DRAM发展年历——电容方向

最新推荐文章于 2024-04-18 14:18:20 发布

Mao0707

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分类专栏： DRAM 文章标签： big data

本文链接：https://blog.csdn.net/qq_47245131/article/details/120719336

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这篇博客详细介绍了从2006年到2021年间DRAM电容技术的发展，涉及新材料、新结构和工艺改进，如ZAZ结构、Al掺杂TiO2、SrTiO3等，强调了电容介质的低漏电流和EOT缩放。文中提到的研究和创新对于理解DRAM技术的进步和未来趋势至关重要。

摘要由CSDN通过智能技术生成

Development of New TiN/ZrO2/Al2O3/ZrO2/TiN Capacitors Extendable to 45nm Generation DRAMs Replacing HfO2 based Dielectrics IEDM

从单层HfO薄膜过渡到堆叠结构，第一次提出ZAZ的结构，并在45nm工艺节点进行了可靠性验证。为DRAM电容介质提出了全新的研究方向。

通过控制温度来控制晶相，将非晶AlO、T相ZrO制作为新型介质薄膜。因为主要贡献点是EOT很低的新型薄膜，通过三个I_V曲线描述漏电性能，XRD表明晶相，C_V测算K值得到优越性能。最后还通过“浴缸图”、良率比较图等大数据证明其可靠性。

Tetragonal Phase Stabilization by Doping as an Enabler of Thermally Stable HfO2 based MIM and MIS Capacitors for sub 50nm Deep Trench DRAM IEDM

首次表明，通过四价(Si)和三价(Y,Gd)掺杂剂控制HfO2的结晶相，可以稳定其四方相，显著提高电容等效厚度(EOT)。（沟槽电容）、45nm工艺节点。

Carbon / high-k Trench Capacitor for the 40nm DRAM Generation VLSI

奇梦达、trench，碳作高k电容电极、隔离层。40nm

韦博分布——龙老师擅长。

可以看作新思路。

Al-Doped TiO2 Films with Ultralow Leakage Currents for Next Generation DRAM Capacitors ADVANCED MATERIALS

Al掺杂TiO2超低漏电流薄膜。内有XSP测试，有原理解释。可作为Si掺参考。

0.5 nm EOT low leakage ALD SrTiO3 on TiN MIM capacitors for DRAM applications IEDM

本文首次记录了在TiN底电极上用低温（250摄氏度）ALD沉积STO，通过改善其前驱材料和工艺，得到了低漏电的薄膜。

通过工艺设置Si-rich、Ti-rich、标准三种薄膜，得出Si-最佳的结果。还摸索出最佳退火温度。工艺创新，让最有潜力的材料可与便宜的TiN电极共同生长。对后续STO应用在DRAM中贡献很大。

Scalability of TiN/HfAlO/TiN MIM DRAM Capacitor to 0.7-nm-EOT and Beyond IEDM

通过各个角度验证了HfO的优越性(然而现在主流并不用)，主要是理论推导，teff-K、qφB0-K等。大量理论+少许实验，结论存疑，但能自洽。

Enabling 3X nm DRAM: Record low leakage 0.4 nm EOT MIM capacitors with novel stack engineering IEDM

30nm，新型stackDRAM。本文运用了超薄Ru氧化工艺，在TIN上加了一层thin Ru改善了性能。主要是提出了不同的堆叠方式，各种材料的堆叠结构开始发展。

Recent Innovations in DRAM Manufacturing IEEE

4x节点开始上市，通过采用双层电容器、高k介质和提高源/漏等技术实现。

是一篇综述类文章，与电容关系不大，但可纵观产业。

Capacitors with an Equivalent Oxide Thickness of < 0.5 nm for Nanoscale Electronic Semiconductor Memory ADVANCED MATERIALS

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