理想二级管电路及实例仿真

一、目的

写该博客文章的目的是最近在做一个项目，涉及到有多种输入，如适配器输入，外部供电箱输入，电池输入等，同时功率比较大（电流大于20A），以往的小功率场合的电路用不了，只能引进新电路。新电路需要满足各输入电源之间互不影响，能防反接、防电流倒灌。

二、理想二极管电路及它的演变

1、前端输入保护的作用

前端输入保护的传统方法是在输入端串入肖特基二极管或P 沟道 MOSFET来实现防反接、反向电流阻断、Oring电源的功能。

2、采用肖特基二极管进行保护的优缺点

图1 肖特基电路

电路原理：在输入和输出之间串入肖特基二极管，这里使用肖特基二极管目的是因为肖特基二极管的正向导通压降相对于其他类型的二极管的压降小。当输入正确接入时，负载电路沿二极管正向流动。当输入反接时，二极管将被反向偏置并阻值反向电流，从而保护负载免受负电压影响。

优点：

1、电路简单；

2、响应快速；

缺点：

1、损耗大：即使使用肖特基二极管，但是正向压降一般也有0.5V以上，在大电流场合时损耗会很大，如20A电流时最小也有10W的损耗。

2、反向漏电流：高压肖特基二极管的反向漏电流随结温升高而急剧增加，导致反向导通期间的功率耗散更高；

3、采用P沟道的MOSFET代替二极管

为了降低二极管的正向压降 ， 可以将肖特基二极管替换为 P 沟道 MOSFET ， 并使其体二极管与肖特基二极管的方向相同。

图2 Pmos电路

该电路的优点是电路简单，损耗相对于二极管小，可使用在大电流环境下。缺点是在输入反接时，无法防止电流倒灌，这会导致输出电压在短时间内大幅度下降，从而使系统复位。同时，若输入电压的纹波电压比较大时，由于 P 沟道 MOSFET 不会阻断反向电流，因此不会对线路干扰进行整流，进而会导致 RMS 输入电流增加，这部分纹波电流会叠加在输出电容上，导致电容发热。

4、Oring电路

 图3 Oring电路

图3是Oring电路的基本结构。当其中一个电源发生故障 且其输入短路时，其路径中的肖特基二极管将被反向偏置，并将另一个电源与故障相隔离，负载完全由正常工作的电源保持供电。当负载共享两个输入电源时，具有较高电压的电源将提供负载所需的大部分或全部功率，同时肖特基二极管的正向压降也影响该功率分配。肖特基二极管的正向压降具有负温度系数，并且随 着温度的升高而减小。这会导致单个电源承载整个负载电流，但第二个电源仍然存在，并造成结温 升高。因此，需要在两个二极管之间进行慎重的散热器设计和热管理。

5、对比使用肖特基二极管和使用MOSFET的区别

最大的区别就是肖特基二极管既能做到反极性保护，也能做到反向电流阻断。但是PMOSFET只能做到反极性保护。

6、理想二极管控制器

理想二极管控制器与外部 N 沟道 MOSFET 搭配使用时 ， 可提供低损耗保护 ， 既可防止输入电源反接 ， 也可阻断反向电流从输出负载流回输入端。

 三、以LTC4372的理想二极管控制器为设计实例

1 LTC4372规格书

https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/ltc4372-4373.pdf

芯片周边及设计注意事项详见规格书。

2 设计参数：输入24V，电流24A。

MOSFET的选型要求：ID/VDSmax/Rdson/Vgs/Idiode

其中，LTC4372的最大电压为16 V，因此必须选择20V最小VGS的MOSFET。通过本体二极管的最大源电流必须高于应用中可以看到的涌电流。Rdson的选择不能太小，较高的RDS（ON）将在较低的反向电流下为LTC4372的反向比较器提供增加的电压信息。需要综合考虑热量和反向电流检测，折中选择。

 输入TVS：最高工作电压要大于输入电压，钳位电压必须小于LTC4372的输入引脚电压，并留出余量。

3 仿真原理图及仿真分析

   图4 原理图

   图5 仿真波形

 图6 MOSFET的稳态功耗

输入波形设置：

V1:1ms开始输入24V，在10.001ms时输入为0，模拟输入短路。

V2:1ms后输入一直为24V。

4 波形分析：可以看到，输入电压V2和输出电压VOUT基本重合，即输出跟随输入，即使V1在10.001ms时存在短路现象，这说明每路输入之间不存在相互影响。同时，MOSFET的栅极驱动电压36V（这里是测试栅极到地的电压），即VGS是12V，电流随输入电压存在一段缓启过程，稳定电流为24A。在10.001ms时，V1输入电压短路，此时栅极快速反应输出低电平，NMOS关断，V1电流维持在接近0A。在关断时刻，存在反向电流，这与短路时间及MOS的体二极管有关，二极管存在反向恢复电流。图6显示，MOSFET在稳态是平均功耗为3.95W，需要做好散热处理，或者并联多个MOSFET减小Rdson来减小热量。

5 拓展：若理想二极管后级有跟随热插拔电路，需要考虑理想二极管的MOSFET选型的SOA同样需要满足要求，一般做法是和热插拔电路的MOSFET选择同一型号。理想二极管还有一个特点，就是当多个输入存在时，输出电压跟随输入电压高的那一路，同时大部分电流也由该电压高的电源提供。

四、总结

理想二极管电路的主要作用是替代二极管，减小在大功率场合的损耗，在小电流场合使用肖特基会更简单。同时，可做多电电源输入时的隔离。

五、参考文献

1、理想二极管基础知识-TI

2、集成电路为高可靠性电源提供增强的保护和改进的安全功能