晶闸管du/dt与di/dt

1. 断态电压上升率du/dt

        在额定结温和门极开路的条件下，使晶闸管保持断态所能承受的最大电压上升率，称为断态电压临界上升率du/dt。在实际使用中，实际的电压上升率必须低于此临界值

        在正向阻断状态，晶闸管的PN结J2反偏，存在着一个结电容，如果突然收到正向电压，结电容充电，位移电流类似于触发电流。当正向电压上升率du/dt较大时，位移电流较大，会使晶闸管误导通。因此对作用于晶闸管的电压上升率应有一定的限制。

                                

2. 通态电流上升率di/dt

         在规定条件下，用门极触发信号使晶闸管开通时，晶闸管能够承受而不会导致损坏的通态电流最大上升率。

        在晶闸管最初导通时，主电流集中在门极附近的区域，俗称初始导通区，随着时间的增长，导通区域才逐渐扩大，直到扩散到全部PN结为止，这个过程约需几微秒到几十微秒，如导通时电流上升率过大，则可能引起初始导通区过热，造成晶闸管损坏。因此，必须对晶闸管的电流上升率di/dt有所限制。

3. TSC支路RC缓冲电路对du/dt的抑