【基本MOS逻辑单元学习（MOS反相器一）】

学习目标：

学习一下基本MOS逻辑单元中的反相器，包括单沟道MOS反相器、E/E饱和负载反相器、E/E非饱和负载反相器、自举负载饱和反相器等。

学习内容：

1. 单沟道MOS反相器

   对于单沟道MOS反相器来说，K1、K2为同类型晶体管，输入信号无法完成对K1、K2的同步互补控制；
   同时，在所有类型的反向器中，输入管均为增强型NMOS管（等效下拉电阻），重点是，对于不同的反相器来说，其差异就是等效上拉电阻的不同！
   

   

   其中：当A为“0”时，输出为VDD
           当A为“1”是，输出为VDD在两个等效电阻上的分压：[R2/(R1+R2)]VDD
           由于对于有源负载的等效电阻之比，可以归因于两管的基础参数（宽长比）之比，所以，又称为有比电路。
   

2. E/E饱和负载反相器

   将负载管的栅源进行短接，此时有VDS>VGS-Vth，MOS管导通必饱和，所以为饱和负载，其输入输出原理与单沟道MOS反相器原理一致，但是其存在阈值损失“：输出高电平比电源电压低一个阈值电压。
   如何理解阈值损失？以NMOS为例，如果需要是的NMOS导通，需要VGS>VTH，所以当VG=VDD的时候，VS最大到VDD-VTH，NMOS才能导通，换句话说，NMOS开关最大传输VDD-VTH电压，所以NMOS一般传输低电平，PMOS同理,这就是阈值损失。
   

当输出低电平的时候，两管电流相同，设K因子比为β=K1/KL
有Vol=（VDD-VTL）²/[2β（Vi-VTL）]

    E/E饱和负载电路的三个缺点：
    1.当输出低电平时，形成有比电路，需要调整两管之间的宽长比，由此，集成度低
    2.随着输出电平上升时，TL的导通能力下降，由此，上升时间长
    3.存在阈值损失

3. E/E非饱和负载反相器

   为消除阈值损失，提高负载管栅极电位，进行单独供电：VGG>VDD+VTL
    此时：VGG-VO>VDD-VO+VTL,VDS<VGS-VTL,形成了非饱和负载。
   

   

   特点：虽然避免了阈值损失，但多电源系统复杂，成本高；虽提高了VG，改善了上升速度，但功耗更大；没有解决有比电路的局面。
   

4. 自举负载饱和反相器

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T1、T2仍然为输出管、负载管，其中：Cb为自举电容，与栅极寄生电容Cs一起以分压的形式将输出电压反馈到栅极（为了实现负载管栅极电压随输出电压可变，从而达到，解决阈值损点，提高上升速度，又降低有比效应的问题）。T3的作用是为了给负载管形成偏置，让其得以有初始运行条件。
缺点是引入了电容，不利于集成，且成本上升。