测试TI高速MOS驱动芯片 TPS28225 伴随着MOS半桥

 

▌01 TPS28225

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N-MOS驱动芯片 TPS28225 是TI公司给出的高速功率驱动芯片。它带有自适应的死区自适应控制。

^{▲ 典型应用电路}

 

▌02 实验电路

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1.建立元器件库

根据典型应用电路设计TPS28225的元器件库文件如下：

^{▲ 元器件元件图}

2.设计实验电路板¹

（1）TPS28225电路板

^{▲ 实验电路板图}

^{▲ 快速制作PCB}

（2）半桥电路²

为了测量TSP28225的一些特性，使用手边大量的 IRF3710s MOS管作为半桥电路的驱动芯片。

^{▲ IRF3710s}

^{▲ TO-252 封装形式}

错误： 制作PCB之后可以看到，TO-252 的封装不适合。需要重新修改。

^{▲ TO-252 封装形式}

^{▲ 实验电路图和PCB设计}

^{▲ 设计的TO-252错误的封装形式}

^{▲ 修改后的实验电路板}

 

▌03 电路测试

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1.建立驱动板和半桥电路

^{▲ 电路板连接示意图}

^{▲ 连接驱动和MOS半桥电路板}

2.输入输出电压波形

^{▲ 输入输出波形}

3. TPS28225工作电压

测试TPS28225的不同的工作电压下，测试电路的输出波形。

（1）4.0V

^{▲ TPS28225工作电压4.0V}

（1）4.5V

^{▲ TPS28225工作电压4.5V}

（3）5V

^{▲ TPS28225工作电压5.0V}

4.输入信号电压范围

输入信号电压从2.0V ~ 5.0V。

^{▲ 输入信号2.0V}

^{▲ 输入电压幅值2.5V}

^{▲ 输入电压3V}

^{▲ 输入信号幅值 4V}

^{▲ 输入信号幅值5V}

可以看到当输入电压输入电压超过2.5V的时候，输出信号正常了。因此，使用3.3V工作电压的ARM信号是可以直接驱动该TPS28225 。

注意： 在TSP28225的数据手册中介绍输入电压超过2V即可工作，但是实际测试是输入信号电压需要超过2.5V。

^{▲ 输入信号电压幅值从1 逐步提高到4V}

 

※ 结论

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通过实验验证了：

• TPS28225的驱动MOS半桥电路的基本功能；
• 工作电压超过4.5V ~ 8V。数据手册介绍工作电压在7 ~ 8V工作效率最高；
• 输入电压在驱动3.3V可以正常工作。

■ 相关文献链接:

• TPS28225
• IRF3710s

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1. 测试TPS28225AD工程文件:AD\Test\2021\TPS28225\TestTPS28225.SchDoc ↩︎

2. 半桥电路的AD工程文件:AD\Test\2021\TPS28225\MOSHalfbridge.SchDoc ↩︎