热插拔电路-MAX5947设计

一、热插拔电路有什么作用？

热插拔，即带电插拔。如大型机柜中，若是某块模组损坏需要更换，此时系统不能断电，同时更换模组的过程中不能影响系统的正常工作。由于模组中含有容性器件，在插入过程中存在浪涌电流问题，会造成系统供电电压被拉低，甚至出现插头打火，损坏插头。此时在模组中增加热插拔电路可以解决此问题。

二、热插拔电路的工作原理？

热插拔电路实际就是限流电路，同时提供了短路保护、过流保护及其他保护。常见的热插拔电路是使用热插拔管理芯片。电路主要包含：热插拔管理器、检流电阻（或叫限流电阻）、NMOS及定时器模块。下面以MAX5947热插拔芯片进行分析。

图5

1、在启动过程中，MAX5947_作为电流调节器，使用外部感应电阻和MOSFET来限制由负载所抽取的电流量。

2、MAX5947_可以从+9V到+80V的电源电压范围内工作，并且将默认的UVLO设置为+8.3V。UVLO阈值可通过连接从VCC到ON到GND的电阻分压器进行调节

3、当电路板插入带电背板时，电路板上的电源旁路电容器在充电时从背板电源总线吸入高峰值电流。瞬态电流会永久损坏连接器针脚并导致系统电源故障，导致系统中的其他电路板复位。

4、通电顺序：电源路径通过放置外部n通道MOSFET(Q1)来控制电源（图5）。电阻RSENSE提供电流检测，电容器C1提供栅极转换速率的控制。电阻R6提供电流控制回路补偿，而R5防止Q1的高频振荡。电阻器R1和R2提供欠压传感。在电源引脚第一次接触后，晶体管Q1turn off。当ON脚电压超过接通阈值电压时，VCC接通电压超过过欠电压锁定阈值，当定时器接通电压小于1.233V时，晶体管Q1接通。当电流感测电阻RSENSE的电压达到VSENSETRIP，涌入电流受到内部电流限制电路的限制，该电路调整GATE上的电压以保持感测电阻的恒定电压。具有软启动功能（限流值随FB变化）

5、定时器提供了一种方法来编程设备允许运行在电流限制的最大时间。当电流限制电路不被激活时，定时器会被一个3µA电流源拉到GND，电流限制电路激活后，将80µA上拉电流源连接到定时器，只要电流限制电路保持激活，电压上升，斜率等于77µA/CTIMER。当计时器达到1.233V时，设置内部故障锁。GATE立即被拉到GND，定时器被3µA当前源拉回GND。当计时器低于0.5V时，ON低脉冲以重置内部故障锁。

6、ON可用于检测电源输入处的欠压状态。ON在内部连接到一个具有80mV滞后性的模拟比较器。如果ON低于其阈值电压(1.233V)，则GATE被低拉并保持低值，直到ON再次高。

7、最大电流触发点主要取决于检测电阻以及基准电压（0.012-0.047V）；检测电阻值决定了最大电流。定时器电路用于设定过流持续时间。过流基准电压线性上升，而不是突然开启，这使得负载电流也以类似方式跟着变化

8、FB引脚的功能：

（1）外部接输出电压的分压电阻，引到比较器的正端，与1.233V基准电压比较，当分压电阻电压大于1.313V，PG输出高阻态，所以连接单片机需要添加外部上拉；低于1.233V输出低电平。

（2）调节限流值：当VFB>0.5V，Rsense上的电压恒定在47mV，即限流值恒定；当VFB<0.5V，随着VFB减小，Rsense上的电压也随着减小，最小为12mV。

9、gate在什么条件下关闭：当ON引脚拉低，VCC电源电压降至8.3V欠压锁定阈值以下或计时器引脚上升至1.233V以上时，gate引脚被拉至GND。

 10、短路保护

MAX5947包含一个特殊功能：即限流值的大小随FB上的电压变化，当FB=0V（即短路），限流值最小（12mV）。

短路或触发过流时的工作过程：当触发到过流阈值时，限流值立刻被拉低到12mV，此时gate的驱动电压也降低。同时TIMER开始计时，当计时完毕，TIMER达到1.233V，gate关闭。当TIMER恢复到0.5V，gate重新打开。

11、检测电阻的选择

应以开启定时器所需的负载电流为依据，例如：后级的供电电流为10A，那么必须设置限流值大于10A，可以是12A或13A。假如设置为9A，那么当达到9A电流时，定时器就开始计时，时间一到就关闭mos，电路就不能正常工作了。

三、上电过程

上电时刻，NMOS处于open状态。需要满足以下3个条件NMOS栅极才有驱动电压：

（1）当ON脚电压超过接通阈值电压时，

（2）VCC接通电压超过过欠电压锁定阈值，

（3）当定时器接通电压小于1.233V

当NMOS闭合后才向后级供电。下图6是上电时序图。在gate达到Vgsth时，Isense开始爬升，这是软启动过程。这种软启动功能是由于VFB-Vsense的反馈功能提供的，如图7。需要注意，在软启动过程时，定时器就已经开始计时了，此时若设置的时间太短，输出端来不及达到恒定电压就回落了。若设置的时间太长，又会使在输出短路时超出MOS的SOA区域。所以对定时器的时间设定很重要。推荐软启动的时间不超过定时器时长的10%-20%。

四、短路过程

短路时，VFB=0，电流限制电路驱动gate，迫使感应电阻恒定下降到12 mV，同时定时器开始计时，当计时完毕，gate将彻底关闭，Isense降低为0。

五、设计实例

负载电流Iload=1A，输入电压48V，欠压点40V，后级电容容量Cload=5000uF。

（1）欠压点设计

VONH=1.313V，假设R2=10K，则计算的R1=294.6K。取R1=300K，反推得欠压值为40.7V。

 （2）检流电阻阻值设计

检流电阻限制流过的电流，由于Vsense最大为47mV，即最大工作电流：Ilimit=47/Rsene（mΩ）。因为Iload=1A，则Rsense最大为47mΩ，考虑正常工作不能进入限流阈，需要留出余量，可以选择40mΩ，则最大限流1.175A。

正常工作时电阻功耗：0.06W，若单个电阻损耗过大，可使用多个电阻并联。

（3）MOS管选型设计

耐压：输入电压为48V，可选用100V耐压的MOS；

Rdson：尽量选择Rdson小的mos，如选择PSMN6R9，Rdsonmax=7mΩ，常态下热功耗为0.01W，若单个MOS损耗过大，可使用多个MOS并联。

SOA：在插拔时刻和短路保护时需要考虑SOA（即安全工作区域）。

首先计算电容的充电时间：T=U*Cload/Ilimit=48V*5000uF/1.175A=204ms，这是在电流从0瞬间变化为1.175A的理想状态，实际还需要经历一个软启动过程。软启动时间设置为充电时间的10%，即20ms，即时间必须满足224ms才能保证后级电容充电正常。

开通时刻，输出为0V，对应Vsense=12mV，此时MOS的Vds=48V，电流I=0.3A，查阅SOA标图，承受时间大于100ms，还需要考虑MOS的温度降额的影响。

随后输出电压慢慢爬升，通过的电流慢慢增加，当Vfb=0.5V达到最大值47mV，即1.175A。假设我们设置输出电压为16V时Vfb=0.5V，此时Vds=32V，I=1.175A，查阅SOA标图，承受时间在10ms-50ms之间。相对开通时刻更加严酷。

短路时，芯片会反应延迟，会出现瞬间达到最大1.175A-48V，反应时间在2us左右，然后电流限制电路驱动gate，迫使感应电阻恒定下降到12 mV，同时定时器开始计时，当计时完毕，gate将彻底关闭，Isense降低为0。见图9。2us时间该mos满足。