信号完整性分析基础知识之传输线和反射（六）：传输线中拐角、过孔等容性负载的反射

测试焊盘、过孔、封装引线，甚至连在传输线中间的小短截线都可以充当集总电容器。下图显示了在走线中间添加电容器时的反射电压和传输电压。由于电容器最初具有低阻抗，因此反射回源的信号将有轻微的负下降。如果在走线的前端附近连接了一个接收器，这种下降可能会导致问题，因为它看起来像一个非单调的边缘。

传输线上的反射和传输信号，在传输线中间位置有一个小的容性不连续点，上升时间为0.5ns，容值分别为0,2pF，5pF和10pF。

传输的信号最初可能不会对信号的第一次通过产生很大的影响，但是信号从线路末端反射后，它会回到源头。然后它会再次击中电容器，一些现在带有负号的信号会反射回远端。这种返回接收器的反射将是一个负电压，并将拉低接收到的信号，导致下冲。
传输线中间理想电容器的影响将取决于信号的上升时间和电容的大小。电容器越大，它的阻抗就越低，负反射电压就越大，这将导致接收器的下冲越大。
同样，上升时间越短，电容器的阻抗越低，下冲越大。如果某个电容 C 在某个上升时间 RT 下勉强可以接受，并且如果上升时间要减少，则最大允许电容也必须减少。 RT/C 的比率必须大于某个值才能被接受。上升时间与电容的比率以欧姆为单位。但它的阻抗是多少？在时域中，电容器的阻抗为：

 

如果信号的上升是线性的，上升时间为RT，那么dV/dt就是V/RT，电容器的阻抗就是：

Zcap是电容的阻抗，C是不连续点的容值，RT是信号上升时间。

看起来信号上升期间，信号和返回路径之间的电容是一个分流阻抗Zcap。这个穿过传输线的分流阻抗会引发串扰。为了不产生严重问题，我们希望分流阻抗远大于传输线的特性阻抗。可以理解为至少要大于五倍的特性阻抗。 

 

 

 

在边沿经过的时间间隔内，将传输线分流的电容不连续性描述为分流阻抗。 

其中Zcap表示上升时间电容的阻抗，Z0表示传输线的特性阻抗，Cmax表示在反射噪声形成问题之前最大可接受的容值。例如，如果特性阻抗是50Ohm，最大可接受容值就是：

这个方程式是一个非常简单的经验法则的来源：为了防止电容不连续性导致过大的下冲噪声，保持电容（以 pF 为单位）小于上升时间的四倍，上升时间以纳秒为单位。 

如果上升时间1ns，最大可允许的电容就是4pF。如果上升时间0.25ns，最大可允许的电容就是1pF。

 容性延迟加法器

容性负载会导致接收器出现下冲噪声的一阶问题。电容不连续性还有第二个更微妙的影响：远端信号的接收时间会延迟。与传输线结合的电容器充当 RC 滤波器。传输信号的 10−90 上升时间将增加，信号通过 50% 电压阈值的时间将增加。10-90上升时间大致为：

 50%点增加的延迟时间称为延迟加法器，大致为：

 △TD是50%阈值增加的传输时延，以ns为单位。

1/2因子是因为传输线的前半部分给电容器充电，而后半部分给电容器放电，所以电容器充电的等效阻抗是真实特性阻抗的一半。

例如，对于一条50Ohm的传输线，2pF的不连续会让10-90上升时间增加了大约：50*2pF=100ps。50%阈值延迟加法器大约0.5*50*2=50ps。下图仿真了三种不同的容性不连续对50%阈值时延的影响。

 很难让测试点、连接器pad，过孔的不连续电容小于1pF，每个1pF会在增加大约0.5*50.1=25ps的额外时延，并增加信号的上升时间。一个最小化延迟加法器的方法是使用一个较低的特性阻抗，特性阻抗越低，同样的容性不连续会有更少的延迟时间。

拐角和过孔对反射的影响 

如果均匀互联链路中有一个90度的弯曲，那么信号会出现阻抗变化，产生一些反射和失真。毫无疑问，在其他方面均一的走线中的 90 度拐角将是阻抗不连续点，并且会影响信号质量。下图展示了测得的信号的 TDR 响应反映了两个非常接近的 90 度弯曲的阻抗不连续性。

 将90度拐角修改为两个45度拐角会降低这种影响，使用恒定宽度的圆形弯曲将进一步减少来自拐角的影响。但是拐角带来的失真会是一个问题吗？不连续的幅度是否足够引起担心？什么情况下拐角会成为一个问题？

通常认为，90度的弯曲导致电子围绕弯曲加速，导致过度辐射和失真。电子在传输线中的传输速度很慢基本上1cm/s，实际上，拐角对电子的速度没有任何影响，但在拐角的尖锐处有非常高的电场，这是一个直流效应，并且基于外边缘的半径。这些非常高的直流场会增强灯丝生长并导致长期可靠性问题，但不会影响信号质量。

拐角对信号传输的唯一影响是弯曲处走线的额外宽度，这个额外的宽度相当于是容性不连续，带来反射以及传输延时。

如果走线以恒定宽度转弯，则线的宽度不会改变，并且信号在转弯周围的每个点都会遇到相同的瞬时阻抗，并且不会发生反射。我们可以粗略地估计一个拐角所代表的额外金属；下图说明拐角将代表额外金属的一小部分正方形。它肯定小于一个正方形，并且作为一个非常粗略的近似值，它可能大约是半个正方形的金属。

与拐角相关的额外金属的简单估计大约是正方形的一半。

 拐角的电容可以由单位面积的电容和单位走线长度的电容来估算：

 传输线单位长度的电容和传输线的特性阻抗有关：

角落电容的估计大致为：

 

 其中：

CCorner是每个拐角的电容，CL是单位长度的电容，w是线宽，Z0是传输线的特性阻抗。

例如，对于一个0.065inch宽度的传输线，90度拐角预估电容是40/50*2*0.065=0.1pF=100fF。在上面的例子中，有两个90度拐角，所以总的电容就是200fF。使用时域反射计，我们可以实测一下看看。

 我们可以得出一个粗略的结论，对于50Ohm的传输线，拐角的等效电容就等于两倍的线宽，举个栗子，线宽是20mil，那么一个拐角的等效电容就是40fF。

随着线宽变得越来越细，当保持50Ohm阻抗时，拐角的电容会下降，影响降低。在高密度PCB中，信号线5mil宽，拐角电容约10fF，来自 10-fF 电容器的反射噪​​声对于上升时间非常重要，其数量级为0.01pF/4~3psec.10-fF 电容器的时延大约0.5*5.*0.01pF=0.25ps。看起来5mil宽度的线中拐角电容不会对信号完整性产生影响。

如果过孔将信号线连接到测试点或连接相邻层上的信号线但继续穿过整个电路板，则过孔的桶状结构可能会对电路板中的各个平面产生过大的电容。残桩通常会使过孔看起来像信号的集总容性负载。残桩的电容在很大程度上取决于过孔尺寸、间隙孔、电路板顶部和底部焊盘的尺寸，当然还有残桩的长度。剩余电容的范围可以从 0.1 pF 到超过 1 pF。任何接触信号线的过孔都可能看起来像电容不连续，在统一的高速串行连接中，这种不连续是线路信号质量的主要限制。

通孔的剩余电容可以通过简单的近似来估计。除非特别小心，否则通孔的有效特性阻抗（包括通过各个平面的返回路径）低于 50 欧姆，大约为 35 欧姆。 50 欧姆线路的单位长度电容为 3.3 pF/英寸。残桩每单位长度的电容约为 5 pF/英寸，或约 5 fF/密尔。这个粗略的经验法则可用于估计过孔短线的容性负载。

例如，一个过孔残桩长20mil，相应的电容就是20*5fF/mil=100fF。100mil厚的板子中过孔残桩的电容就是100mil*5fF/mil=500fF或者0.5pF。

下图展示了两端传输线的实测结果，线的阻抗是58Ohm，线宽8mil，上升时间50ps，线长15 inch，分别是带和不带过孔。在此走线中，与 SMA 连接器的过孔和线路中间的通孔相关的电容约为 0.4 pF。两个过孔之间反射电压的差异是由于信号在电路板中部来回传播时介电损耗引起的信号上升时间退化。沿线路变化的反射电压是由于制造工艺变化引起的阻抗变化的量度。

 这个特定的通孔可以近似为大约 0.4 pF 的电容。预计带来的时延就是0.5*50*0.4pF=10ps。实测结果如下图，差了9ps，还是比较吻合的。