IRFB4310 INFINEON 英飞凌

最新推荐文章于 2024-05-24 17:59:23 发布
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文章标签： 单片机 嵌入式硬件 物联网
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IRFB4310和IRFSL4010都是N沟道MOSFET晶体管，以下是它们的详细参数：
IRFB4310
额定电压：100V
额定电流：120A
静态电阻：2.5mΩ
比较大功率：300W
封装形式：TO-220AB
开关时间：30ns
漏极电容：4000pF
工作温度范围：-55℃ ~ 175℃
IRFSL4010
额定电压：100V
额定电流：100A
静态电阻：1.7mΩ
比较大功率：300W
封装形式：TO-262
开关时间：30ns
漏极电容：4000pF
工作温度范围：-55℃ ~ 175℃
以上是IRFB4310和IRFSL4010的主要参数，仅供参考。

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场效应管IRF640参数，封装资料
07-12
场效应管IRF640资料，包含电压参数，电流参数，外形参数，各类封装尺寸，电路应用图等。
电源技术中的IR推出导通电阻低至4.5mΩ的AC/DC同步整流MOSFET
11-24
国际整流器公司(International Rectifier, IR)推出75V至100V的系列HEXFET MOSFET，适用于AC/DC同步整流(SR)和ORing电路。 　　此系列MOSFET具有很低的导通电阻(IRFB4310为7mΩ，IRFB3207为4.5mΩ)，适用于多种不同AC/DC拓扑结构(包括回扫、半桥、全桥和正向转换器)的辅面(secondary side)，并提高膝上型电脑/LCD适配器和服务器AC/DC SMPS应用的效率及功率密度。 　　采用同步整流MOSFET代替肖特基二极管整流器可大幅提高效率，此同步整流MOSFET有助于减少外围元件、节省电路
flexray控制器 MFR4310英文版手册
04-03
flexray控制器 MFR4310英文版手册 flexray控制器 MFR4310英文版手册 MFR4310英文版手册
FlexRay通信控制器MFR4310参考手册.pdf
08-06
FlexRay通讯控制器MFR4310参考手册（Rev.2 03/2008） This reference manual provides information on a system that includes the MFR4310 FlexRay Communication Controller Module.
MFR4310FS.pdf
04-10
MFR4310 Reference Manual，详细，官方。FlexRay networking is a next-generation automotive communication protocol featuring high bandwidth, determinism and fault tolerance. The MFR4310 stand-alone FlexRay controller eases the integration of FlexRay communication into applications using MCUs without an embedded FlexRay controller. The MFR4310 controller is optimized for communicating directly with Freescale’s S12X family of 16-bit MCUs, and the MPC500 and MPC5500 families of 32-bit MCUs.
IRFB7430PBF 英飞凌 infineon
xinmaishiye的博客
05-23 359
IRFB7430PBF 英飞凌 infineon
IRFB7534PBF 英飞凌 infineon
xinmaishiye的博客
05-23 80
IRFB7534PBF 英飞凌 infineon
中文资料IRFB4227PBF 电桥驱动器驱动芯片
2401_84083832的博客
04-18 1050
IRFB4227PBF 是由Infineon Technologies（英飞凌科技）制造的一款功率半导体器件，它是一种高性能N沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。该器件具有低导通电阻、高耐压和高速开关特性，适用于各种高效率和高频率的电源转换和驱动应用。3. 低导通电阻：典型的导通电阻值为0.42Ω（最大值为0.55Ω），在高电流应用中可实现低损耗和高效率。5. 封装形式：TO-252-3L（DPAK）封装，具有良好的散热性能，适用于高功率应用。Vgs - 栅极-源极电压:30 V。
IRFB4227PBF N沟道,200V,65A,19.7mΩ@10V
LiAi1117的博客
04-07 840
它具有高耐压（40V）和大电流（27A）的特性，适用于各种电源转换、电机驱动和功率管理系统等应用。4. 小外形尺寸：采用PowerPAK SC-76封装，具有较小的体积和较低的热阻，易于在紧凑型设计中布局和散热。1. 高耐压：40V的漏源电压（Vds），能够承受较高的反向电压，适用于高压电源转换应用。3. 低导通电阻：具有较低的导通电阻（Rds（on）），在开关过程中可降低功耗和提高效率。2. 大电流：27A的连续漏极电流（Id），可在大功率应用中提供高效的开关性能。Vgs - 栅极-源极电压:30 V。
IRFB4310 INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf
06-26
IRFB4310是由英飞凌科技（INFINEON）制造的一款高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款芯片设计独特，具有优异的栅极、雪崩以及动态dV/dt耐受能力，适用于多种高效率电源转换应用。 ### 主要特性 ...
IRFB4310ZPBF INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf
05-30
IRFB4310ZPBF是一款由英飞凌科技（INFINEON）生产的高性能MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于HEXFET系列。HEXFET技术以其卓越的门极、雪崩和动态dV/dt耐受能力而闻名，这使得该芯片在高功率应用中表现...
IRFB4410 INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf
06-26
IRFB4410是一款由英飞凌（Infineon）公司生产的高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款芯片适用于高压高速开关应用，具有优异的性能特点和广泛的应用领域。 ### 主要特点 1. **门极、雪崩和动态dV...
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06-25
IRFB3307是一款由著名半导体制造商INFINEON英飞凌推出的高性能功率MOSFET芯片，其主要特点是具备优秀的栅极、雪崩和动态dV/dt耐受能力。这款芯片在设计上充分考虑了电容特性和雪崩工作区的全面特性，同时优化了体...
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06-25
IRFB7740是英飞凌（INFINEON）公司生产的一款StrongIRFET™ HEXFET®功率MOSFET芯片，主要用于各种电力电子应用。这款芯片的特点在于其高耐压、低导通电阻以及出色的抗栅极、雪崩和动态dV/dt能力。以下是该芯片的...
IRFB3307ZPBF 75V具有高性能特点
2401_84084982的博客
04-03 761
IRFB3307ZPBF是一款由英飞凌（Infineon）生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它是一种N沟道MOSFET，具有120A的接连漏极电流和75V的漏源极击穿电压。这款器材常用于电源办理、开关电源、电机驱动等运用中。其封装形式为TO-220-3。在电路设计中，IRFB3307ZPBF的首要作用是作为开关元件，用于操控电流的通断。由于其具有较高的开关速度和较低的导通电阻，因此在电源办理、开关电源、直流电机驱动等运用中得到了广泛运用。
IRFB3207PBF TO-220 N沟道75V/180A 直插MOSFET场效应管
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RFB3207PBF 可以用于电源管理、电机控制、电池管理系统以及其他需要高效能开关功能的电路中。由于其良好的电气性能和可靠性，该器件广泛应用于工业、通信和消费类电子产品中。
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IRFS3206 60V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET
m0_59675335的博客
07-10 360
优势 优化分销合作伙伴的广泛可用性 根据 JEDEC 标准进行产品验证 针对10 V栅极驱动电压进行了优化（称为正常电平） 工业标准通表面安装功率封装 高电流承载能力封装（高达195A,芯片面积可变化） 可用于波焊 指标参数 Parametrics IRFS3206 ID(@25°C) max 210.0A Moisture Sensitivity Level 1 Mounting SMD Ptotmax 300.0W ...
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