各种存储器RAM，ROM以及FIFO解释和区别

目录

一、存储器解释

1.ROM：只读存储器

2.PROM：可编程ROM

3.EPROM：可擦除可编程ROM

4.EEPROM：电可擦除可编程ROM

 5.FLASH ROM：快闪只读存储器(闪存)

6.RAM：随机访问内存

7.SRAM：静态随机存取存储器

8.DRAM：动态随机存取存储器

9.FIFO:先入先出

二、不同端口RAM和FIFO区别 

        1.单端口RAM:

        2.真双口RAM：

       3.伪双口RAM：

        4.FIFO：

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一、存储器解释

1.ROM：只读存储器

    ROM内部的数据是在ROM的制造工序中，在工厂里用特殊的方法被烧录进去的，其中的内容只能读不能改，一旦烧录进去，用户只能验证写入的资料是否正确，不能再作任何修改。如果发现资料有任何错误，则只有舍弃不用，重新订做一份。ROM是在生产线上生产的，由于成本高，一般只用在大批量应用的场合。

2.PROM：可编程ROM

    由于ROM制造和升级的不便，后来人们发明了PROM（Programmable ROM，可编程ROM）。最初从工厂中制作完成的PROM内部并没有资料，用户可以用专用的编程器将自己的资料写入，但是这种机会只有一次，一旦写入后也无法修改，若是出了错误，已写入的芯片只能报废。PROM的特性和ROM相同，但是其成本比ROM高，而且写入资料的速度比ROM的量产速度要慢，一般只适用于少量需求的场合或是ROM量产前的验证。

3.EPROM：可擦除可编程ROM

         EPROM（Erasable Programmable ROM，可擦除可编程ROM）芯片可重复擦除和写入，解决了PROM芯片只能写入一次的弊端。EPROM芯片有一个很明显的特征，在其正面的陶瓷封装上，开有一个玻璃窗口，透过该窗口，可以看到其内部的集成电路，紫外线透过该孔照射内部芯片就可以擦除其内的数据，完成芯片擦除的操作要用到EPROM擦除器。 

4.EEPROM：电可擦除可编程ROM

        鉴于EPROM操作的不便，后来出的主板上的BIOS ROM芯片大部分都采用EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM，电可擦除可编程ROM）。EEPROM的擦除不需要借助于其它设备，它是以电子信号来修改其内容的，而且是以Byte为最小修改单位，不必将资料全部洗掉才能写入，彻底摆脱了EPROM Eraser和编程器的束缚。

 5.FLASH ROM：快闪只读存储器(闪存)

     FLASH ROM则属于真正的单电压芯片，在使用上很类似EPROM，因此，有些书籍上便把FLASH ROM作为EPROM的一种。事实上，二者还是有差别的。FLASH ROM在擦除时，也要执行专用的刷新程序，但是在删除资料时，并非以Byte为基本单位，而是以Sector（又称Block）为最小单位，Sector的大小随厂商的不同而有所不同；只有在写入时，才以Byte为最小单位写入；FLASH ROM芯片的读和写操作都是在单电压下进行，不需跳线，只利用专用程序即可方便地修改其内容；FLASH ROM的存储容量普遍大于EPROM，约为512K到至8M KBit，由于大批量生产，价格也比较合适，很适合用来存放程序码，近年来已逐渐取代了EPROM，广泛用于主板的BIOS ROM，也是CIH攻击的主要目标。

6.RAM：随机访问内存

    随机访问内存（RAM）相当于PC机上的移动存储，用来存储和保存数据的。在任何时候都可以读写，RAM通常用作操作系统或其他正在运行的程序的临时存储介质（可称作系统内存）。不过，当电源关闭时时RAM不能保留数据，如果需要保存数据，就必须把它们写入到一个长期的存储器中（例如硬盘）。正因为如此，有时也将RAM称作"可变存储器"。RAM内存可以进一步分为静态RAM（SRAM）和动态内存（DRAM）两大类。

7.SRAM：静态随机存取存储器

    静态随机存取存储器（Static Random-Access Memory，SRAM）是随机存取存储器的一种。所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。相对之下，动态随机存取存储器（DRAM）里面所储存的数据就需要周期性地更新。然而，当电力供应停止时，SRAM储存的数据还是会消失（被称为volatile memory），这与在断电后还能储存资料的ROM或闪存是不同的。

8.DRAM：动态随机存取存储器

    SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM（Dynamic Random Access Memory)每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，功耗较DRAM大   ，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积。同样面积的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM显得更贵。

9.FIFO:先入先出

FIFO( First Input First Output)简单说就是指先进先出。本质上还是RAM，是一种先进先出的数据缓存器；与普通存储器的区别：没有外部读写地址线，这样使用起来非常简单。但缺点就是只能顺序写入数据，顺序的读出数据，其数据地址由内部读写指针自动加1完成，不能像普通存储器那样可以由地址线决定读取或写入某个指定的地址。

   

二、不同端口RAM和FIFO区别 

        1.单端口RAM:

只有一组数据线和地址线，所以不能同时进行读写操作。即同一时刻要么读要么写。

        2.真双口RAM：

真双口RAM 是在一个SRAM 存储器上具有两套完全独立的数据线、地址线和读写控制线，并允许两个独立的系统同时对该存储器进行随机性的访问。即共享式多端口存储器，读写可同时进行。而单口RAM只有一组数据线与地址线，因此读写不能同时进行。真双口RAM有两组数据线与地址线，能同时进行两个端口读，能同时进行两个端口写，能同时一个端口读同时另一个端口写，这个真双口ram 其实就是两个单口ram组合在一起构成的，只是真双口ram里的两个单口ram是操作的同一片存储空间。

       3.伪双口RAM：

一个端口只读，另一个端口只写；而真双口RAM两个端口都可以读写。

        4.FIFO：

FIFO也是一个端口只读，另一个端口只写。FIFO存储器分为写入专用区和读取专用区。读操作与写操作可以异步进行，写入区上写入的数据按照写入的顺序从读取端的区中读出，类似于吸收写入端与读出端速度差的一种缓冲器。FIFO与伪双口RAM的区别在于，FIFO为先入先出，没有地址线，不能对存储单元寻址；而伪双口RAM两个端口都有地址线，可以对存储单元寻址。异步时钟域的缓存只要是双口器件都可以完成。但FIFO不需对地址进行控制，是最方便的。

参考链接：FIFO存储器_百度百科

                  FIFO、单口RAM、双口RAM的区别_lytl118的博客-CSDN博客

                 https://blog.csdn.net/u013896754/article/details/49618353

                 https://blog.csdn.net/CLL_caicai/article/details/104410329