嵌入式学习-存储器

易失性存储器

动态随机存储器DRAM (dynamic RAM)

以电容的电荷来表示数据
通过mos管控制向电容中充电（一个mos管，一个电容）
可能会逐渐掉电导致数据出错，所以要每隔一定时间对其充电来保持电平有效，这也就是动态二字的由来
存取速度慢，集成度高，生产成本低，需要刷新
一般使用同步方式传输数据SDRAM（synchronous DRAM）
普通SDRAM 在时钟上升沿同步数据
DDRII SDRAM 在时钟上升沿和下降沿都同步数据，极限频率800MHz
DDRIII SDRAM 在时钟上升沿和下降沿都同步数据，极限频率1600MHz

静态随机存储器SRAM (static RAM)

通过锁存器来存储数据
锁存器的特点是电平稳定，不会出现电容的电荷逐渐损失的情况
由六个mos管组成
存取速度快，集成度低，生产成本高，无需刷新
单片机常用SRAM，因为不支持刷新的功能
一般使用异步方式传输数据

非易失性存储器

ROM

mask rom 出厂时固化，无法修改
OTPROM 使用者可写入一次，之后无法修改
EPROM 早期的ROM，可读写，需要用紫外线擦除
EEPROM 可读写，电擦除

FLASH

NOR FLASH（单片机多用）
存储单元结构复杂，价格贵，集成度低，读取快，写入慢，坏块少，可写入次数多（百万次），地址线与数据线独立分开，字节读写，随机存储，支持XIP
NAND FLASH（用于大容量数据存储）
存储单元结构简单，价格低，集成度高，读取慢，写入快，坏块多（1T硬盘只有900G），地址线与数据线不分开，块读写，连续存储，不支持XIP，某个单元总写入次数有限（万次）

存储结构决定了数据只能由1改为0，无法由0变1，所以写入数据时，以扇/块区擦除（一个扇区可能为4KB），即将扇区所有位全部置1，再将需要修改的位由1改为0