2021-12-19 无电容的3D DRAM，潜力无限

最新推荐文章于 2024-08-12 01:01:56 发布

小死神路飞

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分类专栏：半导体文章标签： sdram

本文链接：https://blog.csdn.net/ypguest/article/details/122028726

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随着5G、物联网和自动驾驶等对高性能存储需求的增长，传统DRAM面临挑战。3D DRAM成为解决存储瓶颈的关键，其中无电容IGZO技术展现出无限潜力。IMEC在2021 IEDM上展示的无电容IGZO DRAM实现了超过10³s的保留时间和无限耐久性，有望成为3D DRAM的候选技术。然而，工艺微缩和IGZO TFT的寿命问题仍然是未来发展需要克服的挑战。

摘要由CSDN通过智能技术生成

自1966年被IBM研究中心的Robert H. Dennard发明至今，动态随机存取存储器（DRAM）已经经过了数十年的发展，并成为存储器市场最大的细分领域，占据了58%的存储器市场规模。

凭借着经济、可靠、高效等特点，DRAM被广泛运用于大容量的主存储器。2018年，DRAM的市场规模就已达到1000亿美元，根据IC Insights最新预测,预计到2026年全球DRAM市场规模甚至有望达到1219亿美元左右。

然而技术的快速更迭让DRAM称霸存储市场的同时，也让它陷入了发展的瓶颈时期。在芯片小型化、集成化的发展趋势下，DRAM的缺点开始不断被“放大”，传统的DRAM已经难以满足当前的需求，在此背景下，人们开始把目光转向新型DRAM。

3D 堆叠开启DRAM新未来

当前，DRAM主要需求来源分别为PC端、移动端、服务器端，其中PC端占比12.6%，移动端占比37.6%，服务器占比 34.9%，三者占总需求近90%。

从目前发展事态来看，PC端已经进入了存量替代市场，出货稳定，对DRAM的需求也趋于稳定。但随着5G热潮的到来，移动DRAM和服务器DRAM需求变得旺盛，DRAM迎来了“芯”拐点，智能手机带来的出货增长以及物联网、云服务、商用服务器、数据中心的强劲增长，成为拉动DRAM需求的主力军。此外，DRAM作为自动驾驶技术中不可或缺的一部分，车用DRAM也将成为未来的新增量。
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然而，庞大的需求端下，是