在原文的基础上,文章最后增添了SOT封装的检测,例如NPN、PNP、NMOS、PMOS步骤与原文类似(需要掌握GSD,BEC具体对应的位置)。
以NMOS举例,只用万用表二极管档测量MOS管的好坏。
NMOS的D极和S极之间有一个寄生二极管,方向为S到D,利用二极管单向导电性以及MOS管导通时寄生二极管截止的特性,可以快速测量MOS好坏。
PMOS管WMS14P03T1中的Vsd参数
1、测量之前将MOS的3个极短接,可以用一根铁丝,泄放MOS管内部电荷,确认MOS管是关闭状态。
短接释放电荷确保MOS截止
2、将万用表调至二极管档,将红表笔接在MOS的S极,黑表笔接在D极,这时寄生二极管是导通状态,万用表会显示电压值,一般是0.4V~0.9V之间(不同的MOS会有所差异)。
3、将黑表笔接在S极,红表笔接在D极,寄生二极管是截止状态,万用表会显示1,相当于开路。
(1)第2步和第3步万用表都显示一定的电压值,代表MOS管D和S已经击穿损坏。
(2)第2和第3步万用表都显示1,代表MOS管寄生二极管开路损坏。
4、万用表红表笔和黑表笔之间有一定的电压,可以将红表笔接在MOS管的G极,黑表笔接在S极,并维持一段时间(给Cgs电容充电,确保MOS有一定的导通),然后再重复第3步,这时万用表也会显示电压值,但接近于0,因为此时DS导通寄生二极管截止。
5、重复第1步,释放电荷,让NMOS处于截止状态,再重复第3步,万用表再次显示1,代表寄生二极管截止。
6、将万用表调至蜂鸣器档或者电阻档,将红表笔接在MOS的G极,黑表笔接在S极,蜂鸣器不会响,GS阻抗比较大,代表GS没有击穿损坏。
只要6步就可以测试MOS管好坏。文章截图主要来源于维安电子的PMOS管WMS14P03T1,主要参数:Vds=-30V,ID=-14A,SOP-8L封装。
S9013 NPN
S9012 PNP