PN结的形成过程

 

•在一块硅片上，使用不同的掺杂工艺，制作出P型半导体和N型半导体，在这两种半导体的交界处就会形成PN节。

•P型半导体的掺杂方法就是在四价的硅片当中掺入三价元素，例如：硼。

•N型半导体的掺杂方法就是在四价的硅片当中掺入五价元素，例如：磷。

 

•由于物质总是会从高浓度到低浓度方向移动，因此在两种半导体中将会产生载流子的扩散运动（多子运动）。于是N型半导体内的电子会向P型半导体扩散，P型半导体内的空穴会向N型半导体扩散，由于扩散运动的不断进行，空穴和电子的不断复合，在这两种半导体的交界处就会形成空间电荷区，在空间电荷区内的电子和空穴基本复合完成。

•由于N型半导体的掺杂为正五价的磷元素，为正离子，因此空间电荷区在N 型半导体处为正，称为正离子区。

•由于P型半导体的掺杂为正三价的硼元素，相比之下为负离子，因此空间电荷区在P 型半导体处为负，称为负离子区。

•因此内电场方向由正离子区指向负离子区，由于空间电荷区的内电场的作用，少数载流子产生漂移运动，空穴从N型半导体向P型半导体处运动，电子从P型半导体向N型半导体处运动。

•在空间电荷区刚开始形成时，由于浓度的影响，扩散运动远大于漂移运动，因此内电场不断增大，内电场的加强有加剧了漂移运动，最终扩散运动和漂移运动趋于平衡，内电场趋于稳定，也就是PN结，空间电荷区内基本都是不能移动的正负离子。