动态RAM(64K*1)INTEL2164简介(抄自原理图)

最新推荐文章于 2024-05-02 09:58:56 发布

只是有点小怂

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分类专栏：微机原理闹危机

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本文深入探讨了INTEL2164芯片的技术规格，包括其作为64K×1位DRAM的工作原理，读/写周期为300ns，存取时间为150ns的特点。芯片内部分为四组，共包含65536个存储单元，通过分组排列实现高效的内存刷新。在2ms的刷新周期中，需要再生的行数为128，再生地址为7位(A6～A0)，A7状态在再生过程中不影响芯片工作。

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在这里插入图片描述

128 *128 = 16,384

16,384 * 4 = 65,536

在这里插入图片描述

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INTEL2164芯片是64K×1位DRAM芯片，读/写周期为300ns,存取时间为150ns,仍采用16条引脚的双列直插式封装，芯片内部的65536个存储单元被分为四组。由于内部这种分组排列，且再生时四组的同一行同时刷新，于是在2ms的刷新周期里需要再生的行数仍为128，再生地址仍为7位(A6～A0)。再生期间，A7的状态对再生不产生任何影响。16位地址是分时锁存的。

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