR=Vbe3+(R3/R2)δVbe
自偏置电流源
如图自偏置电流源,当宽长比均相同时Iout=IREF,但是电流源面临着启动的问题,以及电流无法确定。
为了确定唯一的电流值,对电路加一个约束: