升压模块初步测试 正负390V

高压模块基本特性

 

01 压模块


一、前言

  这是在网络上购买的高压模块。 今天到货了。 这个模块很便宜, 只有14块钱。 输入电压范围是 10V 到 32V, 输出正负高压, 从 45V 到 390V。 电路板后面的 US3M是一款超快回复二极管, ·耐压超过 1kV, -最大电流 3A。 =下面对其进行初步测量。

GM1686660738_1280_800.MPG|_-6

▲ 图1.1.1 模块的基本参数

▲ 图1.1.1 模块的基本参数

二、测量结果

1、上电初测

  通过面包板给模块施加14V工作电源, 可以测量模块输出逆变的高压。 初始工作电压为14V, 两个高压分别为82V 和负86.6V。 此时,模块的工作电流为 170mA, 这个电流上下波动。  这个静态功耗要比网络上介绍材料中所说的静态工作点缪 15mA 大了 10倍。

GM1686662039_1280_800.MPG|_-6
  下面通过模块上的多圈电位器, 调整输出电压。 可以看到最低电压为 43V 左右。 反方向调整多圈电位器, 升高输出电压。 可以看到随着电位器减小, 电压上升速度加速。 最高电压为 403V左右。 在输出电压最高时, 负电压大约为负427伏。

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2、工作电压

  下面测量一下模块的工作电压。 使用 DH1766 提供从 0V 到20V的工作电压, 测量输出电压。  这是测量的结果。  可以看到 当输入电压超过9V之后, 输出电压便稳定在82V。  这说明模块的工作电压需要大于 9V。
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▲ 图1.2.1 输入电压与输出电压之间的关系

▲ 图1.2.1 输入电压与输出电压之间的关系

from headm import *
from tsmodule.tsvisa        import *
from tsmodule.tsstm32       import *

vdim = linspace(0, 20, 100)
outv = []

dh1766volt(0)
time.sleep(5)

for v in vdim:
    dh1766volt(v)
    time.sleep(2)

    meter = meterval()
    outv.append(meter[1])

    printff(v, meter)

    tspsave('measure', vdim=vdim, outv=outv)

plt.plot(vdim, outv, lw=3)

plt.xlabel("Voltage(V)")
plt.ylabel("Out(V)")
plt.grid(True)
plt.tight_layout()
plt.show()

3、输出带负载

  下面使用一个 18k 欧姆的电阻作为模块的负载, 测量一下该模块输出带载能力。  在空载的时候, 输出电压为 82.6V, 增加 18k 欧姆的负载后, 输出电压居然升高到 88.6V。 这说明该模块输出电压并没有稳住。

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  结 ※


  文测量了一种高压模块的基本性能。  它的带载能力比较奇怪。 具有负阻抗特性。

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一、动态特性测量

高压模块带载能力

(1)空载情况

  使用示波器测试模块上电后的输出电压变化情况。  这是测量一侧的结果, 设定输出电压为 82.5V。 可以看到, 在一开始电压上升到 120V以上,  由于是空载, 所以输出电压逐步下降,  大约 1.5秒之后, 电压开始上下调整,  最后进入稳定期。 这说该模块的动态调整特性并不是太好。
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▲ 图2.1.1 上电过程

▲ 图2.1.1 上电过程

(2)增加负载

  下面给出高压模块增加负载, 负载是一个18k 欧姆的大功率电阻。 在之前测量的时候, 发现增加负载之后, ·输出电压反而上升了。 这是一个奇怪的现象。 这是测量模块上电后的波形。 首先它还存在着过冲, 更重要的是后面出现了振荡。  拉开示波器波形, 可以看到这是一个周期大约70毫秒, 峰峰值为 40V 的振荡电压。 这也太出格了。
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▲ 图2.1.2 增加 18k负载电阻之后的输出电压波形

▲ 图2.1.2 增加 18k负载电阻之后的输出电压波形

▲ 图2.1.3 增加 18k负载电阻之后的输出电压波形

▲ 图2.1.3 增加 18k负载电阻之后的输出电压波形

  将负载电路增加到 51k 欧姆, 对应的电压波动减少了, 不过还是能够看到其波动的周期还是大约70ms 左右。  这应该说明该稳压模块在设计上元器件参数存在缺陷。

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▲ .负载为51k欧姆对应的电压

▲ .负载为51k欧姆对应的电压


■ 相关文献链接:

● 相关图表链接:

ZVS即所谓零电压开关(ZVS)/零电流开关(ZCS)技术,或称软开关技术,小功率软开关电源效率可提高到80%~85%。接下来将详解介绍zvs原理及如何自制zvs的升压电路图以及它的操作步骤。 ZVS经典原理: 1. 上电瞬间,电源电压流经R1,R2,经过ZD1,ZD2稳压二极管钳位在12V后分别送入MOS1,MOS2的GS极,因此两个MOS管同时开通。 2. 因为元件参数的离散性(例如:MOS管GS钳位电压的离散性、MOS管本身跨导参数的离散性、变压器初级绕组不严格对称、走线长度差异等),导致两管DS电流在上电瞬间就不相同。假设下方的MOS管MOS2流过的电流稍大。即IL3》IL2。因为L2,L3是在同一磁芯上绕制,本身存在磁耦合,所以,对磁芯的励磁电流为IL2,IL3之和。之前提到IL3》IL2,而且从抽头看去,IL2,IL3的电流方向相反,所以对磁芯的励磁电流为Ip1=IL3-IL2。这样就可以等效为仅有L3线圈产生励磁作用(有一部分抵消掉L2的励磁)。明白这点以后,继续往下分析。 3. 见图1,在上电瞬间,L2,L3中的等效励磁电流Ip1用红色线条表示,因为具有相同的磁路,Ip1将在L2上产生一个互感电流,图中用蓝色线条表示,L2 L3与C1构成并联谐振,这个互感电流的方向同IL2相反,如此正反馈造成的结果是IL2越来越小,最终可单纯看做只有L3参与励磁。 4. 与此同时,B点电压升高,D1截止,C点电压保持12V,MOS2继续保持开通。因为MOS2开通时VDS很小,A点近似接地,D2导通,将D点电位强行拉低至0.7V左右,MOS1失去VGS而截止。 5. 随着时间推移,L3对磁芯的励磁最终达到磁饱和,大家注意,此时蓝色线条的电流因磁芯饱和失去互感刚好减到0,MOS1的DS上电压为零。而L3失去电感量而近似于一个仅几mΩ的纯电阻,瞬间大电流全部叠加在MOS2的导通电阻Ron上,使A点电位瞬间升高,D2截止,D点电位恢复至12V,MOS1获得VGS而导通(在VDS=0的情况下导通,故称ZVS)。继而B点近似接地,C点电压降到0.7V,MOS2截止,MOS1保持导通。当L2励磁达到饱和时电路状态再次发生翻转,重复第4过程。 6. 整个过程中,翻转的时间由谐振电容C1的容量和L2 L3共同决定,因为有C1构成谐振,初级电压波形呈完美正弦波,谐波分量大大减小,漏感的影响不复存在,因此变比等于匝比。L1为扼流电感,利用电感电流的不可突变特性,保证磁饱和瞬间MOS管的DS极不会流过巨大浪涌而损坏。这也是为什么不接此电感或者感量太小时,电路空载电流会增大,而且MOS管发热严重的原因。 因为利用了磁饱和原理,所以在磁芯工作在滞回线1,3象限的饱和临界点之间,磁芯的储能作用得以最大发挥,传递功率相当大。
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