基于MOS管的开关电路

一、MOS管硬性知识

1.1三个极的判定

G极(gate)—栅极
S极(source)—源极,不论是P沟道还是N沟道,两根线相交的就是
D极(drain)—漏极,不论是P沟道还是N沟道,是单独引线的那边

1.2N沟道与P沟道判别妙招

类比三极管的N、P类型区别方式,箭头时钟始终由P指向N。

上图中左边这个,由P指向N,并且在一侧的也为N(图中椭圆),故是NPN;

上图中右边这个,由P指向N,并且在一侧的也为P(图中椭圆),故是PNP;

1.3寄生二极管方向判定

不论N沟道还是P沟道MOS管,箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的:

要么都由S指向D,要么都有D指向S

反证法加强理解
NMOS假如:S接输入,D接输出。由于寄生二极管直接导通,因此S极电压可以无条件到D极,MOS管就失去了开关的作用(看完笔记就能看懂这句话了)

1.4MOS开关实现的功能

  1. 信号切换
  2. 电压通断

1.5从MOS管实物识别管脚

无论是NMOS还是PMOS ,按上图方向摆正,中间的一脚为D,左边为G,右边为S。
或者这么记:单独的一脚为D,逆时针转DGS。
这里顺便提一下三极管的管脚识别:同样按照上图方向摆正,中间一脚为C,左边为B,右边为E。

二、N型和P型增强型MOS管的基础知识

一些知识点以N沟道增强型为例说明,P沟道增强型可以类比。

2.1结构对比 

最主要区别在于:衬底和挖出的两个电极半导体类型不同。

N沟道增强型:为P型衬底,挖出电极为N型,两电极之间需要导通则要形成N型导电沟道,故被称为N沟道增强型。

2.2导电沟道及开启条件对比

N沟道增强型两电极之间需要导通则要形成N型导电沟道,g和s之间(实际是g和B之间,但是s和B

相通)电压必须足够高(正电荷),来吸引负电荷导通两个N电极。

故开启条件:V_{GS}\geq V_{GS\left ( th \right )},大于正的

注意,P沟道增强型的开启条件是V_{GS}小于负的V_{GS\left ( th \right )}

三、共源接法电路图对比

意味着P沟道增强型的G端接MCU时,想要P管导通,MCU对应端口输出负电压(如:-3.3V)

四、基于MOS管的开关电路

一些知识点以N沟道增强型为例说明,P沟道增强型可以类比。

4.1NMOS管单开关电路的结构

4.2NMOS管单开关电路实现高低电平输出

MOS管当开关管使用时,工作在以下两个区:

  1. 截止区→开关闭合
  2. 可变电阻区→带电阻的闭合开关

4.2.1输入为低电平

上图中,R_{OFF}为MOS管断开时的等效电阻;V_{OH}为输出高电平(O为OUT,H为Hight)。

输入为低电平→MOS管断开→输出高电平。

4.2.2输入为高电平

上图中,R_{ON}为MOS管导通时的等效电阻;V_{OL}为输出低电平(O为OUT,L为Low)。

输入为高电平→MOS管导通→输出低电平。

4.3PMOS管类比

4.4上下拉电阻的作用

上面的图为了说明原理,没有加上下拉电阻,但是在实际布线中上下拉电阻是必要的。

(1)电时给MOS管的栅极一个确定的电平,防止上电时GPIO为高阻状态时MOs栅极电平不确定受到干扰。

(2)断电时,如果MOS是导通的状态,Gs间的寄生电容没有放电路径,电阻给cgs一个放电路径。

(3)防止静电击穿。电荷累积在栅极,有击穿的风险。

五、输出特性曲线对比

六、三极管开关电路和MOS管开关电路的对比

最根本的区别:三极管(BJT)是电流控制器件,MOS是电压控制器件

(1)驱动

三极管(BJT)是电流驱动型,三极管需要较大的控制电流,很多时候需要逐级放大。

MOS管为电压驱动型,只需要给电压即可。MOS管的栅极电流极小,几乎可以忽略。即便栅极串入一个100K的电阻,只要电压够,MOS管还是能够导通。

(2)压降

MOS管饱和导通时产生的压降理论上为0,比BJT饱和压降低,所以耗散功率小,效率也更高,所以一般的功率开关管会选择MOS管而不是BJT。

(3)温度特性

MOS管的温度特性要比三极管好。

(4)总结

MOS管比三极管最大的优点是所需的驱动功率小,用MOS管做电源驱动时,只需要一个驱动电压信号即可,就可以控制很大的电源电流了(几安培到几十安培),控制很方便。如果用三极管,需要几级推动电路,将控制电流逐步加大,也就是多级放大,常见的方式是达林顿电路,这样在设计电路时就很繁琐了,调试也费劲。

另外MOS管的输入阻抗接近无穷,所以最大程度的分压,用作开关静态时,漏电小,功耗小。

不过MOS管并不是没有缺点的,由于MOS管的栅电容的天然缺点,会影响它的开关速度,同样用途的管子,一般BJT要比MOS的速度更快。

当然,这里面还有个成本问题,相对来说,三极管是最便宜的,mos管次之,IGBT就贵很多了。补充说明:实际的应用中大功率的三极管也是有的!最后,我想说,其实这些“开关”本无好坏之分,够用就好!


本文参考:三极管和MOS管作为开关管使用时,有什么区别?该如何选择?

原文链接:https://blog.csdn.net/weixin_44962352/article/details/119868845

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