SPI接口串行SRAM | AP Memory 6404

已于 2023-11-30 11:56:20 修改
阅读量2.6k 收藏 14
点赞数 2
分类专栏： 科学-技术-探究 文章标签： 矩阵 线性代数 stm32 嵌入式硬件 汽车
于 2023-11-30 11:37:51 首次发布
版权声明：本文为博主原创文章，遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议，转载请附上原文出处链接和本声明。
本文链接：https://blog.csdn.net/zhuoqingjoking97298/article/details/134675459
版权

串行接口SRAM

 

01 串口SRAM

一、前言

  这个小型的电子胸牌上有很多奇特的元器件。  这个 AP Memory 是一个 SPI 接口的 SRAM。 它具有 8M字节的容量。  下面对它进行初步测试。

GM1701173799_1280_720.MPG|_-3

二、制作测试电路

  这颗具有SPI接口的RAM，  工作电流从 2.7V 到3.6V。  它的封装似乎具有通用性，  也就是和 2020年， 我测试的另外一款SPI接口的RAM 相同， 型号为 24LC1024。 下面就使用相同的封装建立测试电路。

GM1701174213_1280_720.MPG|_-4

▲ 图1.2.1 APMemory 的封装

▲ 图1.2.1 APMemory 的封装

  使用STM32F103作为测试控制器，  使用它的 六个 IO 连接 SRAM， 完成读写。 利用快速制版方法， 制作测试电路。  一分钟后得到测试电路板。  焊接元器件， 其中的一个跳线，  使用 0 欧姆电阻完成。  下面对其进行测试。

GM1701176712_1280_720.MPG|_-7

▲ 图1.2.2 测试电路原理图

▲ 图1.2.2 测试电路原理图

▲ 图1.2.3 测试电路PCB

▲ 图1.2.3 测试电路PCB

AD\Test\2023\TestAPM.PcbDoc

▲ 图1.2.4 使用焊锡膏焊接芯片， 非常完美

▲ 图1.2.4 使用焊锡膏焊接芯片， 非常完美

三、测试结果

  焊接电路板之后， 对 APS6404L进行测试。  测试 APS6404 的基本读写功能， 然后在测试它的容量以及读写速度。  根据 APS6404的数据手册， 编写最基本的慢速SPI读写过程， 利用 普通的 IO口模拟 SPI序列， 这样便于移植。  下载程序。 基本读写功能正常。

GM1701307061_1280_720.MPG|_-5

▲ 图1.3.1 测试电路板

▲ 图1.3.1 测试电路板

D:\zhuoqing\window\ARM\IAR\STM32\Application\Test\2023\TestAPS6404L\Core\Src\main.c

  下面测试一下模拟SPI读写 串口RAM的速度。  利用LED灯输出端口标志对RAM读写的起始时刻， 对APS6404L填充 0x800 个零。  通过测试LED灯端口电压信号 来测量读写所使用的时间。  然后除以 0x800 之后， 便可以获得读写RAM 单个字节的平均时间了。  这里测量访问时间为 4.62ms。 单个字节访问时间为 2.25微秒。

GM1701314781_1280_720.MPG|_-9

▲ 图1.3.2 读写时间

▲ 图1.3.2 读写时间

  由于是采用了模拟SPI口的方式， 所以访问单个字节所需要的时间比较长。 如果将整个8兆字节全部读一遍， 需要花费19秒钟的时间。  后面可以通过单片机 SPI 硬件， 便可以提高读取速度，  也可以通过 四路 IO 同时访问的形式， 来提高读写的速度。
GM1701314917_1280_720.MPG|_-3

 

※ 总  结 ※

  本文记录了对SPI接口的串行SRAM进行了测试。 RAM的型号为APS6404L。  测试了基本读写功能， 为之后的应用提供了经验。  赛读写速度方面并没有发挥它的最高接口速度。

GM1701315280_1280_720.MPG|_-3

■ 相关文献链接:

● 相关图表链接:

/*
**==============================================================================
** APS6404L.H:            -- by Dr. ZhuoQing, 2023-11-29
**
**  Description:
**
**==============================================================================
*/
//------------------------------------------------------------------------------
//------------------------------------------------------------------------------
//==============================================================================

//------------------------------------------------------------------------------

//------------------------------------------------------------------------------

void APS6404LInit(void);

//------------------------------------------------------------------------------

void APS6404LOutByte(unsigned char ucByte);
void APS6404LOutAddress(unsigned int nAddress);
void APS6404LOutInt32(unsigned int nData);
unsigned char APS6404LInByte(void);

void APS6404LWriteBytes(unsigned int nAddress, unsigned char * pBuffer, int nLength);
void APS6404LReadBytes(unsigned int nAddress, unsigned char * pBuffer, int nLength);

void APS6404LSetByte(unsigned int nAddress, unsigned char ucByte, int nLength);
    
//==============================================================================
//             END OF FILE : APS6404L.H
//------------------------------------------------------------------------------

/*
**==============================================================================
** APS6404L.C:             -- by Dr. ZhuoQing, 2023-11-29
**
**==============================================================================
*/

//------------------------------------------------------------------------------

//------------------------------------------------------------------------------

//------------------------------------------------------------------------------

void APS6404LInit(void) {
    OUT(APS6404L_CS);
    ON(APS6404L_CS);
    
    OFF(APS6404L_CLK);    
    OUT(APS6404L_CLK);
    
    ON(APS6404L_MISO);
    IN(APS6404L_MISO);
    
    OFF(APS6404L_MOSI);
    OUT(APS6404L_MOSI);    
}

//------------------------------------------------------------------------------
void APS6404LOutByte(unsigned char ucByte) {
    unsigned int i;
    unsigned char ucMask;
    
    ucMask = 0x80;
    for(i = 0; i < 8; i ++) {
        if(ucByte & ucMask) ON(APS6404L_MOSI);
        else OFF(APS6404L_MOSI);
            
        ON(APS6404L_CLK);
        ucMask >>= 1;
        OFF(APS6404L_CLK);
    }
    
}

void APS6404LOutAddress(unsigned int nAddress) {
    unsigned int i, nMask;
    
    nMask = 0x800000;
    for(i = 0; i < 24; i ++) {
        if(nAddress & nMask) ON(APS6404L_MOSI);
        else OFF(APS6404L_MOSI);
            
        ON(APS6404L_CLK);
        nMask >>= 1;
        OFF(APS6404L_CLK);
    }
    
}

void APS6404LOutInt32(unsigned int nData) {
    unsigned int i, nMask;
    nMask = 0x80000000;
    for(i = 0; i < 32; i ++) {
        if(nData & nMask) ON(APS6404L_MOSI);
        else OFF(APS6404L_MOSI);
        
        ON(APS6404L_CLK);
        nMask >>= 1;
        OFF(APS6404L_CLK);        
    }
}

unsigned char APS6404LInByte(void) {
    unsigned int i;
    unsigned char ucMask, ucByte;
    
    ucMask = 0x80;
    ucByte = 0;
    
    for(i = 0; i < 8; i ++) {
        if(VAL(APS6404L_MISO)) ucByte |= ucMask;
        ON(APS6404L_CLK);        
        OFF(APS6404L_CLK);
        ucMask >>= 1;        
    }
    
    return ucByte;   
    
}

//------------------------------------------------------------------------------
void APS6404LWriteBytes(unsigned int nAddress, unsigned char * pBuffer, int nLength) {
    OFF(APS6404L_CLK);
    OFF(APS6404L_CS);
    
    APS6404LOutByte(APS6404L_WRITE);
    APS6404LOutAddress(nAddress);
    
    int i;
    for(i = 0; i < nLength; i ++) {
        APS6404LOutByte(*(pBuffer ++));
    }
    
    ON(APS6404L_CS);
    
}

void APS6404LReadBytes(unsigned int nAddress, unsigned char * pBuffer, int nLength) {
    OFF(APS6404L_CLK);
    OFF(APS6404L_CS);
    
    APS6404LOutByte(APS6404L_READ);
    APS6404LOutAddress(nAddress);
    
    int i;
    for(i = 0; i < nLength; i ++) {
        *(pBuffer ++) = APS6404LInByte();
    }
    
    ON(APS6404L_CS);
    
}

void APS6404LSetByte(unsigned int nAddress, unsigned char ucByte, int nLength) {
    OFF(APS6404L_CLK);
    OFF(APS6404L_CS);
    
    APS6404LOutByte(APS6404L_WRITE);
    APS6404LOutAddress(nAddress);
    
    int i;
    for(i = 0; i < nLength; i ++) {
        APS6404LOutByte(ucByte);
    }    
    
    ON(APS6404L_CS);
    
}

//==============================================================================
//                END OF FILE : APS6404L.C
//------------------------------------------------------------------------------
网络硬件知识
B10030607的博客
07-22 984
提示：从今开始新征程，从事网络通信安全领域研发。 网络硬件知识前言一、存储器1. DDR2. SSD二、高速接口1. AXI2. DMA3. PCIE4. RapidIO5. GMAC三、低速接口1. EMIF2. UART3. SPI4. I2C5. CAN6. LPC四、整板1. DSP与FPGA2. MCU总结 前言 从2021年07月19日开始，加入新公司，特开专栏，记录、整理、讨论网络通信相关软硬件问题。 博文规范：简单清晰，图文并茂，简单问题不需要再链接其他网页。 一、存储器 存储器读写速
RAM相关
Yangnaiwua的博客
03-12 643
2016 年 12 月，美光创立面向半导体和电子公司的 Xccela联盟，联盟的创始成员有美光科技、华邦电子 (Winbond Electronics)、GigaDevice Semiconductor 和 AP Memory Technology ，他们将与其他成员公司合作，推动整个行业将一系列符合 Xccela Bus 标准的存储、控制器、ASIC、SoC 和其他设备加速推入市场。串行PSRAM采用DRAM架构，可以有效压缩芯片体积，因此生产成本接近DRAM，但因为PRAM小众、用量少，
VTI7064MSME_SPI的RAM芯片手册.PDF
05-23
vti7064,SPI接口的的RAM存储器芯片文档，适合需要暂存大量数据的，脚位要求少的应用
spi读写ram
05-17
通过spi控制fpga读写ram，spi传输的第一个bit为读写使能，高为写，低为读。
【每周分享】以psram为例测一测瑞萨RA2E1的SPI功能与性能
最新发布
ic2121的博客
03-13 64
支持MSB或LSB，传输比特长度可支持8、9、10、11、12、13、14、15、16、20、24、32bit，注这里不>是传输字节长度，而是bit长度，8bit最常见，但有些SPI设备bit长不是8bit的，可能是9bit、10bit等。瑞萨家的固件库中像串口、SPI、I2C等器件的API基本都是非阻塞的，是基于中断事件的，所以要想知道传输是否完成需要等待中断事件，OS环境中可由os原语实现，裸机环境就得poll一个标志位了，然后由回调函数调用os原语（对应OS环境）或设置标志位（对应裸机环境）即可。
串行SRAM
djsin13的专栏
04-29 635
串行SRAM： 1、https://www.vilsion.com/VTI7064LSM.shtml VTI7064LSM 2、http://www.ipusltd.com/index_cn.html IPS3204J‐SQ
Microchip微芯256Kbit串行SPI SRAM芯片23K256
EVERSPIN的博客
05-30 965
串行SRAM是一种独立的易失性存储器，它提供了一种简单且便宜的方式来为您的应用程序添加更多RAM。这些8引脚低功耗、高性能SRAM器件具有无限的耐用性和零写入时间，使其成为涉及连续数据传输、缓冲、数据记录、音频、视频、互联网、图形和其他数学和数据密集型应用的理想选择职能。并支持SPI、SDI和SQI™总线模式。 Microchip型号23K25是一个32,768字节的串行SPI SRAM，与许多流行的微控制器系列的串行外设接口 (SPI) 端口连接，可以通过使用在固件中正确编程以匹配 SPI 协议的离散 I
推荐一款1Mb国产串口SRAM芯片EMI7001WTMI
EVERSPIN的博客
08-31 795
伟凌创芯国产芯片EMI7001WTMI是一款容量为1Mb的串口SRAM，采用先进的CMOS技术设计和制造，提供高速性能和低功耗。其内部组织为128K字，每个字8位。该器件采用单片选(/CS)输入运行，并通过与SPI兼容的简单串行接口进行访问。单个数据输入和数据输出线与时钟一起使用以访问该设备内的数据。该设备包括一个/HOLD引脚，允许在不取消选择设备的情况下暂停与设备的通信。暂停时，除/CS引脚外的输入转换将被忽略。该器件可在-40℃至+85℃（工业级）的温度范围内运行。 EMI7001WTMI具有SPI总
SPI SRAM串行静态随机存储器
EVERSPIN的博客
11-27 292
SPI SRAM存储器通过四线制的SPI接口与主控制器连接，包括片选（CS）、时钟（SCK）、数据输入（MOSI）和数据输出（MISO）信号线，使得数据交换变得简单高效。SPI SRAM以其出色的性能、简单的接口和灵活的配置，成为嵌入式系统中不可或缺的组件。此外，由于其静态功耗极低，即使在不进行数据传输时，它也几乎不消耗电力，这对于电池供电的便携式设备来说尤为重要。封装形式方面，RAMSUN的SPI SRAM有多种选择，包括QFN、SOIC等，这些封装形式不仅小巧，而且能够适应不同的PCB布局和空间限制。
【RN8209D技术手册深度解读】：全面揭示硬件规格及接口秘密
首先，我们深入解析了RN8209D的硬件架构，包括其核心组件、电源管理和性能分析，并着重探讨了不同接口技术的设计和应用。其次，文章重点描述了RN8209D软件开发环境的搭建和开发过程中的编程语言选择、接口编程、调试...
ESP-07WIFI规格书.doc
12-17
- **存储描述**：可能包含闪存（Flash Memory）用于存储固件和配置信息，以及SRAM（静态随机访问内存）用于运行时的数据处理。 7. **安全与合规性** ESP-07模块应符合相关的电磁兼容（EMC）和射频（RF）法规，如...
stm32f429通过spi接口从sdram读写大量数据给w25q128
08-16
stm32f429通过spi接口从sdram读写大量数据给w25q128
1 - ZYNQ 概述
XDUryan的博客
08-27 829
ZYNQ7000基本情况介绍
分享一款国产串行SRAM存储芯片EMI7008LSMI
EVERSPIN的博客
03-11 1247
EMI7008LSMI该器件是8Mb串行访问的SRAM存储芯片，内部组织为1024K字，每个8位。该器件采用先进的CMOS技术进行设计和制造，以提供高速性能和低功耗。该器件使用单芯片选择（/CS）输入进行操作，并通过与SPI兼容的简单串行接口进行访问。单个数据输入和数据输出线与时钟一起使用以访问该设备内的数据。该设备包括一个/HOLD引脚，该引脚允许在不取消选择该设备的情况下暂停与该设备的通信。暂停时，除/CS引脚外的输入跳变将被忽略。该器件可在-40°C至+85°C（工业级）的温度范围内工作。 特征： •
分享一款国产512kbit串行SRAM----SCLPSRAC1
EVERSPIN的博客
04-27 465
EMI Serial SRAM是为串行接口的SRAM，外扩SRAM可以通过使用SPI的接口来将外部RAM添加到几乎所有应用中。串行访问的静态随机存取存储器采用先进的CMOS技术进行设计和制造，以提供高速性能和低功耗。
64Mbit SOIC8封装SPI接口的国产串行SRAM EMI7064
EVERSPIN的博客
03-29 2118
现在的电子系统应用，对SRAM要求越来越高，单片机或ARM内部的RAM越来越不够用。国产EMI公司的64Mbit SPI接口的SRAM芯片EMI7064。这样的IC用途一般是：数据采集或信号处理过程的缓冲，MCU远程升级的数据备份和缓存等等。单片机MCU外扩选用SPI SRAM解决方案的最佳选择。因此已经得到越来越多的MCU相关厂家的支持。 EMI7064 64Mbit串行SRAM，它支持1.8v和3.0V 64Mbit的SPI/QPI（串行外围接口/四重外围接口）SRAM器件。该RAM可配置为1位输入和输
STM32 SPI+DMA 驱动 SRAM LY68L6400SLIT 应用笔记
yutian0606的博客
03-29 5219
库函数，STM32F407,SPI+DMA ，SPI-DMA，SRAM ， LY68L6400SLIT，STM32CubeMX大黄蜂本笔记记录 基于 STM32F407 + RT RTOS 采用 SPI接口和 SPI+DMA接口 调试 SRAM LY68L6400SLIT （8M 字节 SRAM）STM32 HAL SPI 库函数；STM32CubeMX SPI 配置；STM32CubeMX SPI 配置+DMA配置；SPI+DMA 读写SRAM。
推荐单片机外扩专用SPI SRAM存储芯片
EVERSPIN的博客
12-17 3337
ST内核M3的32位MCU产品STM32F1xxx这一系列的MCU内置SRAM资源非常有限，在应用中如果遇到数据需要扩容的情况下，需要外扩SRAM器件，一个并行接口的SRAM或SDRAM需要30~40个封装管脚，在一些方案中MCU可用于外扩SRAM的管脚数量有限，如果考虑SPI SRAM（串行SRAM）是一种不错的解决方案。 如果是从降低成本的方向考虑，这里介绍一种伪静态的SPI SRAM，只需要SPI接口或者QPI接口，就可以简简单单实现单线、4线和8线的方式操作SRAM。这种产品的速度快20MHz~20
串行SRAM的主要优点
EVERSPIN的博客
07-20 337
串行SRAM器件是独立的易失性存储器解决方案，可以帮助创建更紧凑的设计，同时为当前的MCU添加功能。高性能SRAM器件具有无限的耐用性和零写入时间，非常适合涉及连续数据传输、缓冲、数据记录、音频、视频和其他数学和数据密集型功能的应用。...
评论 1
添加红包

请填写红包祝福语或标题

个

红包个数最小为10个

元

红包金额最低5元

当前余额3.43元 前往充值 >
需支付：10.00元
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包

打赏作者

卓晴

你的鼓励将是我创作的最大动力

¥1 ¥2 ¥4 ¥6 ¥10 ¥20
扫码支付：¥1
获取中
扫码支付

您的余额不足，请更换扫码支付或充值

打赏作者

实付元
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明：

1.余额是钱包充值的虚拟货币，按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载，可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值