MOS管介绍

MOS管

基本介绍

BJT：双极性晶体管，BJT是电流控制器件

FET：场效应晶体管，FET是电压控制器件

科普： 三极管（BJT）是电流控制器件： 三极管的基本原理是，通过一个小电流（基极电流）来控制一个大电流（发射极电流）。 当施加在基极上的电流变化时，发射极电流也随之变化，这使得三极管可以放大电流信号。 三极管的电流放大倍数（β）通常为小几十到小几百，这意味着它可以将微弱的输入电流放大成更大的输出电流。 MOS管是电压控制器件： MOS管的工作原理与三极管不同。它的控制是通过栅极电压来实现的。 当施加在栅极上的电压变化时，MOS管的导通状态会改变。 MOS管的栅极电流非常小，几乎可以忽略不计。因此，它的耗散功率较低，效率更高。 在功率开关电路中，通常会选择MOS管而不是BJT，因为MOS管的效率更高。 总之，虽然流行的观点是三极管是电流控制器件，MOS管是电压控制器件，但实际上，这两者都是通过电流或电压来控制的，只是在不同的应用场景下有不同的优势。

引脚判断：无论是N沟道还是P沟道有两根线连在一起的就是S极。 寄生二极管的方向判断：跟箭头方向保持抑制。

常见封装引脚判断

特征曲线（增强型NMOS）

横轴为VDS
 

工作状态判断

开关电路设计

MOS管在当开关使用时，通常来说VGS大于2-5倍的VGS(th)

D1二极管起加速关断的作用
 

控制MOS管实际就是对CGS电容充放电的过程
 

相关参数以及选型

漏源电压

记得保留余量，比如工作5V，漏源电压可以选12V，15V等，多10%-20%的余量

连续漏极电流（Id）

阈值电压【Vgs(th)】

导通电阻【RDS(on)】

考虑功耗时要特别注意！

功率

米勒平台

Cgd是米勒电容

跨导（应用在精密场合）

电平转换电路

IC1和IC2可以互相控制对方。 注意：IC2低控制IC1低时，主要利用MOS管的体二极管控制

体二极管

栅源并联稳压管

防静电

万用表判断MOS管引脚

测试时，都导通或者都截止，说明MOS管损坏

MOS管和三极管的区别

小知识——安规三项

为何产品要进行电气安规测试？

电器安规测试虽然在生产线占了一点时间，但它却能让您降低产品因电气危害而回收的风险

安规三项：耐压测试、漏电流测试、保护接地，每项测试都有专业设备

耐压测试

耐压测试在产品的电源端和地端电路上，施以一高压并量测其奔溃状态。

漏电流测试

检测AC/DC电源流至地端的漏电流是否超过标准。

接地保护测试

检测可接触之金属机构等部位是否有确实接地。