我用MOS管做开关管却不能关闭？

我用MOS管做开关管却不能关闭？

摘要

场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）又叫MOS管，MOSFET在数字技术应用和功率应用上的普及和发展得益于它的两个优点。优点之一就是在高频率开关应用中MOSFET使用比较方便，MOSFET更加容易被驱动，这是因为它的控制极和电流传导区是隔离开的，因此不需要一个持续的电流来控制。一旦MOSFET导通后，它的驱动电流几乎为0。另外，在MOSFET中，控制电荷的积累和存留时间也大大的减小了。这基本解决了设计中导通电压降和关断时间之间的矛盾。因此，MOSFET技术以其更加简单的、高效的驱动电路使它比晶体管设备具有更大的经济效应。然而如果不了解MOS等效模型，以为MOS管和三极管的驱动电路一样，这是非常错误的思想。下面我将从我在实际应用中犯错的一种电路并配合仿真视频，讲解MOS原理。

关键词：MOS等效模型；

(1) 实际应用中犯错的电路

图1 MOS管应用错误图

从图1可以看出，NPN三极管Q3的C极与PNP-MOS管的G极连接，开关SW1与三极管Q3的B极连接。假设VCC=5V，在SW1没有闭合的情况下，三极管Q3的静态工作点V b=0.5*VCC>0.6V,且三极管Ib=(VCC-0.6V)/3K=1.47MA。假如MOS-Q2正常导通一瞬间，那么三极管Q3的CE之间就会有电流，由于此时三极管Q3的Ib足够大，此时三极管Q3 应该处于饱和状态。但是实际电路中，无论开关SW1闭合/断开，此时MOS-Q2都处于导通状态，这是什么原因？

如下是用Multisim14做的仿真视频，采用两种电路，第一种是MOS做开关管，第二种是三极管做开关管。

1.两种对比视频

图2 仿真电路图

从仿真图2中也可以得出，电路1中无论开关S1闭合/断开，MOS-Q1都是导通的，电路2中三极管Q3随着开关S2闭合/断开处于截止/饱和状态。那么图1是什么原因导致MOS的开关控制电路失效？这就需要从MOS的等效模型说起了。

(2) MOSFET等效模型

图3 MOSFET的几种等效模型

图3（a）中的模型是基于功率MOSFET器件的实际结构来给出的，它主要应用在直流分析上面。它将沟道阻抗和外延层的阻抗都形象的体现出来了，而外延层的阻抗一般都是由它的厚度来决定的，高压功率MOSFET的外延层一般都比较厚。图3（b）的模型可以用来研究MOSFET由dv/dt引起的击穿特性。如今，功率MOSFET的生产制造水平都有了很大的提高，所以它的“基极”和“发射极”的电阻制作的越来越小，所以一般不会出现dv/dt诱发寄生NPN晶体管导通的情况。图3（c）中是功率MOSFET的开关等效模型，它可以作为研究功率MOSFET驱动过程的模型。下面将以图3（c）作为MOSFET等效模型进行分析。

图4 MOS等效模型

​ MOSFET的等效模型可以如图４所示，但是上述涉及的电容在数据手册（Datasheet）中均未涉及和说明。它们的值由Ciss、Crss、Coss间接给出：

Ciss:输入电容，就是指当漏极和源极短路时，测得栅极和源极之间的交流信号下的电容，输入电容由两个部分组成：
$$C_{iss}=C_{GD}+C_{GS}$$
当输入电容充电到开启电压时功率MOSFET才能开启，同样放电到某个值时功率MOSFET才能关断。因此驱动电路和Ciss是影响功率MOSFET的开启和关断的主要因素。

Coss:输出电容，就是当栅极和源极短路时，测得的漏极和源极之间的交流信号下的电容。输出电容由两部分组成：
$$C_{OSS}=C_{DS}+C_{GD}$$
输出电容对于软开关的应用很重要，因为它可能引起电路的谐振。

Crss:反向传输电容，就是指在源极接地的情况下，测得的漏极和源极之间的电容。
$$C_{rss}=C_{GD}$$
反向传输电容也称为米勒电容，是影响开关上升时间和下降时间的重要参数之一，它还影响着关断延迟时间，反向传输电容随着漏源电压的增大而减小。

实验中用到的MOS型号为HY1603D,参数如下图5所示：

图5 HY1603D参数

从Datasheet中可以得出这个型号的输入电容Ciss:=1623PF、输出电容Coss =702PF、反向传输电容Crss=264PF在Vgs=0V、Vds=15的条件下测得，代入式（1）、（2）、（3），可以计算得到：
$$\begin{array}{rl}& C_{GS}=1369PF\\ & C_{GD}=438PF\\ & C_{\mathrm{G}\mathrm{D}}=264PF\end{array}$$
式4得出Cgs=1369pF=1.4nF,说了这么多怎么还没讲为啥内容（1）中MOS没有正常导通截止？

回到图1，可以用将MOS用等效模型代替，如图6所示：

图6 实际电路等效模型

从图6可以看出，在三极管Q6的C极与MOS-Q5的G极直接其实连接了一个电容Cgs,当开关SW3断开，电源VCC通过Q6给电容Cgs充电，而开关SW3闭合后，电容Cgs没有充电但是也没用进行放电，所以导致MOS-Q5的G极电压接近0V，从而导致Vsg电压低于Vsg(th)阈值电压，所以MOS-Q5一直处于导通状态。一定要注意：这里MOS-Q5导通指的是Vs与Vg之间的电压差。那有什么办法可以解决这种错误？我想了两个办法，第一个方法是将MOS改为PNP三极管，第二个方法是在GS之间并联电阻。如图7、图8所示：

图7 MOS改为PNP三极管电路图

图8 MOS的GS之间并联电阻电路图

最后是仿真电路视频：

2.改进视频

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