氮化镓知识概览

1、概念

氮化镓，由镓（原子序数 31）和氮（原子序数 7）结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量，氮化镓的禁带宽度为 3.4eV，是硅的 3 倍多，所以说氮化镓拥有宽禁带特性（WBG）。禁带宽度决定了一种材料所能承受的电场。

氮化镓高电子迁移率晶体管GaN HEMT(High Electron Mobility Transistors)作为宽禁带(WBG)功率半导体器件的代表，器件在高频功率应用方面有巨大的潜力。GaN材料相比于 Si 和SiC 具有更高的电子迁移率、饱和电子速度和击穿电场，由于材料上的优势，GaN功率器件可以实现更小的导通电阻和栅极电荷(意味着更优秀的传导和开关性能)。因此GaN功率器件更适合于高频应用场合，对提升变换器的效率和功率密度非常有利。目前GaN功率器件主要应用于电源适配器、车载充电、数据中心等领域。氮化镓的吸引力不仅仅在于性能和系统层面的能源利用率的提高。当我们发现，制造一颗氮化镓功率芯片，可以在生产制造环节减少80% 化学物及能源损耗，此外还能再节省超过 50% 的包装材料，那氮化镓的环保优势，将远远大于传统慢速硅材料。

2、GaN HEMT的分类

按照器件结构类型